近年來(lái),二維類(lèi)石墨烯材料由于其優(yōu)異的光、電、力學(xué)等性質(zhì)吸引了大量工作者的廣泛研究。單層的二維過(guò)渡金屬硫族化合物（TMDs）材料具有石墨烯所不具備的直接帶隙,在諸多領(lǐng)域均有較大的應(yīng)用潛質(zhì),相比于其他的二維TMDs材料,WS₂具備密度和分子量較高,自旋軌道耦合強(qiáng),且具有雙極性電子輸運(yùn)特性等優(yōu)勢(shì),得到了廣泛的應(yīng)用。但是可控地合成WS₂仍然面臨著巨大的挑戰(zhàn),本文利用化學(xué)氣相沉積法可控地制備出大面積、高質(zhì)量的WS₂薄膜,分析了不同生長(zhǎng)參數(shù)對(duì)WS₂薄膜形貌的影響,探索了其生長(zhǎng)機(jī)制,并研究了WS₂薄膜對(duì)R6G分子的拉曼增強(qiáng)效果,研究的內(nèi)容主要包括以下幾個(gè)方面:首先,通過(guò)傳統(tǒng)的低壓化學(xué)氣相沉積法,在SiO₂（300nm）/Si襯底上成功制備出WS₂薄膜,分析出三種生長(zhǎng)參數(shù)（S引入時(shí)間,WO₃前驅(qū)體溫度和生長(zhǎng)溫度）對(duì)生長(zhǎng)所得到的產(chǎn)物以及產(chǎn)物形貌的影響,發(fā)現(xiàn)生長(zhǎng)所得到的產(chǎn)物以及產(chǎn)物的形貌高度依賴(lài)于S前驅(qū)體濃度、W前驅(qū)體濃度和W原子與... 

【文章來(lái)源】：南京郵電大學(xué)江蘇省

【文章頁(yè)數(shù)】：62 頁(yè)

【學(xué)位級(jí)別】：碩士

【圖文】：

基于石墨烯結(jié)構(gòu)的富勒烯、碳納米管和石墨[2]

（a）WS2結(jié)構(gòu)典型三維結(jié)構(gòu)示意圖（b）WS2面內(nèi)晶體結(jié)構(gòu)（c）WS2面外晶體結(jié)構(gòu)

圖 1.3 二硫化鎢的三種晶體結(jié)構(gòu)種堆垛方式，其中最常見(jiàn)的三種晶體結(jié)構(gòu)2H 和 3R 這兩種晶體結(jié)構(gòu)是天然存在的出半導(dǎo)體行為。這三種晶體結(jié)構(gòu)分別屬于構(gòu)；2H 屬于三方晶系，為六方配位結(jié)構(gòu)R 屬于斜方對(duì)稱(chēng)晶系，為菱形對(duì)稱(chēng)結(jié)構(gòu)，C 的方式堆垛。值得一提地是，單層二硫兩種排列方式。在 1T 這種排序方式中方柱面體配位，排序方式 1H 是單層 WS構(gòu)示，塊狀二硫化鎢表現(xiàn)為間接半導(dǎo)體特性


本文編號(hào)：3003654