本文選題：溫度　切入點(diǎn)：原子層沉積　出處：《真空科學(xué)與技術(shù)學(xué)報(bào)》2017年12期

【摘要】：采用熱原子層沉積(ALD)方法,在固定氧化鋅與氧化鋁沉積比例的情況下,研究了不同溫度下在玻璃襯底上沉積的摻鋁氧化鋅薄膜性能的變化,特別是"ALD窗口"溫度的影響。通過計(jì)算薄膜沉積速率,得到了薄膜沉積的"ALD窗口"溫度范圍為225~275℃,相應(yīng)的沉積速率為0.214 nm/cycle。分析樣品的表面形貌后發(fā)現(xiàn),雖然反應(yīng)的溫度有所不同,但薄膜的微觀結(jié)構(gòu)均為密集堆積的紡綞體,它們的尺寸受到溫度、晶體結(jié)構(gòu)等因素的影響。結(jié)構(gòu)分析表明,在"ALD窗口"溫度范圍內(nèi),所有沉積得到的樣品均為(100)擇優(yōu)取向,并且結(jié)晶質(zhì)量、晶粒尺寸以及(002)峰的相對(duì)強(qiáng)度均隨著溫度升高而增大。薄膜的光學(xué)透過率以及光學(xué)帶隙沒有隨溫度變化而表現(xiàn)出明顯的變化,分別在80%(350~770 nm)和3.90 e V左右。薄膜的電導(dǎo)率和光學(xué)質(zhì)量在"ALD窗口"內(nèi)隨溫度增加而增長(zhǎng),直到300℃時(shí)達(dá)到最佳。
[Abstract]:The properties of aluminum-doped zinc oxide films deposited on glass substrates at different temperatures were studied by means of thermal atomic layer deposition (ALD) method under the condition of fixed ratio of zinc oxide to alumina deposition. Especially the influence of ALD window temperature. By calculating the deposition rate of thin film, the temperature range of "ALD window" for thin film deposition is 225 ~ 275 鈩，

本文編號(hào)：1688660