本文選題：熱導(dǎo)率　切入點：應(yīng)變　出處：《稀有金屬材料與工程》2017年02期

【摘要】：利用非平衡態(tài)分子動力學(xué)模擬方法研究了應(yīng)變對Ge薄膜熱導(dǎo)率的影響。結(jié)果表明系統(tǒng)應(yīng)變對單晶Ge薄膜熱導(dǎo)率產(chǎn)生明顯影響熱導(dǎo)率隨著拉伸應(yīng)變的增大而減小,隨著壓縮應(yīng)變的增大而增大,得出聲子速率降低以及薄膜表面重構(gòu)是產(chǎn)生該模擬結(jié)果的內(nèi)在原因。同時,采用修正的Callaway模型對NEMD結(jié)果進(jìn)行理論驗證,2種方法得到的結(jié)果吻合得較好。理論結(jié)果表明應(yīng)變弛豫時間對Ge單晶薄膜的熱導(dǎo)率產(chǎn)生了重要影響。
[Abstract]:The effect of strain on the thermal conductivity of GE thin films was studied by non-equilibrium molecular dynamics simulation. The results show that the thermal conductivity of single crystal GE films decreases with the increase of tensile strain. With the increase of compression strain, it is concluded that the decrease of phonon rate and the surface reconstruction of thin films are the intrinsic reasons for the simulation results. The modified Callaway model is used to verify the results of NEMD theoretically. The theoretical results show that the strain relaxation time has an important effect on the thermal conductivity of GE single crystal thin films.
【作者單位】： 東北林業(yè)大學(xué);大連理工大學(xué)工業(yè)裝備結(jié)構(gòu)分析國家重點實驗室;
【基金】：Fundamental Research Funds for the Central Universities of China(DL12BB38)
【分類號】：TB383.2;TN304.11

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8 本報記者 倪e，

本文編號：1666969