電荷俘獲存儲(chǔ)器（charge trapping memory,CTM）在筆記本、手機(jī)和數(shù)碼相機(jī)等各類消費(fèi)電子產(chǎn)品中被廣泛應(yīng)用,并且以它低的寫(xiě)入/擦除電壓,高的可伸縮性,以及比傳統(tǒng)多晶硅浮柵存儲(chǔ)器件優(yōu)越的耐疲勞特性而倍受科技界的青睞。本論文中,制備并測(cè)試了基于單層鈦酸鍶鋇(Ba_0.6Sr_0.4TiO₃,BST)薄膜結(jié)構(gòu)的CTM,在這里,BST薄膜既作俘獲層又作阻擋層。這個(gè)金屬/鈦酸鍶鋇/二氧化硅/硅(metal/Ba_0.6Sr_0.4TiO₃/SiO₂/Si,MBOS)結(jié)構(gòu)的器件表現(xiàn)出優(yōu)秀的電荷俘獲特性,在正負(fù)12V的掃描電壓下存儲(chǔ)窗口可以達(dá)到8.4V,經(jīng)過(guò)1.08×10⁴s僅有4%的電荷損失,快的寫(xiě)入/擦除速率和良好的耐疲勞特性。BST薄膜中的缺陷態(tài)性質(zhì)通過(guò)測(cè)試薄膜的光致發(fā)光譜（photoluminescence,PL）和光致發(fā)光激發(fā)譜（photoluminescence excitation,PLE）得到。測(cè)試發(fā)... 

【文章來(lái)源】：河北大學(xué)河北省

【文章頁(yè)數(shù)】：58 頁(yè)

【學(xué)位級(jí)別】：碩士

【部分圖文】：

汞延遲線存儲(chǔ)器圖片

圖 1-2 磁帶儲(chǔ)器圖片[2]是存儲(chǔ)設(shè)備發(fā)展到第二個(gè)階段產(chǎn)生的。它以其大的存儲(chǔ)容量和低們青睞。磁帶存儲(chǔ)具有很好的互換性，給信息的存儲(chǔ)帶來(lái)了極備的研究的深入，進(jìn)一步在磁帶存儲(chǔ)的讀寫(xiě)速率和可靠性方面很大提升。存儲(chǔ)設(shè)備的讀寫(xiě)速率性能的提升得益于在通道技術(shù)方式。存儲(chǔ)設(shè)備的可靠性性能的提升得益于在對(duì)信息進(jìn)行安全處理力的編碼方式。磁帶庫(kù)具有兩大優(yōu)勢(shì)，一是擁有龐大的數(shù)據(jù)存儲(chǔ)個(gè)數(shù)據(jù)的存儲(chǔ)備份過(guò)程中一切無(wú)需人工占用。磁帶庫(kù)在網(wǎng)絡(luò)系統(tǒng)，尤其是對(duì)于企業(yè)來(lái)說(shuō)，他們利用磁帶庫(kù)可以在網(wǎng)絡(luò)上實(shí)現(xiàn)數(shù)據(jù)間進(jìn)行遠(yuǎn)程數(shù)據(jù)訪問(wèn)，數(shù)據(jù)備份和存儲(chǔ)。儲(chǔ)器發(fā)展的第三個(gè)階段，圖 1-3 為磁鼓儲(chǔ)器的圖片。

圖 1-3 磁鼓儲(chǔ)器圖片[3]存儲(chǔ)器的身份被用在了 IBM701 身上。使用鋁這種鼓筒的表面，這樣就實(shí)現(xiàn)了數(shù)據(jù)的存儲(chǔ)。數(shù)據(jù)讀寫(xiě)的階段采用固定式磁頭，并使用磁膠做磁介質(zhì)，隨著用浮動(dòng)式磁頭，磁介質(zhì)改用電鍍的連續(xù)磁介質(zhì)，后于這些的。雖然磁鼓存儲(chǔ)器有很快的存儲(chǔ)速率，但由此，利用率很低，這是磁鼓存儲(chǔ)的一大缺點(diǎn)。為了提儲(chǔ)，大大提高了存儲(chǔ)利用率。發(fā)展的第四個(gè)階段，自 1959 年到 1979 年在計(jì)算機(jī)中芯儲(chǔ)器的圖片。


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