發(fā)布時間：2020-12-28 18:18

　　透明導電氧化物（Transparent Conducting Oxide,TCO）薄膜作為光電器件產業(yè)以及光電材料研究領域極其重要的功能材料,促進了平面顯示,固態(tài)照明等產業(yè)的飛速發(fā)展。氧化銦錫（Indium tin oxide,ITO）薄膜是目前使用較為廣泛的TCO材料之一,但ITO薄膜目前還存在著諸多問題,原料昂貴,有毒并且污染環(huán)境等因素是制約ITO發(fā)展的重要瓶頸。Al摻雜Zn O（Al-doped Zn O,AZO）薄膜具有可比擬ITO薄膜的光電性能,具有低廉的價格、良好的光電性能及環(huán)保無毒等優(yōu)點,被認為是可以取代ITO的最具有發(fā)展?jié)摿Φ腡CO薄膜。論文首先介紹了AZO薄膜的研究背景,基本結構,光電性質以及應用發(fā)展現(xiàn)狀等方面知識,作為該論文的研究基礎。然后利用150℃低溫條件下原子層沉積（Atomic layer deposition,ALD）的方法制備AZO透明導電薄膜,在研究中不斷優(yōu)化薄膜的摻雜比例和沉積參數,提高了薄膜的成膜質量并且縮短了制備時間,同時對制備的薄膜進行表面形貌和光電性能表征。以往報道的ALD法制備AZO薄膜的工作中,研究的關注點大多集中在前驅體和反應物的曝光時... 

【文章來源】：吉林大學吉林省 211工程院校 985工程院校 教育部直屬院校

【文章頁數】：52 頁

【學位級別】：碩士

【文章目錄】：
摘要
abstract
第一章 緒論
    1.1 透明導電氧化物薄膜
    1.2 AZO透明導電薄膜
        1.2.1 AZO薄膜結構
        1.2.2 AZO薄膜的電學特性
        1.2.3 AZO薄膜的光學特性
    1.3 AZO薄膜的制備方法
        1.3.1 有機金屬化合物氣相外延法
        1.3.2 噴霧熱分解法
        1.3.3 磁控濺射鍍膜法
        1.3.4 溶膠-凝膠法
        1.3.5 原子層沉積法
        1.3.6 脈沖激光沉積法
    1.4 AZO薄膜應用及前景
    1.5 課題研究內容與意義
第二章 薄膜制備過程、原理及表征
    2.1 原子層沉積設備
    2.2 AZO薄膜生長原理
    2.3 AZO薄膜制備過程
        2.3.1 襯底預處理
        2.3.2 AZO薄膜沉積過程
    2.4 AZO薄膜的性能表征
        2.4.1 掃描電子顯微鏡
        2.4.2 X射線光電子能譜
        2.4.3 霍爾測試
        2.4.4 透過率
第三章 H2O吹掃時間對薄膜結構及光電性能的影響
    3.1 AZO薄膜的制備條件
    3.2 AZO薄膜的形貌結構
    3.3 AZO薄膜的XPS分析
    3.4 AZO薄膜的電學性能
    3.5 AZO薄膜的光學性能
    3.6 AZO薄膜的性能指數
第四章 AZO透明電極在OLED上的應用
    4.1 OLED結構與原理
    4.2 OLED制備系統(tǒng)
    4.3 OLED測試設備
    4.4 OLED器件結構
    4.5 AZO-OLED器件性能
第五章 結論與展望
參考文獻
作者簡介
致謝


【參考文獻】：
期刊論文
[1]透明導電膜ZnO:Al(ZAO)的組織結構與特性[J]. 孫超,陳猛,裴志亮,曹鴻濤,黃榮芳,聞立時.  材料研究學報. 2002(02)



本文編號：2944185