本文選題：復(fù)合薄膜 + 鐵電性�。� 參考：《內(nèi)蒙古大學(xué)》2017年碩士論文

【摘要】：進(jìn)入新世紀(jì)以來,多鐵材料獲得了飛速發(fā)展,在新型信息存儲器、傳感器和光電材料等多個領(lǐng)域有著極佳的應(yīng)用前景。鉍基氧化物BiFeO_3作為多鐵材料的代表之一,理論上存在較高的光電轉(zhuǎn)換效率和反常的光伏效應(yīng),使其成為材料界的研究熱點。然而,由于BiFeO_3材料自身存在成膜質(zhì)量差、漏電流大、光電轉(zhuǎn)換效率低等一些缺點,其鐵電性能和光伏性能還有待于提高。本文使用形成復(fù)合薄膜材料的方法,成功的制備了 BiFeO_3/BiVO_4復(fù)合薄膜,對其微觀結(jié)構(gòu)、鐵電特性以及光伏特性等一系列性能進(jìn)行了表征。結(jié)果發(fā)現(xiàn),BiFeO_3/BiVO_4復(fù)合薄膜形成了結(jié)晶程度良好的多晶薄膜,具有良好的漏電特性和介電特性。同時光學(xué)特性得到了很好的改善,其光伏效應(yīng)能夠在一個較寬波長范圍內(nèi)得到,并且光伏的譜響應(yīng)向著可見光區(qū)域發(fā)生了明顯的紅移現(xiàn)象。本文通過引入LaNiO_3緩沖層的方法,在Si(100)基片上成功的制備了 LaNiO_3作為底電極的BiFeO_3薄膜,隨后深入的分析和討論LaNiO_3緩沖層的引入對BiFeO_3薄膜結(jié)構(gòu)以及性能所產(chǎn)生的影響。研究結(jié)果發(fā)現(xiàn),使用LaNiO_3氧化物作為底電極,實現(xiàn)了鐵電薄膜的擇優(yōu)生長,大大減少了漏電流,進(jìn)而提升了鐵電薄膜的鐵電性能。
[Abstract]:Since the beginning of the new century, multi-iron materials have been rapidly developed, and have a good application prospect in many fields, such as new information memory, sensors and optoelectronic materials.Bismuth based oxide (BiFeO_3), as one of the representative of multi-iron materials, has high photoelectric conversion efficiency and abnormal photovoltaic effect in theory, which makes it a research hotspot in material field.However, the ferroelectric properties and photovoltaic properties of BiFeO_3 materials need to be improved due to their poor film forming quality, large leakage current and low photoelectric conversion efficiency.In this paper, BiFeO_3/BiVO_4 composite films were successfully prepared by the method of forming composite thin films. The microstructure, ferroelectric properties and photovoltaic properties of BiFeO_3/BiVO_4 composite films were characterized.The results show that BiFeO _ 3 / BiVOS _ 4 composite thin films form polycrystalline films with good crystallinity and good leakage and dielectric properties.At the same time, the optical properties are improved very well, the photovoltaic effect can be obtained in a wide wavelength range, and the spectral response of the photovoltaic is redshift to the visible region.In this paper, the BiFeO_3 thin films with LaNiO_3 as the bottom electrode were successfully prepared on the Si-100 substrate by introducing the LaNiO_3 buffer layer. The effect of the LaNiO_3 buffer layer on the structure and properties of the BiFeO_3 thin films was analyzed and discussed in detail.The results show that the preferential growth of ferroelectric thin films is realized by using LaNiO_3 oxide as the bottom electrode, and the leakage current is greatly reduced, and the ferroelectric properties of the ferroelectric thin films are improved.
【學(xué)位授予單位】：內(nèi)蒙古大學(xué)
【學(xué)位級別】：碩士
【學(xué)位授予年份】：2017
【分類號】：O484

