本文關(guān)鍵詞：基于CVD方法生長(zhǎng)在硅基底上立方碳化硅的拉曼散射研究（英文）　出處：《光散射學(xué)報(bào)》2016年02期 　論文類型：期刊論文

  更多相關(guān)文章： C碳化硅 光譜橢偏儀 拉曼散射 厚度

【摘要】：立方碳化硅(3C-SiC)薄膜通過(guò)化學(xué)氣相沉積(CVD)制備在Si(100)襯底上。本論文主要通過(guò)橢偏光譜儀(SE)和拉曼散射儀對(duì)3C-SiC薄膜的微觀結(jié)構(gòu)和光學(xué)性能進(jìn)行進(jìn)一步的研究。根據(jù)SE的分析獲得3CSiC薄膜厚度;根據(jù)拉曼散射的分析:可從TO模式和LO模式的線形形狀的擬合得到樣品的相關(guān)長(zhǎng)度和載流子濃度。結(jié)果表明:該碳化硅(3C-SiC)薄膜質(zhì)量隨膜厚度增加而得到提高,同時(shí)分析了外延層厚度對(duì)薄膜特性的影響。
[Abstract]:Cubic silicon carbide 3C-SiC thin films were prepared on Si-100 substrates by chemical vapor deposition (CVD). The microstructure and optical properties of 3C-SiC thin films were further studied by Raman scattering. The thickness of 3C-SiC films was obtained by SE analysis. According to Raman scattering analysis, the correlation length and carrier concentration of the sample can be obtained from the fitting of the linear shapes of to and Lo modes. The film quality increases with the increase of film thickness. At the same time, the influence of the thickness of the epitaxial layer on the characteristics of the film is analyzed.
【作者單位】： 物理科學(xué)與工程技術(shù)學(xué)院廣西相對(duì)論天體物理重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室光電子材料與探測(cè)技術(shù)實(shí)驗(yàn)室廣西大學(xué);華南師范大學(xué)光電子材料與技術(shù)研究所;中山大學(xué)光電材料與技術(shù)國(guó)家重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室物理科學(xué)與工程技術(shù)學(xué)院;Department
【基金】：中山大學(xué)光電材料與技術(shù)國(guó)家重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室開(kāi)放課題和國(guó)家自然科學(xué)基金(11474365,61377055,61176085) 廣西相對(duì)論天體物理重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室廣西自然科學(xué)基金創(chuàng)新團(tuán)隊(duì)項(xiàng)目(2013GXNSFFA019001) 國(guó)家自然科學(xué)基金“基于鐵電體微疇結(jié)構(gòu)的平板集成高速電光器件研究”(AE0520088)
【分類號(hào)】：O657.37;TB383.2
【正文快照】： 2.華南師范大學(xué)光電子材料與技術(shù)研究所,廣州510631;3.中山大學(xué)光電材料與技術(shù)國(guó)家重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室,物理科學(xué)與工程技術(shù)學(xué)院,廣州510275;4.Department of Mechanical Engineering,University of Malaya,50603Kuala Lumpur,Malaysia;5.Department of Physics,Auburn University,Aubu

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