本文關(guān)鍵詞：上海發(fā)展IGBT技術(shù)及產(chǎn)業(yè)規(guī)劃的建議

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【摘要】：IGBT是綜合MOS管和雙極晶體管特征優(yōu)勢的一種新型半導(dǎo)體復(fù)合器件,自面世以來,IGBT以其優(yōu)越的動靜態(tài)性能作為一種新型電力電子半導(dǎo)體的器件。在國家大力發(fā)展新興戰(zhàn)略性產(chǎn)業(yè)政策的推動下,IGBT不僅在傳統(tǒng)領(lǐng)域具有巨大的市場需求,而且在新興戰(zhàn)略性產(chǎn)業(yè)市場需要方面也迅速增長。行業(yè)協(xié)會在IGBT技術(shù)產(chǎn)業(yè)趨勢和規(guī)劃研究的項(xiàng)目課題中,分析重點(diǎn)內(nèi)容、制定階段目標(biāo)計劃,提出IGBT技術(shù)和產(chǎn)業(yè)發(fā)展的保障措施和對策建議,積極推動國家和上海IGBT技術(shù)與產(chǎn)業(yè)的進(jìn)步發(fā)展。
【作者單位】： 上海市集成電路行業(yè)協(xié)會;
【關(guān)鍵詞】： 大功率半導(dǎo)體 新能源應(yīng)用 IGBT
【基金】：上海市軟科學(xué)研究計劃項(xiàng)目(15692107200)
【分類號】：F426.63;TN322.8
【正文快照】： 1引言 當(dāng)前,世界各大功率半導(dǎo)體公司對IGBT的研發(fā)日益高漲。研究開發(fā)和技術(shù)創(chuàng)新日益加快。IGBT主要集中在歐美日等國家,相比而言,國內(nèi)IGBT技術(shù)研究開發(fā)起步較早,但進(jìn)展緩慢,特別是在IGBT產(chǎn)業(yè)化方面還處于起步階段。我國作為全球最大的IGBT應(yīng)用市場,目前IGBT產(chǎn)品仍主要依賴進(jìn)

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2 武s，

本文編號：1020583