本文關(guān)鍵詞：高溫超導(dǎo)薄膜R_S分布測(cè)試裝置的研制

  更多相關(guān)文章： 高溫超導(dǎo)薄膜 微波表面電阻 分布測(cè)試 分辨率

【摘要】：高溫超導(dǎo)薄膜由于其微波表面電阻小,在微波無源器件中有著廣泛的應(yīng)用前景。盡管如此,目前可以進(jìn)行測(cè)試高溫超導(dǎo)薄膜微波表面電阻分布的裝置存在著分辨率與通用性不兼容的問題。因此建立一種可以解決上述問題的分布測(cè)試裝置已成為一個(gè)迫切的需要。本論文基于鏡像法測(cè)試高溫超導(dǎo)薄膜電阻的理論,構(gòu)建一種工作在較低頻率下可以具有較高分辨率的新型分布測(cè)試裝置。本論文主要完成以下工作:1.基于鏡像法測(cè)試超導(dǎo)薄膜電阻的理論,提出一種新的高溫超導(dǎo)薄膜電阻分布的測(cè)試裝置模型。2.利用仿真軟件,建模仿真,優(yōu)化測(cè)試裝置,設(shè)計(jì)出能加工實(shí)現(xiàn)的分布測(cè)試裝置。在建好的模型中,通過仿真驗(yàn)證測(cè)試裝置具有較高的精度和靈敏度。設(shè)計(jì)了耦合裝置,使測(cè)試裝置在中等耦合量下有較高的分辨率。3.研究新的測(cè)試裝置的校準(zhǔn),來保證測(cè)試腔和校準(zhǔn)腔結(jié)構(gòu)對(duì)稱,進(jìn)而校準(zhǔn)準(zhǔn)確。同時(shí)引入了銷釘緊配合的方式,保證其安裝呈軸對(duì)稱分布。為了準(zhǔn)確獲取金板的阻值,進(jìn)而保證測(cè)試裝置校準(zhǔn)準(zhǔn)確,設(shè)計(jì)了與測(cè)試腔工作在同樣頻率的金腔,利用仿真軟件對(duì)金腔進(jìn)行了建模仿真,設(shè)計(jì)耦合結(jié)構(gòu),最后優(yōu)化金腔結(jié)構(gòu)。4.搭建了分布測(cè)試裝置后,先進(jìn)行了校準(zhǔn)實(shí)驗(yàn),接著進(jìn)行了分布測(cè)試實(shí)驗(yàn),驗(yàn)證了新型高溫超導(dǎo)薄膜微波表面電阻的分布測(cè)試方法可行性。新的分布測(cè)試裝置工作在32GHz頻率左右,分辨率達(dá)到了直徑為5mm,面積為19.6mm2的圓面。且其工作頻率周圍1.4GHz范圍內(nèi)無其他雜模干擾。5.利用分布測(cè)試裝置對(duì)一片兩英寸的超導(dǎo)薄膜取了25個(gè)點(diǎn),進(jìn)行了分布測(cè)試,得到了這片超導(dǎo)薄膜的阻值分布。最后,對(duì)分布測(cè)試裝置進(jìn)行了15次重復(fù)性實(shí)驗(yàn),驗(yàn)證了分布測(cè)試裝置的穩(wěn)定性,其測(cè)試相對(duì)不確定度僅為5.2%,遠(yuǎn)低于國家標(biāo)準(zhǔn)20%以內(nèi)。
【關(guān)鍵詞】：高溫超導(dǎo)薄膜 微波表面電阻 分布測(cè)試 分辨率
【學(xué)位授予單位】：電子科技大學(xué)
【學(xué)位級(jí)別】：碩士
【學(xué)位授予年份】：2016
【分類號(hào)】：TM26;TB383.2
【目錄】：

• 摘要5-6
• ABSTRACT6-10
• 第一章 緒論10-15
• 1.1 高溫超導(dǎo)薄膜10-11
• 1.2 高溫超導(dǎo)微波表面電阻分布的測(cè)試方法11-13
• 1.2.1 雙介質(zhì)法11-12
• 1.2.2 準(zhǔn)光學(xué)腔測(cè)試法12-13
• 1.3 選題意義及研究?jī)?nèi)容13-14
• 1.4 本章小結(jié)14-15
• 第二章 鏡像介質(zhì)諧振器法理論15-28
• 2.1 鏡像介質(zhì)諧振器法原理15-16
• 2.2 校準(zhǔn)步驟16-25
• 2.2.1“理想電阻面”的獲取17-23
• 2.2.2 A值和B值的獲取23-25
• 2.3 無載品質(zhì)因數(shù)的測(cè)量25-27
• 2.4 本章小結(jié)27-28
• 第三章 新的HTS薄膜微波表面電阻分布測(cè)試裝置的研制28-47
• 3.1 分布測(cè)試裝置的不足28
• 3.2 新的分布測(cè)試裝置模型28-31
• 3.3 諧振腔的結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)及仿真優(yōu)化31-38
• 3.3.1 材料選擇31
• 3.3.2 腔體設(shè)計(jì)31-38
• 3.4 本征模式下測(cè)試裝置的測(cè)試仿真38-40
• 3.5 耦合結(jié)構(gòu)的設(shè)計(jì)及仿真優(yōu)化40-46
• 3.6 本章小結(jié)46-47
• 第四章 分布測(cè)試裝置準(zhǔn)確校準(zhǔn)的設(shè)計(jì)47-72
• 4.1 A值的準(zhǔn)確獲取47-61
• 4.1.1 理論分析47-50
• 4.1.2 藍(lán)寶石配對(duì)選擇50-58
• 4.1.3 金屬環(huán)58-60
• 4.1.4 銷釘緊配合60-61
• 4.2 B值的準(zhǔn)確獲得61-71
• 4.2.1 設(shè)計(jì)鍍金諧振腔62-70
• 4.2.2 金板和金腔的加工70-71
• 4.3 本章小結(jié)71-72
• 第五章 實(shí)驗(yàn)結(jié)果及分析72-84
• 5.1 測(cè)試實(shí)驗(yàn)的準(zhǔn)備工作72-73
• 5.2 分布測(cè)試裝置的校準(zhǔn)實(shí)驗(yàn)73-76
• 5.3 分布測(cè)試的結(jié)果及分析76-83
• 5.4 本章小結(jié)83-84
• 第六章 結(jié)論84-86
• 6.1 總結(jié)84
• 6.2 展望84-86
• 致謝86-87
• 參考文獻(xiàn)87-91

