流態(tài)化氣相沉積溫度對FeNi 50 /SiO 2 復(fù)合粉末形成過程及性能影響
發(fā)布時間:2021-01-13 14:35
為探明流態(tài)化氣相沉積過程中核殼結(jié)構(gòu)的形成溫度,在正硅酸乙酯熱分解的熱力學(xué)基礎(chǔ)上,通過設(shè)置不同反應(yīng)溫度,在FeNi50合金粉末表面包覆SiO2絕緣層,采用XRD、FTIR、SEM以及VSM等測試分析儀器對粉末形貌、成分和性能進(jìn)行了表征。結(jié)果表明:正硅酸乙酯的熱分解溫度為612.70℃,合成具有FeNi50/SiO2核殼結(jié)構(gòu)的軟磁復(fù)合粉末的最低溫度為630℃,軟磁復(fù)合粉末SiO2絕緣包覆層的厚度為0.520μm;隨著沉積溫度的升高,SiO2絕緣層厚度也隨之增加,FeNi50/SiO2復(fù)合粉末的飽和磁感應(yīng)強(qiáng)度逐漸降低,矯頑力幾乎無變化,電阻率呈增加趨勢,相對于原料FeNi50合金粉末,具有FeNi50/SiO2核殼結(jié)構(gòu)的軟磁復(fù)合粉末的電阻率提高了近兩個數(shù)量級。
【文章來源】:粉末冶金工業(yè). 2020,30(05)北大核心
【文章頁數(shù)】:7 頁
【部分圖文】:
實驗裝置示意圖
通過查熱力學(xué)表[15]可以得出C8H20O4Si,Si O2,H2O和C2H4的生成焓和各溫度下的熱力學(xué)勢,結(jié)果如表1所示。隨后,根據(jù)獲得的熱力學(xué)數(shù)據(jù),計算出K值預(yù)測反應(yīng)方向和反應(yīng)程度。圖2為在298~1 198 K(25~925℃)溫度范圍內(nèi)K值隨溫度的變化關(guān)系。如圖2所示,反應(yīng)平衡常數(shù)K隨溫度的升高而增大,即C8H20O4Si的熱分解反應(yīng)程度逐漸增大。當(dāng)反應(yīng)溫度低于885.70 K(621.70℃)時K值小于1,表明C8H20O4Si基本不會熱分解,當(dāng)溫度大于998 K(725℃)時,C8H20O4Si基本完全熱分解。將反應(yīng)平衡常數(shù)K與反應(yīng)溫度的關(guān)系用三階函數(shù)進(jìn)行擬合,擬合結(jié)果如式(7)所示。由式(7)可知,只有當(dāng)反應(yīng)溫度高于885.70 K(621.70℃)時K值才大于1,即有望通過C8H20O4Si的熱分解反應(yīng),在Fe Ni50合金粉末表面沉積Si O2絕緣層,形成Fe Ni50/Si O2核殼結(jié)構(gòu)。2.2 Fe Ni50/Si O2軟磁合金粉末的顯微特征
圖3為原料Fe Ni50合金粉末和在不同沉積溫度下處理的Fe Ni50合金粉末的XRD圖譜。原料Fe Ni50合金粉末僅在2θ為43.76°,50.94°和74.87°時,存在3個強(qiáng)度很高的X射線衍射峰,峰位與標(biāo)準(zhǔn)PDF卡片ICCD 00-003-1209相吻合,可分別對應(yīng)γ-Fe(Ni)體心立方結(jié)構(gòu)的(111),(200)和(220)晶面。與原料Fe Ni50合金粉末的XRD曲線比較,在570和600℃時流態(tài)化氣相原位沉積處理后,粉末樣品的XRD衍射峰位置和強(qiáng)度等基本保持不變;當(dāng)進(jìn)一步提高沉積溫度到630℃以上時,可以觀察到曲線在2θ為21°附近表現(xiàn)出非晶態(tài)特征圓駝峰,峰位與Si O2非晶彌散峰吻合,出現(xiàn)Si O2非晶彌散峰的原因是硅原子和氧原子的共價鍵結(jié)合很不規(guī)則。