本文選題：碳硅氧薄膜 + 磁控濺射�。� 參考：《人工晶體學報》2017年08期

【摘要】：采用射頻磁控濺射技術在玻璃基底和單晶硅片(100)上制備了碳硅氧(Si OC)薄膜,通過掃描電鏡、X射線衍射、拉曼光譜、X射線光電子能譜及紫外可見透射光譜等技術手段對其進行了分析,研究了在不同濺射氣壓下所制備薄膜的組分、透過率及光學帶隙。結果表明:隨著濺射氣壓的增大,薄膜內部sp~3鍵含量、透過率及光學帶隙均隨之增大,sp~3鍵及其形成的寬帶隙σ鍵對薄膜光學帶隙有著較大影響。在濺射氣壓為3.0 Pa的條件下,薄膜光學帶隙為2.67 e V。
[Abstract]:Carbon silicon oxide (sic) thin films were prepared on glass substrates and single crystal silicon substrates by RF magnetron sputtering technique. The films were characterized by scanning electron microscopy (SEM) and X-ray diffraction (XRD). Raman spectra, X-ray photoelectron spectroscopy (XPS) and UV-Vis transmission spectroscopy were used to study the composition, transmittance and optical band gap of the films prepared at different sputtering pressures. The results show that with the increase of sputtering pressure, the content of sp~3 bond, the transmittance and the optical band gap increase with the increase of sputtering pressure. At the sputtering pressure of 3.0 Pa, the optical band gap of the film is 2.67 EV.
【作者單位】： 海南大學材料與化工學院;南海海洋資源利用國家重點實驗室;海南省特種玻璃重點實驗室;海南中航特�？萍加邢薰�;
【基金】：國家自然科學基金(51562008) 國家重點研發(fā)計劃項目(2016YFC0700804) 海南省重點研發(fā)計劃項目(ZDYF2016017)
【分類號】：TB383.2

【相似文獻】

相關期刊論文 前2條

1 秦毅;趙婷;王波;楊建鋒;;PECVD沉積和原位退火時間對h-BN薄膜組成及光學帶隙的影響[J];無機材料學報;2014年07期

2 張紹巖;肖霄;任蕾;張云霄;;α-AgVO_3微米棒的制備及光吸收性能[J];人工晶體學報;2011年04期

相關碩士學位論文 前1條

1 張鴻;多鐵性BiFeO_3基納米顆粒的制備和物理性能的研究[D];天津大學;2015年

，

本文編號：2026485