本文關(guān)鍵詞： 互聯(lián) 碳納米管 電流密度 傳播常量 特性阻抗 片上系統(tǒng)　出處：《Frontiers of Information Technology & Electronic Engineering》2017年02期 　論文類型：期刊論文

【摘要】：在未來的高頻系統(tǒng)芯片,特別是片上網(wǎng)絡的設計中,知識產(chǎn)權(quán)模塊之間的聯(lián)系至為關(guān)鍵,而單壁納米碳管則是其中一種很有前景的納米結(jié)構(gòu)。電路及系統(tǒng)尺寸的不斷縮減限制了對1000 GH級別高頻信號特征的利用。本文針對不同結(jié)構(gòu)構(gòu)型的單壁納米碳管,對高質(zhì)量互聯(lián)中四項重要的四項電參數(shù)——阻抗,傳播常量,電流密度以及信號延時進行了推導。每個參數(shù)均表現(xiàn)出了對其設計互聯(lián)頻率范圍和構(gòu)型的強相關(guān)性。與現(xiàn)有理論和實驗結(jié)果相比,本文所提出的模型在解決下一代高速集成電路互聯(lián)問題上有其新穎性。
[Abstract]:In the future high frequency system chip, especially the design of the on-chip network, the connection between intellectual property modules is crucial. Single walled carbon nanotubes are one of the promising nanostructures. The use of high-frequency signal characteristics of GH level. In this paper, single-walled carbon nanotubes with different structures are used. For four important electrical parameters in high quality interconnection, impedance, propagation constant. The current density and signal delay are derived. Each parameter shows strong correlation to the design frequency range and configuration. Compared with the existing theoretical and experimental results. The model presented in this paper is novel in solving the interconnection problem of next generation high-speed integrated circuits.
【作者單位】： Institute
【分類號】：TN47
【正文快照】： 1 IntroductionSystem-on-chip(So C)and embedded computersare in extensive use all over the world today.Manyof the necessary subsystems are available now forintegration into a single chip to construct an So C.These systems require less space and power,and

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本文編號：1457858