功能性透明導(dǎo)電薄膜在日常生活中日趨重要。研究了以二氧化錫為主的電熱薄膜,包括其制備方法和性能表征,設(shè)計(jì)了四種體系的二氧化錫基薄膜,采用XRD、FT-IR、FE-SEM、HR-TEM、四探針測(cè)試儀和熱功率測(cè)試儀對(duì)樣品的物相、形貌、結(jié)構(gòu)和性能進(jìn)行表征,并深入探討了材料的電熱性能,具體內(nèi)容如下:（1）以SnCl₄·5H₂O和SbCl₃為原料,無水乙醇作溶劑,溶膠-凝膠法制備SnO₂:Sb（ATO）薄膜的前驅(qū)體溶液,再用超聲噴霧熱解法制得薄膜,并用XRD、FE-SEM、四探針測(cè)試儀及熱功率測(cè)試儀對(duì)樣品進(jìn)行表征。結(jié)果表明:超聲噴霧熱解法可制備表面平整的ATO薄膜;Sb元素的摻雜并未改變SnO₂的晶體結(jié)構(gòu),且隨著沉積溫度的增加,薄膜的結(jié)晶度提高;當(dāng)沉積溫度為500℃,n（Sb）:n（SnO₂）=1.5at%,c（Sn）=0.6mol/L時(shí)方塊電阻最小,為105Ω/□,施加220V電壓最高加熱溫度達(dá)到213℃。（2）以SnCl₄·5H_2<... 

【文章來源】：江蘇大學(xué)江蘇省

【文章頁數(shù)】：81 頁

【學(xué)位級(jí)別】：碩士

【部分圖文】：

SnO2晶胞結(jié)構(gòu)圖

二氧化錫基薄膜的制備、表征及電熱性能的研究子形成整點(diǎn)中心；與之對(duì)應(yīng)形成空穴的受主雜質(zhì)形成負(fù)電中心。若半導(dǎo)體存在正電中心和負(fù)電中心時(shí)，它們之間相互抵消，成為雜質(zhì)補(bǔ)償作用；另導(dǎo)體的導(dǎo)電類型還與雜質(zhì)濃度相關(guān)，施主雜質(zhì)濃度大，半導(dǎo)體屬于 n 型導(dǎo)主雜質(zhì)濃度大，半導(dǎo)體屬于 p 型導(dǎo)電；兩種濃度近似，稱為雜質(zhì)的高度補(bǔ)想得到 n 型 SnO2半導(dǎo)體，可以通過摻雜 Sb5+或 F-[40]。但這兩種摻雜類型同。例如：

二氧化錫基薄膜的制備、表征及電熱性能的研究3.2.2 基底清洗鍍膜使用 140×80×2.5mm 石英玻璃為基底材料，依次放入鹽酸溶液、蒸餾水、氫氧化鈉溶液、蒸餾水浸泡，清洗后放入無水乙醇中用超聲波清洗 10min，取出后放在烘箱中干燥，最后放入等離子清洗機(jī)中清洗 30min，減小玻璃的表面張力。3.2.3 電熱薄膜的制備實(shí)驗(yàn)所用的噴霧熱解涂膜機(jī)[72]如圖 3.1 所示。

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