隨著電子、電氣行業(yè)的高速發(fā)展，要求介電材料具有高的介電常數(shù)、低的介電損耗、高的儲(chǔ)能密度。單一的無機(jī)或高分子材料均難以滿足使用要求。因此，綜合了無機(jī)、有機(jī)材料性能的無機(jī)/聚合物復(fù)合材料得到了廣泛地研究和應(yīng)用。這主要是因?yàn)檫@類復(fù)合材料性能優(yōu)越，并且可以滿足批量生產(chǎn)過程中高效率、低成本的要求。本文以新型具有巨介電常數(shù)的鈦酸銅鈣（CCTO）為填料顆粒，以具有良好介電、壓電性能和良好柔韌性的聚偏氟乙烯（PVDF）為基體，采用溶液混合隨后旋轉(zhuǎn)涂覆成膜工藝制備了不同體積分?jǐn)?shù)CCTO/PVDF復(fù)合材料。對(duì)復(fù)合材料進(jìn)行了掃描電鏡（SEM）、X-射線衍射（XRD）等表征分析，發(fā)現(xiàn)復(fù)合材料中CCTO陶瓷顆粒在含量低時(shí)均勻分布于整個(gè)基體中；當(dāng)含量增大時(shí)，陶瓷顆粒出現(xiàn)團(tuán)聚現(xiàn)象。XRD結(jié)果表明材料制備過程中CCTO陶瓷粉體晶型結(jié)構(gòu)未發(fā)生變化，而PVDF基體的無規(guī)則相增大，結(jié)晶度下降。由復(fù)合材料的介電性能分析可知，復(fù)合材料的介電常數(shù)隨CCTO填加量的增加而增大，在室溫、100Hz、CCTO體積分?jǐn)?shù)為40%時(shí)，復(fù)合材料介電常數(shù)達(dá)42，而損耗僅為0.3，儲(chǔ)能密度為1.388J·cm^-3。為了提高復(fù)... 

【文章來源】：北京理工大學(xué)北京市 211工程院校 985工程院校

【文章頁數(shù)】：79 頁

【學(xué)位級(jí)別】：碩士

【部分圖文】：

施加電場(chǎng)時(shí)電介質(zhì)的極化模型

圖 1.2 CCTO 晶體結(jié)構(gòu)示意圖[22]圖 1.3 CCTO 介電常數(shù)隨頻率和溫度的變化[24,25]TO 介電性能的研究主要集中在兩方面：CCTO 巨介電

圖 1.3 CCTO 介電常數(shù)隨頻率和溫度的變化[24,25]目前，CCTO 介電性能的研究主要集中在兩方面：CCTO 巨介電特性機(jī)理，制法、制備工藝及改性方法對(duì) CCTO 介電性能的影響。.3.1 CCTO巨介電機(jī)理對(duì) CCTO 巨介電的起因，研究者們提出了不同的理論模型。一些研究者認(rèn)為是因素如結(jié)構(gòu)、氧空位等的作用，而有些則認(rèn)為是外部因素的作用。.3.1.1 經(jīng)典理論模型11

【參考文獻(xiàn)】：
期刊論文
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碩士論文
[1]濕化學(xué)法制備巨介電常數(shù)鈦酸銅鈣粉體及氧化鋁改性陶瓷[D]. 張慶.西北大學(xué) 2011
[2]CaCu3Ti4O12基巨介電陶瓷的制備與介電性能研究[D]. 熊利蓉.陜西師范大學(xué) 2010



本文編號(hào)：2944884