本文關(guān)鍵詞：包含等離子體輔助沉積參數(shù)和離子刻蝕作用過程的結(jié)構(gòu)區(qū)域相圖

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【摘要】：文中提出一種擴(kuò)展的薄膜微觀結(jié)構(gòu)的區(qū)域相圖,可以用其來表征過濾陰極弧以及高功率脈沖磁控濺射鍍膜過程中含有大量離子流的動(dòng)態(tài)沉積過程。其坐標(biāo)軸包括廣義同系溫度,標(biāo)量化動(dòng)能以及可以表征離子刻蝕作用的凈膜厚。需要強(qiáng)調(diào)的是,由于影響薄膜生長的實(shí)際參數(shù)要遠(yuǎn)超相圖中有限的坐標(biāo)軸數(shù),因此該結(jié)構(gòu)區(qū)域相圖展示的生長條件與薄膜結(jié)構(gòu)之間的關(guān)系是近似和簡化過的。
【作者單位】： 加利福尼亞大學(xué)勞倫斯伯克利國家實(shí)驗(yàn)室;
【基金】：美國能源部項(xiàng)目(DE-AC02-05CH11231)
【分類號(hào)】：TB383.2
【正文快照】： A Structure Zone Diagram Including Plasma-based Deposition and Ion EtchingANDERS André(Lawrence Berkeley National Laboratory,University of California,California 94720,United States)引文格式:AndréAnders.包含等離子體輔助沉積參數(shù)和離子刻蝕作用過程的結(jié)構(gòu)區(qū)

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1 王玉林;任玉敏;張雪儀;鄒本三;;高聚物結(jié)晶形態(tài)精細(xì)結(jié)構(gòu)的電鏡觀察[J];電子顯微學(xué)報(bào);1988年03期

2 ;[J];;年期

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本文編號(hào)：1210303