【相似文獻(xiàn)】

中國期刊全文數(shù)據(jù)庫 前10條

1 萬杰;季魯;何明;吳敬波;房玉榮;金飚兵;;Tl_2Ba_2CaCu_2O_8高溫超導(dǎo)薄膜的太赫茲傳輸研究[J];低溫物理學(xué)報(bào);2012年06期

2 范永昌;安承武;周風(fēng)晴;陸冬生;;高溫超導(dǎo)薄膜的激光制備技術(shù)及其展望[J];激光技術(shù);1989年05期

3 一葦;;高電流密度的高溫超導(dǎo)薄膜[J];科學(xué);1995年05期

4 程建邦,趙玉珍,黃錫成,趙柏儒;高溫超導(dǎo)薄膜材料的非破壞組份測(cè)定[J];低溫物理學(xué)報(bào);1989年05期

5 曉晨;;激光加熱有利于制作高溫超導(dǎo)薄膜[J];激光與光電子學(xué)進(jìn)展;1992年10期

6 史力斌;王東;張琛;張國華;羅勝;張雪強(qiáng);李春光;黎紅;何豫生;;高溫超導(dǎo)薄膜微波非線性研究的進(jìn)展[J];物理;2006年04期

7 高曉昕;季魯;葛德勇;趙新杰;何明;張旭;宋峰;李偉;;多層高溫超導(dǎo)薄膜研究[J];低溫與超導(dǎo);2013年02期

8 伍瑞新，，錢珉，吳培亨;散射參數(shù)的選擇對(duì)高溫超導(dǎo)薄膜表面阻抗影響的分析[J];低溫物理學(xué)報(bào);1995年01期

9 方蘭,閻少林;用陽離子置換法制備汞系高溫超導(dǎo)薄膜[J];南開大學(xué)學(xué)報(bào)(自然科學(xué)版);1999年03期

10 趙艷艷;;高溫超導(dǎo)薄膜微波表面電阻測(cè)試方法討論[J];科技信息(學(xué)術(shù)研究);2007年05期

中國重要會(huì)議論文全文數(shù)據(jù)庫 前2條

1 劉淑芳;官伯然;;高溫超導(dǎo)薄膜非線性特性研究[A];2003'全國微波毫米波會(huì)議論文集[C];2003年

2 張興義;;高溫超導(dǎo)薄膜磁通崩塌實(shí)驗(yàn)觀測(cè)技術(shù)[A];中國力學(xué)大會(huì)——2013論文摘要集[C];2013年

中國重要報(bào)紙全文數(shù)據(jù)庫 前1條

1 劉其丕;鉈系高溫超導(dǎo)薄膜項(xiàng)目摘碩果[N];中國有色金屬報(bào);2004年

中國博士學(xué)位論文全文數(shù)據(jù)庫 前4條

1 補(bǔ)世榮;高溫超導(dǎo)薄膜微波強(qiáng)非線性理論及應(yīng)用研究[D];電子科技大學(xué);2009年

2 趙新杰;高溫超導(dǎo)薄膜的研制[D];中國科學(xué)院研究生院（物理研究所）;2001年

3 游峰;面向微波應(yīng)用的鉈系高溫超導(dǎo)薄膜研究[D];南開大學(xué);2010年

4 鄒雄飛;高溫超導(dǎo)薄膜微波非線性的全波分析研究[D];電子科技大學(xué);2013年

中國碩士學(xué)位論文全文數(shù)據(jù)庫 前8條

1 葛高煒;高溫超導(dǎo)薄膜的本征表面阻抗測(cè)量[D];南京大學(xué);2016年

2 褚青如;高溫超導(dǎo)薄膜R_S分布測(cè)試裝置的研制[D];電子科技大學(xué);2016年

3 趙艷艷;高溫超導(dǎo)薄膜微波表面電阻測(cè)試的研究[D];電子科技大學(xué);2006年

4 雷宇;高溫超導(dǎo)薄膜微波表面電阻測(cè)試的研究[D];電子科技大學(xué);2005年

5 唐s

本文編號(hào)：1025026