本文關(guān)鍵詞： 熱蒸發(fā) CdSe薄膜 薄膜形貌 晶體結(jié)構(gòu) 退火　出處：《西華師范大學(xué)》2016年碩士論文　論文類型：學(xué)位論文

【摘要】：由于在可見光波段光電性質(zhì)表現(xiàn)優(yōu)秀而在光電子器件和薄膜太陽(yáng)能電池中應(yīng)用廣泛,CdSe半導(dǎo)體材料具有較好的應(yīng)用前景。文章主要集中研究CdSe薄膜的可控生長(zhǎng)條件,以及退火工藝對(duì)其性能的影響。利用真空熱蒸發(fā)技術(shù),設(shè)置蒸發(fā)電流為70、75、80、85、90和95A,將CdSe薄膜分別沉積在玻璃和Si襯底上。X射線衍射測(cè)試結(jié)果顯示,在75A的蒸發(fā)電流下,CdSe薄膜的結(jié)晶性能最好。在氬氣氛圍中,設(shè)定退火溫度分別是400、450、500、550和600℃。借助金相顯微鏡和掃描電鏡等設(shè)備對(duì)薄膜的形貌和晶體結(jié)構(gòu)進(jìn)行表征,根據(jù)薄膜的宏觀形貌和微觀形貌信息,結(jié)果顯示75A的蒸發(fā)電流和450℃退火溫度條件下獲得的CdSe薄膜分布均勻且光滑,表面缺陷少,顆粒均勻,其薄膜質(zhì)量較好。利用XRD圖譜,進(jìn)一步分析了CdSe薄膜的晶體結(jié)構(gòu)。其結(jié)果是75A的蒸發(fā)電流和450℃退火溫度條件下獲得的CdSe薄膜的結(jié)晶主峰表現(xiàn)為六方晶體(002)方向的結(jié)晶峰,其峰的強(qiáng)度最高,且晶粒尺寸大小與薄膜厚度匹配最合適,說(shuō)明了該電流和該退火溫度是最合適的薄膜制備電流和退火溫度。CdSe薄膜表面形貌和晶體結(jié)構(gòu)兩方面的結(jié)果相互驗(yàn)證和補(bǔ)充說(shuō)明,具有一定的準(zhǔn)確性,對(duì)CdSe薄膜今后的相關(guān)研究在薄膜的可控生長(zhǎng)和退火處理兩個(gè)方面提供了準(zhǔn)確可靠的數(shù)據(jù)參考。
[Abstract]:It is widely used in optoelectronic devices and thin film solar cells because of its excellent optoelectronic properties in visible light band. CdSe semiconductor materials have a good prospect of application. This paper focuses on the controllable growth conditions of CdSe thin films and the effect of annealing process on their properties. The CdSe thin films were deposited on glass and Si substrates by X-ray diffraction at 75A evaporation current of 75A. The crystallization properties of CdSe thin films are the best. In argon atmosphere, the annealing temperature is 400,450,500. At 550 鈩，

本文編號(hào)：1490524