磁過(guò)濾真空陰極電弧技術(shù)弧電流對(duì)四面體非晶碳薄膜性能的影響
本文選題:弧電流 + Ta-C薄膜 ; 參考:《真空科學(xué)與技術(shù)學(xué)報(bào)》2017年12期
【摘要】:研究了磁過(guò)濾陰極真空電弧技術(shù)中不同弧電流(20~100 A),制備的四面體非晶碳薄膜性能的影響。通過(guò)對(duì)薄膜厚度、薄膜硬度、表面形貌以及sp3鍵含量隨弧電流的變化結(jié)果進(jìn)行了測(cè)試。結(jié)果表明,當(dāng)弧電流從20增大至100 A,表征薄膜sp雜化碳含量的ID/IG從0.212增加到1.18,顯示制備薄膜的sp3鍵含量逐漸減少,同時(shí)sp2鍵在逐漸增加。隨著弧電流值上升,薄膜硬度增加,表明其值與弧電流值呈正相關(guān)性,高的弧電流使通過(guò)磁過(guò)濾器的大顆粒等離子體數(shù)增加,從而薄膜表面形貌易于沉積大顆粒,導(dǎo)致薄膜表面質(zhì)量下降。因此,選擇合適的弧電流值可優(yōu)化Ta-C薄膜制備工藝,本文研究?jī)?nèi)容為工業(yè)應(yīng)用中通過(guò)弧電流調(diào)整優(yōu)化膜層綜合性能提供參考。
[Abstract]:The effect of different arc currents on the properties of tetrahedral amorphous carbon films prepared by magnetically filtered cathode vacuum arc technique was studied. The changes of thickness, hardness, surface morphology and sp3 bond content with arc current were measured. The results show that when the arc current increases from 20 to 100A, the ID- / IG, which characterizes the carbon content of sp hybrid, increases from 0.212 to 1.18, which shows that the sp3 bond content of the prepared films decreases and the sp2 bond increases gradually. With the increase of arc current value, the hardness of the film increases, which indicates that its value is positively correlated with the arc current value, and the high arc current increases the number of plasma particles passing through the magnetic filter, thus the surface morphology of the film is easy to deposit large particles. The surface quality of the film decreases. Therefore, the preparation process of Ta-C thin films can be optimized by choosing the appropriate arc current value. This paper provides a reference for optimizing the comprehensive properties of Ta-C films by arc current adjustment in industrial applications.
【作者單位】: 合肥工業(yè)大學(xué)機(jī)械工程學(xué)院;合肥工業(yè)大學(xué)汽車與交通工程學(xué)院;
【分類號(hào)】:TB383.2
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,本文編號(hào):2023388
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