本文關(guān)鍵詞：磁控濺射沉積系統(tǒng)設(shè)計(jì)

  更多相關(guān)文章： 磁控濺射 沉積系統(tǒng) 靶裝置 等離子體源 陽(yáng)極清洗裝置

【摘要】：針對(duì)光學(xué)和介電功能薄膜制備中的離化率低和靶面污染問(wèn)題,設(shè)計(jì)了一種磁控濺射沉積系統(tǒng),系統(tǒng)包括磁控濺射靶裝置、等離子體源和陽(yáng)極清洗裝置。主要結(jié)論有:(1)在磁控濺射靶裝置設(shè)計(jì)中,采用磁流體密封替代橡膠軸承密封,提高了靶裝置的密封性,極限真空度可達(dá)10-6 Pa;采用旋轉(zhuǎn)磁鋼代替固定磁鋼,使靶材的利用率從30%提高到60%,同時(shí)避免了靶裝置在預(yù)先清洗時(shí)的污染;設(shè)計(jì)了靶裝置的驅(qū)動(dòng)端,完成了電機(jī)、傳動(dòng)裝置和軸承的選型。(2)設(shè)計(jì)等離子體源來(lái)改善沉積系統(tǒng)離化率不足的問(wèn)題。選擇0.2 mm鎢絲制成陰極,坩堝作為陽(yáng)極。利用基爾霍夫定律計(jì)算出螺旋管的長(zhǎng)度與橫截面積。比較了等離子體源的四種電源連接方式,選擇在螺旋管兩端加入輔助調(diào)節(jié)電源,方便調(diào)節(jié)電磁場(chǎng)的方式。(3)設(shè)計(jì)了陽(yáng)極清洗裝置來(lái)解決磁控濺射中的陽(yáng)極污染問(wèn)題。陽(yáng)極清洗裝置包括可旋轉(zhuǎn)陽(yáng)極和清洗裝置兩部分,設(shè)計(jì)了多套清洗裝置協(xié)同工作時(shí)的電源連接方式。制定了冷卻系統(tǒng)方案和管路圖來(lái)滿足系統(tǒng)的冷卻設(shè)計(jì)要求。設(shè)計(jì)了一套供氣系統(tǒng),根據(jù)設(shè)計(jì)要求確定了電磁閥和質(zhì)量流量計(jì)的型號(hào)。
【關(guān)鍵詞】：磁控濺射 沉積系統(tǒng) 靶裝置 等離子體源 陽(yáng)極清洗裝置
【學(xué)位授予單位】：中國(guó)地質(zhì)大學(xué)(北京)
【學(xué)位級(jí)別】：碩士
【學(xué)位授予年份】：2016
【分類(lèi)號(hào)】：TB43
【目錄】：

• 摘要5-6
• Abstract6-10
• 第1章 緒論10-16
• 1.1 研究意義10
• 1.2 沉積系統(tǒng)的研究現(xiàn)狀10-14
• 1.2.1 靶裝置研究現(xiàn)狀10-13
• 1.2.2 等離子體源的研究現(xiàn)狀13-14
• 1.2.3 陽(yáng)極清洗裝置研究現(xiàn)狀14
• 1.3 選題依據(jù)14
• 1.4 研究的目的、內(nèi)容及思路14-16
• 第2章 磁控濺射沉積系統(tǒng)設(shè)計(jì)16-22
• 2.1 磁控濺射沉積系統(tǒng)結(jié)構(gòu)16-17
• 2.2 真空系統(tǒng)和腔體17-20
• 2.2.1 真空系統(tǒng)17-18
• 2.2.2 真空腔體的主要尺寸18-20
• 2.3 磁控濺射靶裝置設(shè)計(jì)20
• 2.4 等離子體源設(shè)計(jì)20
• 2.5 陽(yáng)極清洗裝置設(shè)計(jì)20-22
• 第3章 磁流體密封旋轉(zhuǎn)磁控濺射靶22-34
• 3.1 靶裝置工作原理22-23
• 3.2 靶裝置結(jié)構(gòu)23-24
• 3.3 真空密封設(shè)計(jì)24-27
• 3.3.1 靶材、軸與靶材堵頭之間的密封25-26
• 3.3.2 磁流體密封26-27
• 3.4 旋轉(zhuǎn)磁鋼設(shè)計(jì)27-31
• 3.4.1 旋轉(zhuǎn)磁鋼的發(fā)射模式29-31
• 3.5 驅(qū)動(dòng)端的設(shè)計(jì)31-33
• 3.5.1 驅(qū)動(dòng)電機(jī)的選擇31-32
• 3.5.2 傳動(dòng)裝置的選擇32-33
• 3.5.3 軸承的選擇33
• 3.6 本章小結(jié)33-34
• 第4章 等離子體源的設(shè)計(jì)34-42
• 4.1 離子源的工作原理34-35
• 4.2 等離子體源結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)35-40
• 4.2.1 等離子體源對(duì)磁路的要求35-36
• 4.2.2 材料的選取36
• 4.2.3 螺旋管的設(shè)計(jì)36-38
• 4.2.4 陽(yáng)極、陰極的設(shè)計(jì)38-40
• 4.3 等離子體源的電源連接方式40
• 4.4 離子源輔助鍍膜40-41
• 4.5 本章小結(jié)41-42
• 第5章 陽(yáng)極清洗裝置設(shè)計(jì)42-55
• 5.1 離子刻蝕清洗42-44
• 5.2 陽(yáng)極裝置的設(shè)計(jì)44-46
• 5.3 陽(yáng)極清洗裝置的電源連接46-47
• 5.4 陽(yáng)極清洗裝置冷卻系統(tǒng)設(shè)計(jì)47-52
• 5.4.1 設(shè)計(jì)要求和措施49-50
• 5.4.2 冷卻水管內(nèi)徑的計(jì)算50-51
• 5.4.3 冷卻水管的長(zhǎng)度計(jì)算51-52
• 5.5 進(jìn)氣系統(tǒng)設(shè)計(jì)52-54
• 5.5.1 流量計(jì)的選擇52-53
• 5.5.2 電磁閥的選型53-54
• 5.6 本章小結(jié)54-55
• 第6章 結(jié)論55-56
• 致謝56-57
• 參考文獻(xiàn)57-61
• 個(gè)人簡(jiǎn)介61

