發(fā)布時(shí)間：2022-12-08 02:29

　　二維過渡金屬硫族化合物（transition metal dichalcogenide,TMDC）具有獨(dú)特的結(jié)構(gòu)與光電性質(zhì),在光電子、能源環(huán)境、生物醫(yī)學(xué)等領(lǐng)域展現(xiàn)出廣闊的應(yīng)用潛力。二維TMDC具有層狀結(jié)構(gòu),層與層之間通過弱的范德華力結(jié)合,因而可以通過剝離的方法制備得到TMDC納米片。當(dāng)TMDC的厚度降低至幾層甚至單層時(shí),或者橫向尺寸降到極小尺寸（＜10 nm）時(shí),TMDC材料的電子結(jié)構(gòu)發(fā)生顯著變化,并受到量子限域效應(yīng)的影響,表現(xiàn)出獨(dú)特的物理和化學(xué)性質(zhì)。例如,小尺寸的TMDC納米片以及TMDC納米點(diǎn)具有高比表面積,大量不飽和位點(diǎn),以及優(yōu)異的催化能力、熒光淬滅能力、生物分子負(fù)載能力和良好的生物相容性,成為催化產(chǎn)氫、生物傳感、疾病診療等領(lