本文關(guān)鍵詞： 輝光放電質(zhì)譜法 AZO靶材 磁控濺射 深度分析　出處：《中國測試》2017年04期 　論文類型：期刊論文

【摘要】：利用輝光放電質(zhì)譜儀(GDMS)對(duì)鋁摻雜的氧化鋅(AZO)靶材中的常微量元素及其深度分布進(jìn)行分析。首先考察AZO樣品中的元素和Ar、H、O、N等氣體元素形成的多原子離子干擾。其次利用GDMS和臺(tái)階儀對(duì)已經(jīng)進(jìn)行磁控濺射過的AZO靶材表面進(jìn)行深度剖析,考察靶材上的主要污染元素隨深度的縱向分布,最后利用GDMS對(duì)預(yù)濺射完后的AZO靶材內(nèi)部雜質(zhì)元素進(jìn)行質(zhì)譜分析。利用XPS進(jìn)行驗(yàn)證,兩種方法測試得到的Zn和Al的含量相近。分析結(jié)果表明GDMS是分析AZO等半導(dǎo)體靶材的有效方法,該方法可以對(duì)靶材造成的污染進(jìn)行預(yù)判,避免濺射過程中造成的污染。
[Abstract]:The trace elements and their depth distribution in Al-doped zinc oxide (AZO) target were analyzed by glow discharge mass spectrometer (GDS). The polyatomic ion interference formed by N and other gas elements. Secondly, the surface of AZO target which has been magnetron sputtering has been analyzed by GDMS and step meter. The longitudinal distribution of the main contaminated elements along with the depth of the target was investigated. Finally, the impurity elements in the AZO target after pre-sputtering were analyzed by mass spectrometry using GDMS. The results were verified by XPS. The results show that GDMS is an effective method for the analysis of semiconductor targets such as AZO, and this method can predict the pollution caused by the targets. Avoid contamination during sputtering.
【作者單位】： 中國科學(xué)院福建物質(zhì)結(jié)構(gòu)研究所測試中心;福建農(nóng)林大學(xué)材料工程學(xué)院;
【基金】：2014年國家自然科學(xué)基金青年項(xiàng)目(61306065) 2015年福建省自然科學(xué)基金項(xiàng)目(2015J05133)
【分類號(hào)】：O657.63;TB383.2
【正文快照】： 0引言透明導(dǎo)電薄膜因其兼具電阻率低和透光性好的特點(diǎn),在各種光電器件例如太陽能電池、平板顯示、LED上具有廣闊的應(yīng)用前景[1]。鋁摻雜的氧化鋅薄膜Zn O∶Al(AZO)作為一種典型的n型半導(dǎo)體薄膜,其禁帶寬度接近3.3 e V,在可見光范圍具有較高的透射率和低電阻率[2],是一種價(jià)格低

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本文編號(hào)：1475206