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CoFeB超薄膜中增強(qiáng)的飽和磁化強(qiáng)度

發(fā)布時(shí)間:2018-03-31 05:30

  本文選題:鈷鐵硼 切入點(diǎn):超薄膜 出處:《西南大學(xué)學(xué)報(bào)(自然科學(xué)版)》2016年09期


【摘要】:研究了分別生長(zhǎng)在Si基片和反鐵磁FeMn薄膜上的CoFeB超薄膜在室溫的磁特性.發(fā)現(xiàn)生長(zhǎng)在反鐵磁FeMn薄膜上的CoFeB超薄膜的飽和磁化強(qiáng)度比直接生長(zhǎng)在Si基片的CoFeB超薄膜的值大,并且發(fā)現(xiàn)隨著CoFeB超薄膜厚度的增加,兩者的差值減小.這樣一種增大的飽和磁化強(qiáng)度應(yīng)該與反鐵磁FeMn層對(duì)CoFeB超薄膜的釘扎有關(guān).
[Abstract]:The magnetic properties of CoFeB ultrathin films grown on Si substrates and antiferromagnetic FeMn films at room temperature were studied.It is found that the saturation magnetization of CoFeB ultrathin films grown on antiferromagnetic FeMn films is higher than that of CoFeB ultrathin films grown directly on Si substrates, and the difference between them decreases with the increase of the thickness of CoFeB ultrathin films.Such an increase in saturation magnetization should be related to the pinning of CoFeB ultrathin films by the antiferromagnetic FeMn layer.
【作者單位】: 西南大學(xué)電子信息工程學(xué)院;
【基金】:國(guó)家自然科學(xué)基金(51372209)
【分類(lèi)號(hào)】:O484

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