本文選題：光致發(fā)光 + 碳氧化硅�。� 參考：《發(fā)光學(xué)報(bào)》2017年09期

【摘要】：采用甚高頻等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積技術(shù),以SiH_4、CH_4和O_2作為反應(yīng)氣源,通過(guò)調(diào)控O2流量在250℃下制備強(qiáng)光發(fā)射的非晶SiC_xO_y薄膜。利用光致發(fā)光光譜、熒光瞬態(tài)譜、Raman光譜、X射線(xiàn)光電子能譜及紅外吸收譜對(duì)薄膜的光學(xué)性質(zhì)和微結(jié)構(gòu)進(jìn)行表征與分析,進(jìn)而討論其可調(diào)可見(jiàn)光發(fā)射機(jī)制。實(shí)驗(yàn)結(jié)果表明,SiC_xO_y薄膜發(fā)光性質(zhì)與薄膜中的氧組分密切相關(guān)。隨著薄膜中氧組分的增加,其發(fā)光峰位由橙紅光逐漸向藍(lán)光移動(dòng),肉眼可見(jiàn)強(qiáng)的可見(jiàn)光發(fā)射。熒光瞬態(tài)譜分析表明,薄膜的熒光壽命在納秒范圍。結(jié)合X射線(xiàn)光電子能譜和紅外吸收譜對(duì)薄膜的相結(jié)構(gòu)和化學(xué)鍵合結(jié)構(gòu)進(jìn)行分析,結(jié)果表明薄膜的主要相結(jié)構(gòu)和發(fā)光中心隨O_2流量的變化是其可調(diào)光發(fā)射的主要原因。
[Abstract]:The amorphous sic _ XO _ XO _ y thin films with strong light emission were prepared by VHF plasma enhanced chemical vapor deposition (VHF) technique using SiH _ 4 CHS _ 4 and O _ s _ 2 as reaction gas sources at 250 鈩，

本文編號(hào)：2090739