本文選題：AZO薄膜 + 磁控濺射　； 參考：《化工新型材料》2017年08期

【摘要】：采用磁控濺射法在石英玻璃襯底上制備不同鋁(Al)摻雜量的鋁摻氧化鋅(AZO)薄膜。利用X射線衍射儀、原子力顯微鏡、四探針測試儀和透射光譜儀等手段研究了不同Al摻雜量對AZO薄膜結(jié)構(gòu)、形貌、電學(xué)和光學(xué)性能的影響。結(jié)果表明,所有樣品均為ZnO六方纖鋅礦晶體結(jié)構(gòu),具有較好的c軸擇優(yōu)取向;隨著Al摻雜量的增加,薄膜結(jié)晶稍有變差,電阻率逐漸降低,透過率逐漸增加。當(dāng)Al摻含量為3%(vol,體積分?jǐn)?shù))時,AZO薄膜的綜合性能更好,電阻率約3.52×10~(-3)Ω·cm,平均透光率可達(dá)到80%,光學(xué)禁帶寬度達(dá)到3.23eV。
[Abstract]:Aluminum doped Zinc Oxide (AZO) films with different aluminum (Al) doping amount were prepared on quartz glass substrates by magnetron sputtering. The effects of different doping amount of Al on the structure, morphology, electrical and optical properties of AZO films were investigated by means of X ray diffractometer, atomic force microscopy, four probe tester and transmission spectrometer. The crystal structure of ZnO six wurtzite has a good c axis preferred orientation. With the increase of Al doping, the film crystallinity is slightly worse, the resistivity decreases and the transmittance increases gradually. When the content of Al is 3% (Vol, volume fraction), the comprehensive performance of the film is better, the resistivity is about 3.52 x 10~ (-3) Omega cm, and the average transmittance can reach 80%. The width of optical band gap reaches 3.23eV.
【作者單位】： 遼寧工業(yè)大學(xué)材料科學(xué)與工程學(xué)院;
【基金】：國家教育部重點(diǎn)項目(2012031) 遼寧省自然科學(xué)基金(2015020215) 遼寧省高校優(yōu)秀人才計劃(LJQ2015050) 遼寧省高等學(xué)校創(chuàng)新團(tuán)隊(LT2013014)
【分類號】：TB383.2

【相似文獻(xiàn)】

相關(guān)期刊論文 前10條

1 馬元遠(yuǎn);王德苗;金浩;鄭建潮;;工藝參數(shù)對磁控濺射金屬化薄膜性能的影響[J];真空;2008年04期

2 李麗;吳衛(wèi);金永中;于越;;磁控濺射鈦膜的沉積過程及表面形貌研究[J];西華大學(xué)學(xué)報(自然科學(xué)版);2009年02期

3 肖立娟;李長山;郝嘉偉;趙鶴平;;磁控濺射功率對摻鋁氧化鋅薄膜特性的影響[J];新材料產(chǎn)業(yè);2012年03期

4 張曄;胡江華;;鐵氧體基材上磁控濺射可焊性薄膜[J];新技術(shù)新工藝;2008年08期

5 王鴻;王金淑;李春;李洪義;;磁控濺射參數(shù)對鈦薄膜結(jié)構(gòu)及陽極氧化的影響[J];北京工業(yè)大學(xué)學(xué)報;2013年02期

6 楊名宇;陳敏;李長敏;張慶瑜;;磁控濺射羥基磷灰石薄膜的研究現(xiàn)狀與展望[J];材料導(dǎo)報;2006年04期

7 佟洪波;柳青;;磁控濺射制備AlN薄膜的蒙特卡羅模擬[J];表面技術(shù);2009年03期

8 劉英軍;田霰;;PVD磁控濺射涂層的質(zhì)量控制[J];中國包裝工業(yè);2012年07期

9 林楊歡;李明華;沈輝;;中頻磁控濺射制備非晶硅薄膜的工藝研究及表征[J];太陽能學(xué)報;2012年02期

10 傅宇東;王剛;劉臣;孟祥龍;;磁控濺射制備納米Ni-Ti薄膜工藝研究[J];稀有金屬材料與工程;2007年S1期

相關(guān)會議論文 前10條

1 鄭華;劉實(shí);于洪波;王隆保;施力群;劉超卓;;磁控濺射方法制備含氦鈦膜及氦的熱解吸研究[A];第八屆全國核靶技術(shù)學(xué)術(shù)交流會論文摘要集[C];2004年