【相似文獻(xiàn)】

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1 王明利,龔輝,范正修;磁控濺射沉積寬帶減反膜[J];科學(xué)通報(bào);1997年13期

2 鮮曉斌;呂學(xué)超;伏曉國(guó);任大鵬;;蒸發(fā)、磁控濺射沉積真空對(duì)鈾薄膜組成和結(jié)構(gòu)的影響[J];材料導(dǎo)報(bào);2001年07期

3 鮮曉斌,汪小琳,呂學(xué)超,柏朝茂,李科學(xué),伏曉國(guó),唐凱,任大鵬;磁控濺射沉積鈾薄膜組織結(jié)構(gòu)研究[J];真空;2000年03期

4 溫培剛;顏悅;張官理;望詠林;;磁控濺射沉積工藝條件對(duì)薄膜厚度均勻性的影響[J];航空材料學(xué)報(bào);2007年03期

5 凌國(guó)偉,倪翰,蕭域星;等離子增強(qiáng)磁控濺射沉積技術(shù)(PMD)[J];真空;2001年04期

6 沈啟賢,王利峰,劉智勇;三極磁控濺射沉積氮化鈦[J];兵器材料科學(xué)與工程;1989年06期

7 崔江濤;劉向力;田修波;胡新東;楊士勤;;直流磁控濺射沉積鉭膜的結(jié)構(gòu)與性能研究[J];真空科學(xué)與技術(shù)學(xué)報(bào);2007年03期

8 紀(jì)艷玲,范瑞麟;磁控濺射沉積NiCrAlY涂層中的氬及其對(duì)氧化行為的影響[J];真空科學(xué)與技術(shù);1993年03期

9 易泰民;邢丕峰;鄭鳳成;梅魯生;楊蒙生;趙利平;李朝陽(yáng);謝軍;杜凱;馬坤全;;磁控濺射沉積鋁/貧鈾與金/貧鈾鍍層的界面研究[J];物理學(xué)報(bào);2013年10期

10 鮮曉斌,呂學(xué)超,張永彬,任大鵬;磁控濺射沉積U薄膜性能研究[J];原子能科學(xué)技術(shù);2002年Z1期

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1 鮮曉斌;呂學(xué)超;柏朝茂;李科學(xué);伏曉國(guó);唐凱;任大鵬;;鋁上磁控濺射沉積鈾薄膜[A];中國(guó)工程物理研究院科技年報(bào)（1999）[C];1999年

2 施立群;金欽華;劉超卓;徐世林;周筑穎;;直流磁控濺射沉積含He鈦膜的研究[A];第十二屆全國(guó)核物理大會(huì)論文集（下）[C];2004年

3 伍建華;望詠林;溫培剛;張曉峰;;柔性基底上Al膜的低能離子束輔助磁控濺射沉積[A];TFC’09全國(guó)薄膜技術(shù)學(xué)術(shù)研討會(huì)論文摘要集[C];2009年

4 施立群;金欽華;周筑穎;;直流磁控濺射沉積含He鈦膜[A];TFC’03全國(guó)薄膜技術(shù)學(xué)術(shù)研討會(huì)論文摘要集[C];2003年

5 高鵬;吳大維;;非平衡磁場(chǎng)磁控濺射沉積CN_x薄膜[A];第十一屆全國(guó)核物理大會(huì)論文集[C];2000年

6 柳翠;李國(guó)卿;王力閣;關(guān)秉羽;;等離子體增強(qiáng)磁控濺射沉積技術(shù)(PMD)制備薄膜[A];TFC’03全國(guó)薄膜技術(shù)學(xué)術(shù)研討會(huì)論文摘要集[C];2003年

7 韓增虎;賴倩茜;田家萬(wàn);李戈揚(yáng);;NbN薄膜的反應(yīng)磁控濺射沉積[A];第十二屆全國(guó)電子顯微學(xué)會(huì)議論文集[C];2002年

8 郭杰;王靜宇;李振豪;;磁控濺射沉積PZT/Pt薄膜異質(zhì)結(jié)構(gòu)的研究[A];第八屆真空技術(shù)應(yīng)用學(xué)術(shù)年會(huì)論文集[C];2005年

9 呂學(xué)超;張永彬;張厚量;任大鵬;郎定木;張延志;;脈沖激光和磁控濺射沉積Mo薄膜研究[A];TFC'07全國(guó)薄膜技術(shù)學(xué)術(shù)研討會(huì)論文摘要集[C];2007年

10 李侃;金浩;王德苗;;氮?dú)鉂舛葘?duì)射頻反應(yīng)磁控濺射沉積AIN薄膜的影響[A];第六屆華東三省一市真空學(xué)術(shù)交流會(huì)論文集[C];2009年

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1 魏超;磁控濺射沉積系統(tǒng)設(shè)計(jì)[D];中國(guó)地質(zhì)大學(xué)(北京);2016年

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本文編號(hào)：1108686