【摘要】：隨著電子設備向小型化、高頻化、集成化發(fā)展,很多產(chǎn)品的工作頻率已經(jīng)到達GHz以上。高頻微波集成器件在運行的過程中,會形成極其復雜的電磁環(huán)境,從而導致電磁干擾問題的產(chǎn)生,使用噪聲抑制材料可以方便有效地解決此類問題。良好的噪聲抑制性能,需要高的磁導率引起的高磁損耗。本文通過建立合金微粉/粘結(jié)劑復合材料模型,討論了片狀吸收劑的體積含量、取向、空間分布及扁平率對復合材料等效磁導率的影響。采用流延工藝制備出了GHz寬頻帶電磁噪聲抑制片,研究了磁導率及厚度對噪聲抑制性能的影響。具體內(nèi)容如下:(1)利用Landau-Lifshitz-Gilbert方程計算模擬了飽和磁化強度M_s、磁各向異性場H_e和阻尼系數(shù)α對合金微粉本征磁導率的影響規(guī)律;針對片狀化合金微粉,運用修正后的Bruggeman方程研究其扁平率對合金微粉/聚合物基體復合材料等效磁導率的影響規(guī)律。(2)通過電磁仿真軟件進行建模分析,研究鐵磁性片狀顆粒嵌入非磁性基體的體積含量、取向及顆粒扁平化程度對等效磁導率的影響。仿真結(jié)果顯示:復合材料的等效磁導率隨著顆粒填充比的增加而增加,而且相較于顆粒的團聚狀態(tài),片狀顆粒的均勻平行分布有利于獲得更高的磁導率;在均勻平行分布的基礎上,取向角度θ=0°時,復合物具有最大的磁導率虛部;在0.3-9GHz頻段內(nèi),片狀顆粒的扁平化程度越高,復合物的磁導率虛部越大,并且共振峰向低頻移動。(3)將仿真與實驗相結(jié)合,分析微帶線上噪聲抑制片的尺寸及磁導率對噪聲抑制性能的影響,結(jié)果表明:微帶線上大部分電磁波能量在水平和垂直方向均分布在一定范圍(寬20mm,厚0.8mm),超出范圍后繼續(xù)增大尺寸,對抑制性能的提升不明顯;通過流延工藝制備噪聲抑制片樣品,隨著磁導率的增加,樣品的功率損耗比增大,并且衰減頻帶向低頻展寬;磁粉含量為85wt%,厚度為0.2mm的復合膜的功率損耗比在1.4-6.4GHz范圍內(nèi)達到0.9,在2.7GHz處達到了0.97,滿足了GHz寬頻帶電磁噪聲抑制片的應用需求。
【圖文】：

圖1-1 IEC 62333傳輸功率損耗比Rtp測試示意圖研究現(xiàn)狀Yoshida 等人[11]報道，，鐵磁性材料分散在高聚物基體流線附近能有效地抑制電磁噪聲，眾多學者們開始了了眾多研究成果。制片屬于非集成型的，通常由鐵磁性片狀微粉或高長形成。K.H.Kim 等人[18]使用電爆炸方法制備的 Fe 成非集成型噪聲抑制片，鐵基納米粉填充比為 50wt在通帶處較低，10GHz 處的 Ploss/Pin達到 60%以上e-Si-Al 合金和聚合物復合制備出 NSS，研究了樣品，發(fā)現(xiàn)隨著厚度或密度的增加，樣品的噪聲抑制性璃包覆非晶 CoFeSiBCr 絲材為填充物，研究了絲材

的損耗磁場作用時，疇壁會在其平衡點附近振動。頻率相同時，產(chǎn)生的共振現(xiàn)象，可分為弛豫時，μ 達到極大值時，μ 下降為初始磁導率磁導率表現(xiàn)為 μ =1，μ 達到極大值。作用下，鐵磁體內(nèi)部的磁化強度 M 因為擾角，并且旋繞著 Heff進動，進動示意圖如圖ilbert 方程給出effsd M d MM H Mdt M dt （ ） （ ） ，Heff為等效磁各向異性場， 為阻尼系數(shù)
【學位授予單位】：華中科技大學
【學位級別】：碩士
【學位授予年份】：2018
【分類號】：TB535

【參考文獻】

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1 陳波;戴雨蘭;劉貴發(fā);馮則坤;;Fe-Si-Al系噪聲抑制片的傳導噪聲抑制特性研究[J];壓電與聲光;2011年05期

2 張俊峰;陳征;張宏浩;劉天成;李德仁;盧志超;周少雄;;絲材含量對Co基玻璃包覆非晶絲復合膜微波噪聲抑制特性的影響[J];材料導報;2011年18期

3 宇野麻由子;南庭;;悄然出現(xiàn)的IGHz以上高頻噪聲[J];電子設計應用;2009年10期

4 王添文;李子森;;電磁干擾噪聲抑制片應用介紹[J];裝備環(huán)境工程;2008年01期

5 譚銳;電磁干擾(EMI)抑制技術(shù)[J];磁性材料及器件;2000年01期

6 周荷琴,馮雷,郭永剛;用屏蔽珠抑制高頻電磁干擾[J];電子技術(shù)應用;1999年01期

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1 羅輝;多元復合吸波材料電磁特性研究[D];華中科技大學;2016年

2 張俊峰;圓截面非晶細絲復合材料微波噪聲抑制特性的研究[D];鋼鐵研究總院;2012年

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本文編號：2642984