此外,隨著沉積溫度增加,Si O2非晶峰強(qiáng)度增大。上述結(jié)果分析表明,當(dāng)沉積溫度大于630℃時,可在Fe Ni50合金粉末表面沉積非晶Si O2層,形成具有核殼結(jié)構(gòu)的Fe Ni50/Si O2軟磁復(fù)合粉末,隨沉積溫度的升高,沉積的非晶Si O2層厚度增加,與熱力學(xué)分析結(jié)果相吻合;除此之外,F(xiàn)e Ni50/Si O2軟磁復(fù)合粉末XRD圖譜中,Si O2非晶峰和γ-Fe(Ni)衍射峰共存,由此可知,F(xiàn)e Ni50/Si O2軟磁復(fù)合粉末Si O2沉積層對Fe Ni50合金粉末的包覆并沒有明顯改變Fe Ni50合金粉末的結(jié)構(gòu)。圖4為原料Fe Ni50合金粉末和Fe Ni50/Si O2軟磁復(fù)合粉末的SEM照片。由圖4(a)可知,由于水霧化生產(chǎn)工藝等原因,原料Fe Ni50合金粉末表面存在一些凹陷或縫隙,但整體上較為光滑。圖4(b)為沉積溫度為630℃時合成的Fe Ni50/Si O2軟磁復(fù)合粉末掃描電鏡照片,由圖可知,F(xiàn)e Ni50粉末表面不再光滑,上面沉積有納米級顆粒狀物質(zhì),進(jìn)一步說明在此沉積溫度條件下,通過C8H20O4Si的熱分解形成的Si O2能夠沉積在原料Fe Ni50粉末表面。圖4(d)是690℃時所得Fe Ni50/Si O2軟磁復(fù)合粉末掃描電鏡照片,結(jié)果表明隨著沉積溫度的增加,F(xiàn)e Ni50粉末表面沉積的Si O2數(shù)量增多,完整致密的包覆在Fe Ni50合金粉末上,形成較為理想的Fe Ni50/Si O2核殼結(jié)構(gòu)。圖4(e)為不同沉積溫度下Fe Ni50/Si O2軟磁復(fù)合粉末樣品的EDS結(jié)果,原料Fe Ni50合金粉末中并未檢測到Si和O元素,而Fe元素和Ni元素的質(zhì)量分?jǐn)?shù)分別為52.11%和47.89%,非常接近名義原料配比。而在所有Fe Ni50/Si O2軟磁復(fù)合粉末中均檢測到了Si和O元素,但沉積溫度從630℃上升到690℃,F(xiàn)e元素和Ni元素的質(zhì)量分?jǐn)?shù)逐漸減小,而Si和O元素的含量逐漸提高,其中Si:O原子個數(shù)比值接近與1:2。
【參考文獻(xiàn)】:
期刊論文
[1]溫壓工藝對爪極用鐵基軟磁材料顯微組織及磁性能的影響[J]. 王鴻健,張廣安,趙榮達(dá),江利民. 粉末冶金工業(yè). 2019(01)
[2]金屬磁粉心的研究現(xiàn)狀及發(fā)展趨勢[J]. 李現(xiàn)濤,周少雄,況春江,于海琛,高慧,宋巖巖. 材料導(dǎo)報. 2018(S2)
[3]金屬軟磁復(fù)合材料研究進(jìn)展[J]. 吳琛,嚴(yán)密. 中國材料進(jìn)展. 2018(08)
[4]鐵硅粉末表面鈍化工藝的研究[J]. 李偉健,李媛媛. 粉末冶金工業(yè). 2018(04)
[5]FeSiCr/SiO2軟磁復(fù)合材料的制備及磁性能研究[J]. 任勁松,李勃,王進(jìn),龐新峰,郭海. 電子元件與材料. 2018(01)
[6]軟磁復(fù)合材料用膠黏劑配方的研究[J]. 安迪,閆亮明,李偉健,李媛媛. 粉末冶金工業(yè). 2017(03)
[7]基于化學(xué)氣相沉積石墨烯/PEDOT-PSS共混復(fù)合材料的導(dǎo)電薄膜[J]. 林金堂. 復(fù)合材料學(xué)報. 2018(01)