2 王成彪;于翔;劉陽;于德洋;呂建國;;三種中頻對靶磁控濺射類金剛石膜的性能比較[A];第六屆全國表面工程學(xué)術(shù)會議論文集[C];2006年

3 王成彪;于翔;劉陽;于德洋;呂建國;;三種中頻對靶磁控濺射類金剛石膜的性能比較[A];第六屆全國表面工程學(xué)術(shù)會議暨首屆青年表面工程學(xué)術(shù)論壇論文集[C];2006年

4 霍純青;陳強(qiáng);孫運(yùn)金;岳蕾;張躍飛;劉福平;;磁控濺射制備硅鋁阻隔膜的研究[A];第十一屆全國包裝工程學(xué)術(shù)會議論文集（一）[C];2007年

5 王建強(qiáng);沈輝;汪保衛(wèi);;O／N比率對磁控濺射制備TiN_xO_y薄膜光學(xué)性質(zhì)的影響[A];納米材料與技術(shù)應(yīng)用進(jìn)展——第四屆全國納米材料會議論文集[C];2005年

6 劉壯;林晶;孫智慧;;等離子輔助磁控濺射陶瓷薄膜阻隔機(jī)理的研究(英文)[A];真空技術(shù)與表面工程——第九屆真空冶金與表面工程學(xué)術(shù)會議論文集[C];2009年

7 劉壯;林晶;孫志輝;;等離子輔助磁控濺射陶瓷薄膜阻隔機(jī)理的研究[A];第九屆真空冶金與表面工程學(xué)術(shù)會議論文摘要集[C];2009年

8 李劍鋒;周福云;劉剛;王兆松;李國卿;;磁控濺射制備W-Al_2O_3太陽能選擇性吸收涂層[A];TFC’09全國薄膜技術(shù)學(xué)術(shù)研討會論文摘要集[C];2009年

9 陳省區(qū);王德苗;趙歡暢;蘇達(dá);任高潮;;磁控濺射制備抗EMI膜的研究[A];TFC'07全國薄膜技術(shù)學(xué)術(shù)研討會論文摘要集[C];2007年

10 余平;張勇;張晉敏;;磁控濺射制備薄膜材料[A];中國真空學(xué)會2006年學(xué)術(shù)會議論文摘要集[C];2006年

相關(guān)博士學(xué)位論文 前3條

1 孟凡平;低溫磁控濺射制備高性能AZO薄膜研究[D];中國科學(xué)院寧波材料技術(shù)與工程研究所;2016年

2 楊雨晨;磁控濺射放電等離子體與非蒸發(fā)型吸氣薄膜[D];華中科技大學(xué);2016年

3 楊萌萌;鉿基高K及更高K氧化物在Si及InP上的沉積和性能研究[D];北京有色金屬研究總院;2013年

相關(guān)碩士學(xué)位論文 前10條

1 劉毅;射頻、甚高頻驅(qū)動的雙頻濺射等離子體性能研究[D];蘇州大學(xué);2015年

2 唐麗麗;β-SiC粉體表面改性銅膜的制備及表征[D];佳木斯大學(xué);2015年

3 彭軍;磁控濺射Cu_2O-TFT的制備及性能研究[D];電子科技大學(xué);2014年

4 何源源;Cu納米薄膜的制備及其光電性能研究[D];河南工業(yè)大學(xué);2016年

5 李海兵;柔性太陽能高反射材料的制備關(guān)鍵技術(shù)與性能研究[D];華南理工大學(xué);2016年

6 程學(xué)強(qiáng);稀土元素Gd摻雜TiO_2薄膜結(jié)構(gòu)及其性能研究[D];大連理工大學(xué);2016年

7 李晶;磁控濺射制備ZnO基透明導(dǎo)電襯底材料的研究[D];沈陽建筑大學(xué);2016年

8 黃曼;磁控濺射TiAlSiN硬質(zhì)膜氧化性能研究[D];沈陽理工大學(xué);2016年

9 張濟(jì);磁控濺射CrAlSiN硬質(zhì)膜高溫性能研究[D];沈陽理工大學(xué);2016年

10 金龍;水助法碳納米管生長中Al_2O_3緩沖層的磁控濺射制備及其工藝優(yōu)化[D];華中科技大學(xué);2015年

，

本文編號：2011034