本文關(guān)鍵詞：第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)概況剖析

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【摘要】：技術(shù)創(chuàng)新是推動(dòng)產(chǎn)業(yè)發(fā)展的永恒動(dòng)力。當(dāng)前,在科技強(qiáng)國(guó)的背景下,以碳化硅、氮化鎵為代表的第三代寬禁帶半導(dǎo)體材料憑借著其優(yōu)異的特性得到了世界各國(guó)的高度重視。我國(guó)政府高度重視第三代半導(dǎo)體材料的研究與開(kāi)發(fā),啟動(dòng)了一系列重大研究項(xiàng)目。
【作者單位】： 河北科技大學(xué);
【分類號(hào)】：TN304;F426.63
【正文快照】： 1引言 由于第三代半導(dǎo)體材料具有非常顯著的性能優(yōu)勢(shì)和巨大的產(chǎn)業(yè)帶動(dòng)作用,歐美日等發(fā)達(dá)國(guó)家和地區(qū)都把發(fā)展碳化硅半導(dǎo)體技術(shù)列入國(guó)家戰(zhàn)略,投入巨資支持發(fā)展[1]。本文將對(duì)第三代半導(dǎo)體材料的定義、特性以及各國(guó)研發(fā)情況進(jìn)行詳細(xì)剖析。 1.1第一代半導(dǎo)體材料概況 第一代半導(dǎo)

【參考文獻(xiàn)】

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【共引文獻(xiàn)】

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【二級(jí)參考文獻(xiàn)】

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【相似文獻(xiàn)】

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9 ;[J];;年期

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本文編號(hào)：1179524