發(fā)布時間：2017-09-08 14:03

  本文關(guān)鍵詞：搶占第三代半導(dǎo)體戰(zhàn)略制高點——訪中國工程院院士屠海令

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【摘要】：正第三代半導(dǎo)體材料將掀起一場怎樣的技術(shù)革命?我國布局第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)將會遇到什么問題?有獨到見解和實際工作經(jīng)驗的中國工程院院士屠海令對記者表示,第三代半導(dǎo)體應(yīng)用領(lǐng)域會非常廣泛,目前的關(guān)鍵是搶抓機遇,突破技術(shù)瓶頸、找準應(yīng)用方向、有效整合資源。
【關(guān)鍵詞】： 第三代半導(dǎo)體;中國工程院院士;戰(zhàn)略制高點;搶抓機遇;氮化鎵;寬禁帶半導(dǎo)體;應(yīng)用領(lǐng)域;碳化硅材料;藍光發(fā)光二極管;國家戰(zhàn)略;
【分類號】：F426.63
【正文快照】： 第三代半導(dǎo)體材料將掀起一場怎樣的技術(shù)革命?我國布局第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)將會遇到什么問題?有獨到見解和實際工作經(jīng)驗的中國工程院院士屠海令對記者表示,第三代半導(dǎo)體應(yīng)用領(lǐng)域會非常廣泛,目前的關(guān)鍵是搶抓機遇,突破技術(shù)瓶頸、找準應(yīng)用方向、有效整合資源。 廣泛的基礎(chǔ)性和重要

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中國期刊全文數(shù)據(jù)庫 前9條

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本文編號：814435