【相似文獻(xiàn)】

相關(guān)期刊論文 前10條

1 王友善;謝志民;杜星文;;柔性復(fù)合薄膜折疊損傷實驗研究[J];哈爾濱工業(yè)大學(xué)學(xué)報;2006年08期

2 王麗;石敏;周國慶;左如忠;許育東;蘇海林;伍光;于桂洋;于濤;;2-2型磁電復(fù)合薄膜材料研究現(xiàn)狀[J];金屬功能材料;2010年06期

3 王士林;;復(fù)合薄膜封口機(jī)介紹[J];上海包裝;1985年01期

4 王士林;;三、復(fù)合薄膜用于土產(chǎn)、食品時的選擇[J];上海包裝;1985年04期

5 李淑蘭;;對843復(fù)合薄膜的剖析[J];防腐與包裝;1986年01期

6 周潮生;;羅伯遜湖工程采用土工復(fù)合薄膜建壩的計劃[J];浙江水利科技;1989年03期

7 何煒德;何芳草;;共擠復(fù)合薄膜[J];中國包裝;1989年03期

8 吳廷祿;陳永芬;周明初;;包裝用復(fù)合薄膜技術(shù)及其應(yīng)用[J];包裝工程;1990年04期

9 馬桂善;;五層共擠出復(fù)合薄膜的加工及應(yīng)用[J];中國包裝;1991年01期

10 ;復(fù)合薄膜專業(yè)委員會95年會專欄　前言[J];塑料包裝;1996年03期

相關(guān)會議論文 前10條

1 高學(xué)文;;多層共擠出復(fù)合薄膜晶點解析[A];中國包裝技術(shù)協(xié)會研討推廣會暨塑料包裝委員會第六屆第三次年會論文集[C];2004年

2 密永娟;歐軍飛;楊生榮;王金清;;聚多巴胺基復(fù)合薄膜的制備及其性能研究[A];甘肅省化學(xué)會第二十七屆年會暨第九屆甘肅省中學(xué)化學(xué)教學(xué)經(jīng)驗交流會論文摘要集[C];2011年

3 李曉光;劉愉快;姚一平;;BiFeO3/La5/8Ca3/8MnO3復(fù)合薄膜的巨磁介電效應(yīng)及高低電阻態(tài)轉(zhuǎn)換行為[A];2011中國材料研討會論文摘要集[C];2011年

4 趙巍;賈震;鄂磊;雅菁;劉志鋒;;浸漬提拉法合成鈦酸鉍/二氧化鈦復(fù)合薄膜的研究[A];第十七屆全國高技術(shù)陶瓷學(xué)術(shù)年會摘要集[C];2012年

5 王昊;陳雙俊;張軍;許仲梓;;LDPE/POE/SmBO_3復(fù)合薄膜材料表面蝕刻研究[A];2009年全國高分子學(xué)術(shù)論文報告會論文摘要集（下冊）[C];2009年

6 朱軍;楊明成;陳海軍;劉克波;趙惠東;張傳國;;γ—射線輻射對尼龍6復(fù)合薄膜性能的影響[A];第6屆輻射研究與輻射工藝學(xué)術(shù)年會論文集[C];2004年

7 高雅;南策文;;鐵磁性薄膜的制備和磁電復(fù)合薄膜電控磁性能探究[A];2011中國材料研討會論文摘要集[C];2011年

8 趙云峰;高陽;;聚對苯二甲酸乙二醇酯/聚丙烯復(fù)合薄膜的超聲波焊接[A];2010年全國高分子材料科學(xué)與工程研討會學(xué)術(shù)論文集（下冊）[C];2010年

9 李廣;殷景華;劉曉旭;馮宇;田付強(qiáng);雷清泉;;組分對PI/AlN納米復(fù)合薄膜微結(jié)構(gòu)與介電性能影響研究[A];第十三屆全國工程電介質(zhì)學(xué)術(shù)會議論文集[C];2011年

10 朱軍;楊明成;陳海軍;劉克波;趙惠東;;尼龍6復(fù)合薄膜的研制及其輻射改性研究[A];科技、工程與經(jīng)濟(jì)社會協(xié)調(diào)發(fā)展——中國科協(xié)第五屆青年學(xué)術(shù)年會論文集[C];2004年

