金屬摻雜氮化鎢薄膜的制備及其特性研究
發(fā)布時(shí)間:2020-11-19 21:45
氮化鎢(W_2N)薄膜是具有優(yōu)異機(jī)械性能的硬質(zhì)過(guò)渡金屬氮化物,在保護(hù)涂層、擴(kuò)散勢(shì)壘層等領(lǐng)域具有廣泛的應(yīng)用。本文采用磁控濺射法,通過(guò)改變襯底溫度、濺射功率、氬氮比率、濺射壓強(qiáng)等沉積參數(shù),分別在Si(100)、A_3O_4不銹鋼襯底上成功制備了結(jié)晶良好的W_2N薄膜。通過(guò)X射線衍射(XRD)、掃描電子顯微鏡、能量散射X射線光譜(EDX)、納米壓痕儀和高溫摩擦磨損實(shí)驗(yàn)計(jì)分別對(duì)薄膜的晶體結(jié)構(gòu)、表面形貌、成分組成、力學(xué)和摩擦學(xué)性能進(jìn)行表征。首先,利用射頻磁控濺射法制備了未摻雜的W_2N薄膜,所有的薄膜都顯示出了良好的結(jié)晶性,表面致密平整,均勻性良好,晶粒的平均尺寸在18-30 nm之間。通過(guò)優(yōu)化實(shí)驗(yàn)參數(shù)最終得到了(111)晶向擇優(yōu)生長(zhǎng)的W_2N薄膜的最佳制備條件:襯底溫度400℃、濺射功率120 W、氬氮比率20:6、沉積壓強(qiáng)0.5 Pa。在最佳制備條件下得到的W_2N薄膜表現(xiàn)出較大的硬度、較高的彈性模量和較低的磨損率,硬度為21.45 GPa,彈性模量是256.34 GPa,磨損率為5.170×10~(-6) mm~3/Nmm。然后,為了改善W_2N薄膜的力學(xué)和摩擦學(xué)性能,我們采用射頻和直流共濺射的方法制備了軟質(zhì)金屬Y和硬質(zhì)金屬Ti共摻雜的W_2N(Y-Ti:W_2N)薄膜。摻雜功率從OW升高到50 W,隨著濺射功率的改變,薄膜的擇優(yōu)生長(zhǎng)方向發(fā)生了變化,氮化鎢薄膜由未摻雜的(111)擇優(yōu)取向轉(zhuǎn)變?yōu)?200)擇優(yōu)取向。在摻雜功率升高至50 W時(shí)(200)衍射峰消失,薄膜呈現(xiàn)非晶狀態(tài)。隨著Y-Ti合金的摻入,薄膜的硬度變化不大,但是薄膜的摩擦學(xué)性能有所優(yōu)化,當(dāng)摻雜功率為20W時(shí),磨損率最低,為4.094X10~(-6) mm~3/Nmm。Y-Ti:W_2N薄膜的力學(xué)和摩擦學(xué)性能比未摻雜的W_2N薄膜有所改善。最后,采用射頻和直流共濺射方法又制備了軟質(zhì)金屬Y和硬質(zhì)金屬Cr共摻雜的W_2N(Y-Cr:W_2N)薄膜。隨著摻雜功率增加至20W時(shí),晶體的擇優(yōu)取向轉(zhuǎn)為(200)擇優(yōu)取向,當(dāng)濺射功率增加至30W以上時(shí),薄膜呈現(xiàn)非晶狀態(tài)。隨著金屬Y-Cr的摻入,薄膜的力學(xué)和摩擦學(xué)性能有了很大的改善。在摻雜功率為30 W時(shí),具有硬度最大值為23.71 GPa,此時(shí)樣品的彈性模量為256.34 GPa。在摻雜功率為20W時(shí)薄膜具有最小的磨損率為2.062×10~(-6) mm~3/Nmm。Y-Cr:W_2N薄膜的力學(xué)和摩擦學(xué)性能比Y-Ti:W_2N薄膜有所增強(qiáng)。
【學(xué)位單位】:延邊大學(xué)
【學(xué)位級(jí)別】:碩士
【學(xué)位年份】:2019
【中圖分類】:TB383.2;TQ136.13
【部分圖文】:
重要也是最方便的材料微結(jié)構(gòu)分析方法之一。通過(guò)對(duì)樣品進(jìn)行X射線衍射,分??析其衍射圖譜,獲得樣品內(nèi)部原子或分子的結(jié)構(gòu)和形態(tài)等信息。用XRD測(cè)量了??W2N薄膜的晶體結(jié)構(gòu),XRD基本原理如圖2.2所示:X射線在W2N薄膜的晶格??中產(chǎn)生相干散射進(jìn)而發(fā)生干涉作用,在衍射過(guò)程中滿足布拉格衍射方程#1:??2d!?sin?0?=?nX?,?(2.1)??其中A為X射線的波長(zhǎng),d為CMD晶面間距,0為布拉格衍射角,n為衍射級(jí)??數(shù)(n?=?1,2,3-)。晶面間距d與樣品有關(guān),是待測(cè)樣品的獨(dú)有參數(shù),根據(jù)樣品d??6??
