本文關(guān)鍵詞： 常壓射頻等離子體 脈沖調(diào)制 占空比 SiOx薄膜　出處：《東華大學(xué)學(xué)報(bào)(自然科學(xué)版)》2017年01期 　論文類型：期刊論文

【摘要】：采用常壓射頻等離子體放電技術(shù),以六甲基二硅氧烷(HMDSO)和Ar的混合氣體為反應(yīng)源,成功制備了SiO_x薄膜.通過測量放電的電流-電壓曲線以及發(fā)射光譜,研究不同占空比對射頻放電段放電特性的影響;利用掃描電子顯微鏡(SEM)、X射線能譜儀(EDS)以及X射線光電子能譜(XPS)研究了不同占空比放電條件下沉積的SiO_x薄膜的表面形貌與化學(xué)成分.研究結(jié)果表明,占空比對射頻放電段的放電特性影響不大,但是隨著放電脈沖占空比的增加,薄膜表面變得不平滑,橢球形顆粒增多,薄膜中無機(jī)成分也相應(yīng)增加.
[Abstract]:The mixture of Hexamethyldisiloxane (HMDSO) and ar was used as the reaction source. SiO_x thin films were successfully prepared. By measuring the current-voltage curves and emission spectra of the discharge, the effects of different duty cycles on the discharge characteristics of the RF discharge section were studied. Using scanning electron microscopy (SEM). The surface morphology and chemical composition of SiO_x films deposited under different duty cycle discharge conditions were studied by X-ray energy spectrometer (EDS) and X-ray photoelectron spectroscopy (XPS). The ratio of duty to duty has little effect on the discharge characteristics of the RF discharge section, but with the increase of the duty cycle of the discharge pulse, the surface of the film becomes unsmooth, the ellipsoidal particles increase, and the inorganic composition in the film increases accordingly.
【作者單位】： 東華大學(xué)理學(xué)院;
【基金】：國家自然科學(xué)基金資助項(xiàng)目(11475043,11375042)
【分類號(hào)】：O484;O539
【正文快照】： SiOx是一種被廣泛使用的薄膜材料,其在半導(dǎo)體技術(shù)中是常見的電介質(zhì)材料[1],或作為防腐蝕/防滲透材料應(yīng)用于包裝行業(yè)[2-3],也可被用于聚合物表面的防刮涂層等[4].近年來,在眾多沉積SiOx薄膜的等離子體技術(shù)[5-7]中,常壓射頻等離子體技術(shù)因具有設(shè)備成本低、等離子體密度高(約為10

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本文編號(hào)：1478360