本文關鍵詞：不同厚度PZT薄膜的制備及電性能特性研究

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【摘要】：采用sol-gel(溶膠-凝膠)法在Pt/Ti/SiO_2/Si基底上分別制備了厚度為400 nm、600 nm、800 nm的PZT(鋯鈦酸鉛,Zr/Ti=52/48)薄膜,研究了厚度對薄膜介電性能與鐵電性能的影響。通過對薄膜的鐵電性能與介電性能進行測試,分析了不同厚度薄膜的剩余極化強度、介電常數與介電損耗,進一步分析了薄膜的介電調諧性能。實驗結果表明,薄膜的介電常數與介電損耗隨薄膜厚度的增大而增加;厚度為600 nm的薄膜具有最好的介電調諧性能與鐵電性能。
【作者單位】： 中北大學電子測試技術國家重點實驗室;中北大學儀器科學與動態(tài)測試教育部重點實驗室;
【基金】：基于黑硅吸收層的多層組合納米膜紅外探測器及其氣體檢測技術項目(51205373)
【分類號】：TB383.2
【正文快照】： 鉛基薄膜如PT、PCT、PLT和PZT等,由于具有優(yōu)良的介電、鐵電及熱釋電性能,成為當前國際上備受關注的功能材料,被廣泛應用于制備熱成像器件、熱釋電紅外傳感器、MEMS器件和鐵電隨機存儲器等[1-4]。PZT薄膜器件具有響應快,探測信號快,結構緊湊,機械強度好[5],可提高波長范圍等特

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