木冷系統(tǒng)|?—?^?|?4?m空系錸??圖2.1:磁控濺射反應(yīng)腔室結(jié)構(gòu)及原理圖??2.2?W2N薄膜的表征??2.2.1?X射線衍射??任何一種晶體的晶面間距和相對(duì)強(qiáng)度是其晶體結(jié)構(gòu)的必然屬性,不同物質(zhì)混??雜在一起各自的衍射數(shù)據(jù)將會(huì)同時(shí)出現(xiàn),互不相干地疊加在一起,可根據(jù)各自的??衍射數(shù)據(jù)鑒定不同的物相,X射線衍射儀進(jìn)行物相分析是多種物相分析方法中最??重要也是最方便的材料微結(jié)構(gòu)分析方法之一。通過(guò)對(duì)樣品進(jìn)行X射線衍射,分??析其衍射圖譜,獲得樣品內(nèi)部原子或分子的結(jié)構(gòu)和形態(tài)等信息。用XRD測(cè)量了??W2N薄膜的晶體結(jié)構(gòu),XRD基本原理如圖2.2所示:X射線在W2N薄膜的晶格??中產(chǎn)生相干散射進(jìn)而發(fā)生干涉作用,在衍射過(guò)程中滿足布拉格衍射方程#1:??2d!?sin?0?=?nX?
到達(dá)襯底的靶材原子的數(shù)量減少,難以結(jié)晶成膜M。??根據(jù)(111)方向的衍射峰應(yīng)用公式(2.2)和(2.3)計(jì)算了?\V2N薄膜在不同??的氬氮比率下的晶格常數(shù)和晶粒尺寸(表3.2)。圖3.2為不同的氬氮比率下在Si??襯底上制備W2N薄膜的晶粒尺寸。由圖可以看出晶粒尺寸先增大后減小,在氬??氮比率為20:?6時(shí),衍射峰最尖銳,半高寬度出現(xiàn)最小值,晶粒尺寸出現(xiàn)最大值??11??
【參考文獻(xiàn)】
本文編號(hào):2890482
【學(xué)位單位】:延邊大學(xué)
【學(xué)位級(jí)別】:碩士
【學(xué)位年份】:2019
【中圖分類】:TB383.2;TQ136.13
【部分圖文】:
重要也是最方便的材料微結(jié)構(gòu)分析方法之一。通過(guò)對(duì)樣品進(jìn)行X射線衍射,分??析其衍射圖譜,獲得樣品內(nèi)部原子或分子的結(jié)構(gòu)和形態(tài)等信息。用XRD測(cè)量了??W2N薄膜的晶體結(jié)構(gòu),XRD基本原理如圖2.2所示:X射線在W2N薄膜的晶格??中產(chǎn)生相干散射進(jìn)而發(fā)生干涉作用,在衍射過(guò)程中滿足布拉格衍射方程#1:??2d!?sin?0?=?nX?,?(2.1)??其中A為X射線的波長(zhǎng),d為CMD晶面間距,0為布拉格衍射角,n為衍射級(jí)??數(shù)(n?=?1,2,3-)。晶面間距d與樣品有關(guān),是待測(cè)樣品的獨(dú)有參數(shù),根據(jù)樣品d??6??
木冷系統(tǒng)|?—?^?|?4?m空系錸??圖2.1:磁控濺射反應(yīng)腔室結(jié)構(gòu)及原理圖??2.2?W2N薄膜的表征??2.2.1?X射線衍射??任何一種晶體的晶面間距和相對(duì)強(qiáng)度是其晶體結(jié)構(gòu)的必然屬性,不同物質(zhì)混??雜在一起各自的衍射數(shù)據(jù)將會(huì)同時(shí)出現(xiàn),互不相干地疊加在一起,可根據(jù)各自的??衍射數(shù)據(jù)鑒定不同的物相,X射線衍射儀進(jìn)行物相分析是多種物相分析方法中最??重要也是最方便的材料微結(jié)構(gòu)分析方法之一。通過(guò)對(duì)樣品進(jìn)行X射線衍射,分??析其衍射圖譜,獲得樣品內(nèi)部原子或分子的結(jié)構(gòu)和形態(tài)等信息。用XRD測(cè)量了??W2N薄膜的晶體結(jié)構(gòu),XRD基本原理如圖2.2所示:X射線在W2N薄膜的晶格??中產(chǎn)生相干散射進(jìn)而發(fā)生干涉作用,在衍射過(guò)程中滿足布拉格衍射方程#1:??2d!?sin?0?=?nX?
到達(dá)襯底的靶材原子的數(shù)量減少,難以結(jié)晶成膜M。??根據(jù)(111)方向的衍射峰應(yīng)用公式(2.2)和(2.3)計(jì)算了?\V2N薄膜在不同??的氬氮比率下的晶格常數(shù)和晶粒尺寸(表3.2)。圖3.2為不同的氬氮比率下在Si??襯底上制備W2N薄膜的晶粒尺寸。由圖可以看出晶粒尺寸先增大后減小,在氬??氮比率為20:?6時(shí),衍射峰最尖銳,半高寬度出現(xiàn)最小值,晶粒尺寸出現(xiàn)最大值??11??
【參考文獻(xiàn)】
相關(guān)期刊論文 前4條
1 自興發(fā);楊雯;楊培志;鄧雙;彭柳軍;;濺射壓強(qiáng)對(duì)ITO/Cu_2O復(fù)合膜結(jié)構(gòu)和光學(xué)性能的影響[J];光電子·激光;2014年12期
2 梁俊才;穆健剛;張鳳戈;周武平;趙海波;;硬質(zhì)涂層用鍍膜靶材的研究[J];粉末冶金工業(yè);2014年02期
3 張宏斌;祝要民;趙勝利;;直流濺射沉積氧化鎳薄膜及結(jié)構(gòu)表征[J];真空;2009年01期
4 徐哲;席慧智;阮霞;;磁控濺射TiN薄膜工藝參數(shù)對(duì)顯微硬度的影響[J];應(yīng)用科技;2007年05期
本文編號(hào):2890482
本文鏈接:http://sikaile.net/guanlilunwen/gongchengguanli/2890482.html
最近更新
教材專著