【摘要】：采用襯底加熱濺射銅鋅錫硫(CZTS)四元化合物單靶制備CZTS薄膜,并研究原位退火對制備薄膜的影響.結(jié)果表明:在濺射結(jié)束后快速升溫并保持一段時間,所得到的樣品相比于未原位退火的CZTS薄膜結(jié)晶質(zhì)量更好,且表面更平整致密;原位退火后的CZTS薄膜太陽電池性能參數(shù)也相應(yīng)地有所提升,其開路電壓(V_(OC))為575 mV,短路電流密度(J_(SC))為8.32 mA/cm~2,光電轉(zhuǎn)換效率達到1.82%.
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【作者單位】： 云南師范大學(xué)太陽能研究所可再生能源材料先進技術(shù)與制備教育部重點實驗室云南省農(nóng)村能源工程重點實驗室;
【基金】：國家自然科學(xué)基金(批準(zhǔn)號:61774130,11474248,61176127,61006085) 國際科技合作重點項目(批準(zhǔn)號:2011DFA62380) 教育部博士點基金(批準(zhǔn)號:20105303120002)資助的課題~~
【分類號】：O484

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本文編號：2473843