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包含等離子體輔助沉積參數(shù)和離子刻蝕作用過程的結(jié)構(gòu)區(qū)域相圖

發(fā)布時間:2017-11-21 08:26

  本文關(guān)鍵詞:包含等離子體輔助沉積參數(shù)和離子刻蝕作用過程的結(jié)構(gòu)區(qū)域相圖


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【摘要】:文中提出一種擴展的薄膜微觀結(jié)構(gòu)的區(qū)域相圖,可以用其來表征過濾陰極弧以及高功率脈沖磁控濺射鍍膜過程中含有大量離子流的動態(tài)沉積過程。其坐標(biāo)軸包括廣義同系溫度,標(biāo)量化動能以及可以表征離子刻蝕作用的凈膜厚。需要強調(diào)的是,由于影響薄膜生長的實際參數(shù)要遠(yuǎn)超相圖中有限的坐標(biāo)軸數(shù),因此該結(jié)構(gòu)區(qū)域相圖展示的生長條件與薄膜結(jié)構(gòu)之間的關(guān)系是近似和簡化過的。
【作者單位】: 加利福尼亞大學(xué)勞倫斯伯克利國家實驗室;
【基金】:美國能源部項目(DE-AC02-05CH11231)
【分類號】:TB383.2
【正文快照】: A Structure Zone Diagram Including Plasma-based Deposition and Ion EtchingANDERS André(Lawrence Berkeley National Laboratory,University of California,California 94720,United States)引文格式:AndréAnders.包含等離子體輔助沉積參數(shù)和離子刻蝕作用過程的結(jié)構(gòu)區(qū)

【相似文獻(xiàn)】

中國期刊全文數(shù)據(jù)庫 前2條

1 王玉林;任玉敏;張雪儀;鄒本三;;高聚物結(jié)晶形態(tài)精細(xì)結(jié)構(gòu)的電鏡觀察[J];電子顯微學(xué)報;1988年03期

2 ;[J];;年期

,

本文編號:1210303

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