SiO 2 基ITO/LaB 6 /ITO透明導(dǎo)電薄膜電極的制備及性能研究
發(fā)布時(shí)間:2020-12-09 11:53
ITO薄膜作為性能優(yōu)良的透明導(dǎo)電薄膜和透明隔熱材料,已廣泛應(yīng)用于平板顯示器、透明視窗、太陽(yáng)能電池等場(chǎng)合。而La B6納米顆粒在近紅外區(qū)域具有隔熱作用,在透明隔熱領(lǐng)域?qū)?huì)有巨大的市場(chǎng)需求,以彌補(bǔ)ITO薄膜在近紅外區(qū)域阻隔效果差的不足。在此基礎(chǔ)上,本文中通過(guò)磁控濺射技術(shù)在玻璃基底上首次制備出ITO/La B6/ITO復(fù)合薄膜,對(duì)其在透明導(dǎo)電薄膜領(lǐng)域的應(yīng)用進(jìn)行了探索。逐層的研究了熱處理前后薄膜的組織結(jié)構(gòu)對(duì)薄膜的生長(zhǎng)的影響,逐層的研究了熱處理前后薄膜的組織結(jié)構(gòu)對(duì)薄膜光電性能的影響。利用SEM、AFM和XRD設(shè)備研究薄膜的生長(zhǎng)情況,研究發(fā)現(xiàn),熱處理前,隨著薄膜的層數(shù)的增加,薄膜的表面變得平坦,薄膜的粗糙度降低。熱處理后,ITO薄膜由非晶轉(zhuǎn)變?yōu)槎嗑?薄膜存在內(nèi)應(yīng)力,薄膜的粗糙度上升;隨著薄膜的層數(shù)增加,薄膜的均勻性上升。研究薄膜的光學(xué)和電學(xué)性能發(fā)現(xiàn),隨著薄膜的的層數(shù)增加,薄膜的透過(guò)率和面阻下降;熱處理后,薄膜的透過(guò)率和面阻得到改善,面載流子濃度和遷移率上升。熱處理后,由于均勻平整的組織結(jié)構(gòu),在濺射時(shí)間為1min/5min/2min獲得綜合光電性能最優(yōu)的ITO/La B6/ITO薄膜,其可見光內(nèi)平均...
【文章來(lái)源】:昌吉學(xué)院新疆維吾爾自治區(qū)
【文章頁(yè)數(shù)】:80 頁(yè)
【學(xué)位級(jí)別】:碩士
【部分圖文】:
自組裝銀納米線的SEM圖像
2 低倍和高倍下碳納米管根的 SEM 圖像 the tube roots at low-magnication and high-m空抽濾的方法在石英玻璃上制備出石墨烯同的熱處理工藝最終獲得在 500nm 波長(zhǎng)薄膜,這些性能對(duì)于很多重要的應(yīng)用是足膜性能的提升很重要[37]。Viet Hung Pham的石墨烯薄膜,薄膜的面阻和透過(guò)率可以其中性能最好的薄膜在 500nm 波長(zhǎng)透過(guò)g Lee 等報(bào)道了一種由化學(xué)氣相沉積方法制的石墨烯薄膜,其中在PET基底上制備的率,面阻大大的降低主要是由于轉(zhuǎn)移中殘留合物的摻雜機(jī)制可以通過(guò)在石墨烯基底平表面附近產(chǎn)生規(guī)整的偶極子力矩[39]。由于
圖 2.1 JGP-450A 型磁控濺射Fig.2.1 JGP-450A Magnetron Sputtering薄膜電極的測(cè)試方法及設(shè)備 薄膜電極的測(cè)試方法薄膜電極形貌與結(jié)構(gòu)的表征:利用原子力顯微鏡SEM)對(duì)薄膜的組織形貌進(jìn)行觀察,利用 X 射線行表征。并逐層研究薄膜的組織結(jié)構(gòu)對(duì)于 ITO/L膜的組織結(jié)構(gòu)對(duì)于 ITO/LaB6/ITO 薄膜組織結(jié)構(gòu)的薄膜電極光學(xué)性能的測(cè)試:利用紫外可見分光光析薄膜的組織、結(jié)構(gòu)和透過(guò)率間的關(guān)系及熱處理響。薄膜電極電學(xué)性能的測(cè)試:利用四探針電阻率測(cè)效應(yīng)測(cè)試系統(tǒng)對(duì)薄膜的載流子濃度、遷移率和霍
本文編號(hào):2906821
【文章來(lái)源】:昌吉學(xué)院新疆維吾爾自治區(qū)
【文章頁(yè)數(shù)】:80 頁(yè)
【學(xué)位級(jí)別】:碩士
【部分圖文】:
自組裝銀納米線的SEM圖像
2 低倍和高倍下碳納米管根的 SEM 圖像 the tube roots at low-magnication and high-m空抽濾的方法在石英玻璃上制備出石墨烯同的熱處理工藝最終獲得在 500nm 波長(zhǎng)薄膜,這些性能對(duì)于很多重要的應(yīng)用是足膜性能的提升很重要[37]。Viet Hung Pham的石墨烯薄膜,薄膜的面阻和透過(guò)率可以其中性能最好的薄膜在 500nm 波長(zhǎng)透過(guò)g Lee 等報(bào)道了一種由化學(xué)氣相沉積方法制的石墨烯薄膜,其中在PET基底上制備的率,面阻大大的降低主要是由于轉(zhuǎn)移中殘留合物的摻雜機(jī)制可以通過(guò)在石墨烯基底平表面附近產(chǎn)生規(guī)整的偶極子力矩[39]。由于
圖 2.1 JGP-450A 型磁控濺射Fig.2.1 JGP-450A Magnetron Sputtering薄膜電極的測(cè)試方法及設(shè)備 薄膜電極的測(cè)試方法薄膜電極形貌與結(jié)構(gòu)的表征:利用原子力顯微鏡SEM)對(duì)薄膜的組織形貌進(jìn)行觀察,利用 X 射線行表征。并逐層研究薄膜的組織結(jié)構(gòu)對(duì)于 ITO/L膜的組織結(jié)構(gòu)對(duì)于 ITO/LaB6/ITO 薄膜組織結(jié)構(gòu)的薄膜電極光學(xué)性能的測(cè)試:利用紫外可見分光光析薄膜的組織、結(jié)構(gòu)和透過(guò)率間的關(guān)系及熱處理響。薄膜電極電學(xué)性能的測(cè)試:利用四探針電阻率測(cè)效應(yīng)測(cè)試系統(tǒng)對(duì)薄膜的載流子濃度、遷移率和霍
本文編號(hào):2906821
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