本文選題：非線性磁電耦合 + 耦變存儲(chǔ)器�。� 參考：《中國(guó)科學(xué)院大學(xué)(中國(guó)科學(xué)院物理研究所)》2017年碩士論文

【摘要】：近年來(lái),隨著信息技術(shù)的發(fā)展,通用型非易失性存儲(chǔ)器逐漸成為了信息和材料等領(lǐng)域的研究熱點(diǎn)。其中,耦變存儲(chǔ)器(TCRAM)是基于非線性磁電耦合效應(yīng)的一類(lèi)新型非易失性存儲(chǔ)器。其主要是由鐵電和磁性材料復(fù)合而成的多鐵性異質(zhì)結(jié)構(gòu)成,利用異質(zhì)結(jié)不同的磁電耦合系數(shù)狀態(tài)來(lái)存儲(chǔ)信息,正、負(fù)磁電耦合系數(shù)可作為耦變存儲(chǔ)器的兩個(gè)可區(qū)分狀態(tài),用于存儲(chǔ)二進(jìn)制信息中的“0”和“1”。通過(guò)施加脈沖電場(chǎng),以改變鐵電材料的極化狀態(tài)來(lái)寫(xiě)入信息;通過(guò)讀取異質(zhì)結(jié)磁電耦合系數(shù)來(lái)讀取信息。它具有結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單,讀取非破壞性,功耗低等優(yōu)點(diǎn)。此外,以柔性薄膜制備的器件由于具有獨(dú)特的柔韌性、延展性、便攜性等優(yōu)點(diǎn),在智能可穿戴器件領(lǐng)域具有很大的應(yīng)用前景。因此,本論文選擇基于P(VDF-TrFE)柔性薄膜的有機(jī)磁電耦合異質(zhì)結(jié)作為研究對(duì)象,實(shí)現(xiàn)有機(jī)柔性非易失耦變存儲(chǔ)器。首先,我們采用溶膠-凝膠法,制備了P(VDF-TrFE)/Metglas有機(jī)磁電耦合異質(zhì)結(jié),并對(duì)其進(jìn)行了系統(tǒng)的磁電耦合性能研究。在特定的直流磁場(chǎng)偏置下,通過(guò)施加合適的脈沖電場(chǎng),來(lái)改變P(VDF-TrFE)/Metglas中鐵電層的極化狀態(tài),以實(shí)現(xiàn)兩個(gè)不同磁電耦合系數(shù)的狀態(tài),且這些不同磁電耦合系數(shù)的狀態(tài)可被多次重復(fù)地反轉(zhuǎn)。進(jìn)而,通過(guò)施加四個(gè)合適的脈沖電場(chǎng),來(lái)改變P(VDF-TrFE)/Metglas中鐵電層的極化狀態(tài),以實(shí)現(xiàn)四個(gè)不同磁電耦合系數(shù)的狀態(tài),且這些不同磁電耦合系數(shù)的狀態(tài)可被多次重復(fù)地寫(xiě)入。從而證明了P(VDF-TrFE)/Metglas有機(jī)磁電耦合異質(zhì)結(jié)可作為多態(tài)耦變存儲(chǔ)器件的可行性。然后,為了實(shí)現(xiàn)零偏置磁場(chǎng)下的非易失性存儲(chǔ),我們利用Ni去代替Metglas磁性層,得到了P(VDF-TrFE)/Ni有機(jī)磁電耦合異質(zhì)結(jié)。由于Ni層較大的剩余磁矩及磁致伸縮特性,P(VDF-TrFE)/Ni的磁電耦合系數(shù)在零偏置磁場(chǎng)下依舊可以被脈沖電場(chǎng)所反轉(zhuǎn)。選定合適的脈沖電場(chǎng),在零偏置磁場(chǎng)下實(shí)現(xiàn)了多態(tài)的非易失性存儲(chǔ)。相較于P(VDF-TrFE)/Metglas有機(jī)磁電耦合異質(zhì)結(jié),極大地簡(jiǎn)化了P(VDF-TrFE)/Ni存儲(chǔ)器的讀取結(jié)構(gòu),從而降低了能耗�？傊�,我們?cè)赑(VDF-TrFE)柔性薄膜的有機(jī)磁電耦合異質(zhì)結(jié)中實(shí)現(xiàn)了非易失耦變多態(tài)存儲(chǔ),為耦變存儲(chǔ)器在柔性電子學(xué)的應(yīng)用奠定了基礎(chǔ)。
[Abstract]:In recent years , with the development of information technology , universal non - volatile memory has become a hot topic in the fields of information and material .
【學(xué)位授予單位】：中國(guó)科學(xué)院大學(xué)(中國(guó)科學(xué)院物理研究所)
【學(xué)位級(jí)別】：碩士
【學(xué)位授予年份】：2017
【分類(lèi)號(hào)】：TP333;TB383.2

【參考文獻(xiàn)】

相關(guān)期刊論文 前2條

1 尚大山;柴一晟;曹則賢;陸俊;孫陽(yáng);;Toward the complete relational graph of fundamental circuit elements[J];Chinese Physics B;2015年06期

2 尚大山;孫繼榮;沈保根;Wuttig Matthias;;Resistance switching in oxides with inhomogeneous conductivity[J];Chinese Physics B;2013年06期

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本文編號(hào)：1949677