本文關(guān)鍵詞：輝光功率對柔性襯底ZnO:Al薄膜性能的影響

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【摘要】：目前,磁控濺射制備Zn O:Al薄膜時的濺射壓強(qiáng)較低,若氬氣流量不穩(wěn)或腔室排氣口處氣流擾動會對濺射壓強(qiáng)產(chǎn)生較大影響,影響成膜質(zhì)量。為提高濺射薄膜質(zhì)量,采用直流磁控濺射技術(shù),在較高濺射壓強(qiáng)下,以不同輝光功率在柔性襯底聚酰亞胺上制備了Zn O:Al薄膜。采用紫外可見分光光度計、四探針測試儀、X射線衍射儀及掃描電鏡測試薄膜性能,考察了輝光功率對薄膜光學(xué)特性、電學(xué)特性、薄膜結(jié)構(gòu)和表面形貌的影響。結(jié)果表明:制備的薄膜均為六方纖鋅礦結(jié)構(gòu),且有明顯的c軸擇優(yōu)取向;隨著輝光功率的增大,方塊電阻先減小后增大,輝光功率為50 W時最小,為15.6Ω,晶粒尺寸先增大后減小;在輝光功率為50 W時,600~800 nm波長范圍內(nèi)薄膜的相對透射率達(dá)到最大值96%。
【作者單位】： 暨南大學(xué)信息科學(xué)技術(shù)學(xué)院;
【關(guān)鍵詞】： 直流磁控濺射 ZnO Al薄膜 柔性襯底 輝光功率 方塊電阻 相對透射率
【基金】：廣東省科技計劃(2014A010106014)項(xiàng)目 廣東省教育部產(chǎn)學(xué)研結(jié)合(2012B091000111)項(xiàng)目 中央高校基本科研業(yè)務(wù)費(fèi)專項(xiàng)基金(21612412)資助
【分類號】：TB383.2
【正文快照】： 0前言Zn O:Al(ZAO)薄膜具有優(yōu)異的光電特性和化學(xué)穩(wěn)定性,廣泛應(yīng)用于太陽能電池、液晶顯示器、熱反射鏡領(lǐng)域。ZAO薄膜還具有材料來源豐富、制造成本低、無毒、無污染等優(yōu)點(diǎn)[1,2],被認(rèn)為是制備透明導(dǎo)電氧化物(TCO)薄膜的最佳薄膜材料[3]。隨著近年來半導(dǎo)體器件向小型化和輕量化，

本文編號：1129148