本文選題：碳硅氧薄膜 + 磁控濺射��； 參考：《人工晶體學(xué)報(bào)》2017年08期

【摘要】：采用射頻磁控濺射技術(shù)在玻璃基底和單晶硅片(100)上制備了碳硅氧(Si OC)薄膜,通過(guò)掃描電鏡、X射線衍射、拉曼光譜、X射線光電子能譜及紫外可見(jiàn)透射光譜等技術(shù)手段對(duì)其進(jìn)行了分析,研究了在不同濺射氣壓下所制備薄膜的組分、透過(guò)率及光學(xué)帶隙。結(jié)果表明:隨著濺射氣壓的增大,薄膜內(nèi)部sp~3鍵含量、透過(guò)率及光學(xué)帶隙均隨之增大,sp~3鍵及其形成的寬帶隙σ鍵對(duì)薄膜光學(xué)帶隙有著較大影響。在濺射氣壓為3.0 Pa的條件下,薄膜光學(xué)帶隙為2.67 e V。
[Abstract]:Carbon silicon oxide (sic) thin films were prepared on glass substrates and single crystal silicon substrates by RF magnetron sputtering technique. The films were characterized by scanning electron microscopy (SEM) and X-ray diffraction (XRD). Raman spectra, X-ray photoelectron spectroscopy (XPS) and UV-Vis transmission spectroscopy were used to study the composition, transmittance and optical band gap of the films prepared at different sputtering pressures. The results show that with the increase of sputtering pressure, the content of sp~3 bond, the transmittance and the optical band gap increase with the increase of sputtering pressure. At the sputtering pressure of 3.0 Pa, the optical band gap of the film is 2.67 EV.
【作者單位】： 海南大學(xué)材料與化工學(xué)院;南海海洋資源利用國(guó)家重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室;海南省特種玻璃重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室;海南中航特�？萍加邢薰�;
【基金】：國(guó)家自然科學(xué)基金(51562008) 國(guó)家重點(diǎn)研發(fā)計(jì)劃項(xiàng)目(2016YFC0700804) 海南省重點(diǎn)研發(fā)計(jì)劃項(xiàng)目(ZDYF2016017)
【分類號(hào)】：TB383.2

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本文編號(hào)：2026485