相關(guān)重要報紙文章 前10條

1 陳昌杰;聚乙烯醇在復(fù)合薄膜中的應(yīng)用[N];中國包裝報;2005年

2 張文英;我國多層共擠設(shè)備亟待發(fā)展[N];中國化工報;2003年

3 林其水;常用軟包材的特性和應(yīng)用[N];中國包裝報;2007年

4 趙世亮;復(fù)合薄膜的曲率與材料的熱收縮率差異[N];中國包裝報;2011年

5 高學(xué)文;多層共擠復(fù)合薄膜的應(yīng)用及發(fā)展趨勢[N];中國包裝報;2002年

6 記者 郭新秋、劉文波;多層共擠復(fù)合薄膜在大連誕生[N];中國食品質(zhì)量報;2002年

7 成遠(yuǎn)發(fā);復(fù)合薄膜的固化管理[N];中國包裝報;2007年

8 單仁;復(fù)合薄膜基材的品種及性能[N];中國建材報;2006年

9 楊林;新型陶瓷復(fù)合薄膜研制出[N];廣東建設(shè)報;2009年

10 楊;復(fù)合軟包裝基材的特性、應(yīng)用及其開發(fā)[N];中國包裝報;2000年

相關(guān)博士學(xué)位論文 前10條

1 盧春林;電沉積法制備硫族半導(dǎo)體復(fù)合薄膜及其光催化性能研究[D];中國工程物理研究院;2015年

2 豆義波;層層組裝構(gòu)筑水滑石基復(fù)合薄膜：組裝驅(qū)動力調(diào)控及性能研究[D];北京化工大學(xué);2015年

3 孟祥欽;PZT基雙層壓電復(fù)合薄膜制備及性能研究[D];電子科技大學(xué);2014年

4 唐振華;多重鐵性復(fù)合薄膜的制備及磁—力—電耦合性能研究[D];湘潭大學(xué);2015年

5 朱朋;基于含能復(fù)合薄膜的非線性電爆換能元[D];南京理工大學(xué);2014年

6 時志權(quán);導(dǎo)電聚合物/聚四氟乙烯復(fù)合薄膜的制備與研究[D];南京大學(xué);2010年

7 張明玉;離子交換法制備聚酰亞胺/氧化鋁復(fù)合薄膜及電暈老化機(jī)理[D];哈爾濱理工大學(xué);2016年

8 任粒;聚合物基功能復(fù)合材料的設(shè)計、制備及介電和磁性能研究[D];北京科技大學(xué);2016年

9 付立順;基于金銀納米粒子取向的高分子復(fù)合薄膜的壓力敏感行為[D];哈爾濱工業(yè)大學(xué);2016年

10 李閩;導(dǎo)電聚吡咯及其復(fù)合薄膜材料新法電聚合與應(yīng)用研究[D];武漢大學(xué);2013年

相關(guān)碩士學(xué)位論文 前10條

1 單文杰;基于界面電荷轉(zhuǎn)移的鉍系復(fù)合薄膜的制備及其光催化性能研究[D];華南理工大學(xué);2015年

2 程波;PIPS法制備多孔C/TiO_2納米復(fù)合薄膜及其太陽能選擇吸收性能研究[D];浙江大學(xué);2015年

3 宋曉棟;NaYF_4:Yb~(3+),Tm~(3+)/Ag復(fù)合薄膜的制備及其上轉(zhuǎn)換發(fā)光性質(zhì)研究[D];遼寧大學(xué);2015年

4 時春華;軟模板法制備中空二氧化硅及其對水性聚氨酯性能的影響[D];陜西科技大學(xué);2015年

5 趙湖鈞;L1_0-FePt/B2-FeRh雙層復(fù)合薄膜的結(jié)構(gòu)和磁性[D];西南大學(xué);2015年

6 司e，

本文編號：1766576