超薄過渡金屬硫化物氣敏光敏傳感器件研究
【學位單位】:電子科技大學
【學位級別】:碩士
【學位年份】:2017
【中圖分類】:TP212;TB383.2
【部分圖文】:
每兩層 TMDCs 是一個重復單元,而另外兩種是亞穩(wěn)態(tài)結 2H 構型 MX2[16]。學性質:TMDCs 具有多種導電類型,涵蓋了從絕緣體到導S2是一種絕緣體[17],MoS2、WS2等屬于半導體[18],NbS2、導電性[19-21]。有些 TMDCs,如 NbSe2、TaS2等,在低溫環(huán)荷密度波和莫特轉變等性能[11, 12, 21-23]。對于二維的 TMDCs層甚至單層時,由于二維材料量子限域效應的作用,二維 T材料的電學特性。如圖 1-1(c)所示,以 MoS2為例,塊體狀態(tài)為 1.2 eV 的間接帶隙半導體,帶隙寬度如圖中 Eg′所示,帶隙寬度為 1.8 eV 的直接帶隙半導體,帶隙寬度如圖中 Eg所性質,當 WS2由塊體材料變?yōu)槎S材料時,其帶隙會展寬半導體[25, 26]。他性質:TMDCs 還具有良好的機械性能、電化學性能等,在感、儲能器件、析氫器件中有潛在的應用[10, 25, 27-30]。這些DCs 在諸多領域有著廣泛應用,成為當前的熱點研究材料。
TMDCs 制備方法概述維 TMDCs 材料是研究其性質的基礎,受機械剝離石墨烯的Cs 二維材料,主要采用機械剝離的方法[8, 32],為了滿足大面要,人們研究出多種合成方法,包括液相剝離法[32-34]、化[15, 35-39]和原子層沉積(ALD)法等[40, 41],具體如下:械剝離法:因為 TMDCs 每層薄膜之間結合力較弱,采用的方法,可以從塊體材料中直接剝離出薄膜,采用這種―自備高結晶性的二維 TMDCs 材料。K. S. Novoselov 等人發(fā)現(xiàn)硬質襯底上摩擦,可以在劃痕中得到單層的二維材料,且用此方法,制備了不同種類的納米片,如圖 1-2 所示,為制備i2Sr2CaCuOx和 MoS2二維材料圖片。雖然機械剝離的方法能層、純凈的 TMDCs 二維材料,為研究二維材料提供了良好的離法也存在一些缺點,如無法得到大面積薄膜、重復性不
電子科技大學碩士學位論文2)液相剝離法:將 TMDCs 粉末分散在有機溶劑或者有機溶劑的混合甲基-2-吡咯烷酮(NMP)、異丙醇、二甲基甲酰胺(DMF)、丁內酯等,輔助,可以大量地制備 TMDCs 納米片,之后通過離心等操作,可以大小的納米片進行初步分離,便于后續(xù)使用[2, 6, 32, 42-47]。另外,通過,可以提高制備材料的效率和質量,如圖 1-3 所示,將金屬 Li 片作為 TMDCs 作為陰極,液體環(huán)境中通過加電壓,有助于使 Li+進入 TM,之后通過超聲作用,可以將塊體 TMDCs 剝離成納米片。其中的方面的作用:一方面,嵌入的 Li+可以擴大 TMDCs 層間的間距,有德瓦爾斯力;另一方面,Li+在放電的過程中可以與水反應生成 LiOH以將相鄰的兩層 TMDCs 推開,有利于形成二維材料。與機械剝離離納米片的方法可以大量制備 TMDCs 二維材料,便于通過旋涂等工備,適用于電池、光解水等領域。但該方法也存在一定的缺點,如利于大面積制備等,不適用基于微細加工技術的高性能電子器件等領
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本文編號:2876905
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