[8]冷壓燒結(jié)制備Cu-15%Cr2AlC復(fù)合材料的組織與性能研究[J]. 孫林,劉錦云,郭陽,金應(yīng)榮,魯云. 粉末冶金工業(yè). 2016(01)
[9]溶膠凝膠法制備SiO2包覆Fe85Si9.6Al5.4軟磁復(fù)合粉末[J]. 李愛坤,李麗婭,吳隆文,易健宏. 中國有色金屬學(xué)報. 2013(04)
[10]粘結(jié)劑對純鐵磁粉芯性能的影響[J]. 趙莉,李篤信,李昆,楊忠臣,張起,徐東. 粉末冶金工業(yè). 2011(04)
碩士論文
[1]環(huán)氧/氰酸酯樹脂基絕緣導(dǎo)熱復(fù)合材料的制備與性能研究[D]. 雷陽雪.電子科技大學(xué) 2018
本文編號:2975035
【文章來源】:粉末冶金工業(yè). 2020,30(05)北大核心
【文章頁數(shù)】:7 頁
【部分圖文】:
實驗裝置示意圖
通過查熱力學(xué)表[15]可以得出C8H20O4Si,Si O2,H2O和C2H4的生成焓和各溫度下的熱力學(xué)勢,結(jié)果如表1所示。隨后,根據(jù)獲得的熱力學(xué)數(shù)據(jù),計算出K值預(yù)測反應(yīng)方向和反應(yīng)程度。圖2為在298~1 198 K(25~925℃)溫度范圍內(nèi)K值隨溫度的變化關(guān)系。如圖2所示,反應(yīng)平衡常數(shù)K隨溫度的升高而增大,即C8H20O4Si的熱分解反應(yīng)程度逐漸增大。當(dāng)反應(yīng)溫度低于885.70 K(621.70℃)時K值小于1,表明C8H20O4Si基本不會熱分解,當(dāng)溫度大于998 K(725℃)時,C8H20O4Si基本完全熱分解。將反應(yīng)平衡常數(shù)K與反應(yīng)溫度的關(guān)系用三階函數(shù)進(jìn)行擬合,擬合結(jié)果如式(7)所示。由式(7)可知,只有當(dāng)反應(yīng)溫度高于885.70 K(621.70℃)時K值才大于1,即有望通過C8H20O4Si的熱分解反應(yīng),在Fe Ni50合金粉末表面沉積Si O2絕緣層,形成Fe Ni50/Si O2核殼結(jié)構(gòu)。2.2 Fe Ni50/Si O2軟磁合金粉末的顯微特征
圖3為原料Fe Ni50合金粉末和在不同沉積溫度下處理的Fe Ni50合金粉末的XRD圖譜。原料Fe Ni50合金粉末僅在2θ為43.76°,50.94°和74.87°時,存在3個強(qiáng)度很高的X射線衍射峰,峰位與標(biāo)準(zhǔn)PDF卡片ICCD 00-003-1209相吻合,可分別對應(yīng)γ-Fe(Ni)體心立方結(jié)構(gòu)的(111),(200)和(220)晶面。與原料Fe Ni50合金粉末的XRD曲線比較,在570和600℃時流態(tài)化氣相原位沉積處理后,粉末樣品的XRD衍射峰位置和強(qiáng)度等基本保持不變;當(dāng)進(jìn)一步提高沉積溫度到630℃以上時,可以觀察到曲線在2θ為21°附近表現(xiàn)出非晶態(tài)特征圓駝峰,峰位與Si O2非晶彌散峰吻合,出現(xiàn)Si O2非晶彌散峰的原因是硅原子和氧原子的共價鍵結(jié)合很不規(guī)則。此外,隨著沉積溫度增加,Si O2非晶峰強(qiáng)度增大。上述結(jié)果分析表明,當(dāng)沉積溫度大于630℃時,可在Fe Ni50合金粉末表面沉積非晶Si O2層,形成具有核殼結(jié)構(gòu)的Fe Ni50/Si O2軟磁復(fù)合粉末,隨沉積溫度的升高,沉積的非晶Si O2層厚度增加,與熱力學(xué)分析結(jié)果相吻合;除此之外,F(xiàn)e Ni50/Si O2軟磁復(fù)合粉末XRD圖譜中,Si O2非晶峰和γ-Fe(Ni)衍射峰共存,由此可知,F(xiàn)e Ni50/Si O2軟磁復(fù)合粉末Si O2沉積層對Fe Ni50合金粉末的包覆并沒有明顯改變Fe Ni50合金粉末的結(jié)構(gòu)。圖4為原料Fe Ni50合金粉末和Fe Ni50/Si O2軟磁復(fù)合粉末的SEM照片。由圖4(a)可知,由于水霧化生產(chǎn)工藝等原因,原料Fe Ni50合金粉末表面存在一些凹陷或縫隙,但整體上較為光滑。圖4(b)為沉積溫度為630℃時合成的Fe Ni50/Si O2軟磁復(fù)合粉末掃描電鏡照片,由圖可知,F(xiàn)e Ni50粉末表面不再光滑,上面沉積有納米級顆粒狀物質(zhì),進(jìn)一步說明在此沉積溫度條件下,通過C8H20O4Si的熱分解形成的Si O2能夠沉積在原料Fe Ni50粉末表面。圖4(d)是690℃時所得Fe Ni50/Si O2軟磁復(fù)合粉末掃描電鏡照片,結(jié)果表明隨著沉積溫度的增加,F(xiàn)e Ni50粉末表面沉積的Si O2數(shù)量增多,完整致密的包覆在Fe Ni50合金粉末上,形成較為理想的Fe Ni50/Si O2核殼結(jié)構(gòu)。圖4(e)為不同沉積溫度下Fe Ni50/Si O2軟磁復(fù)合粉末樣品的EDS結(jié)果,原料Fe Ni50合金粉末中并未檢測到Si和O元素,而Fe元素和Ni元素的質(zhì)量分?jǐn)?shù)分別為52.11%和47.89%,非常接近名義原料配比。而在所有Fe Ni50/Si O2軟磁復(fù)合粉末中均檢測到了Si和O元素,但沉積溫度從630℃上升到690℃,F(xiàn)e元素和Ni元素的質(zhì)量分?jǐn)?shù)逐漸減小,而Si和O元素的含量逐漸提高,其中Si:O原子個數(shù)比值接近與1:2。
【參考文獻(xiàn)】:
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[4]鐵硅粉末表面鈍化工藝的研究[J]. 李偉健,李媛媛. 粉末冶金工業(yè). 2018(04)
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[6]軟磁復(fù)合材料用膠黏劑配方的研究[J]. 安迪,閆亮明,李偉健,李媛媛. 粉末冶金工業(yè). 2017(03)
[7]基于化學(xué)氣相沉積石墨烯/PEDOT-PSS共混復(fù)合材料的導(dǎo)電薄膜[J]. 林金堂. 復(fù)合材料學(xué)報. 2018(01)
[8]冷壓燒結(jié)制備Cu-15%Cr2AlC復(fù)合材料的組織與性能研究[J]. 孫林,劉錦云,郭陽,金應(yīng)榮,魯云. 粉末冶金工業(yè). 2016(01)
[9]溶膠凝膠法制備SiO2包覆Fe85Si9.6Al5.4軟磁復(fù)合粉末[J]. 李愛坤,李麗婭,吳隆文,易健宏. 中國有色金屬學(xué)報. 2013(04)
[10]粘結(jié)劑對純鐵磁粉芯性能的影響[J]. 趙莉,李篤信,李昆,楊忠臣,張起,徐東. 粉末冶金工業(yè). 2011(04)
碩士論文
[1]環(huán)氧/氰酸酯樹脂基絕緣導(dǎo)熱復(fù)合材料的制備與性能研究[D]. 雷陽雪.電子科技大學(xué) 2018
本文編號:2975035
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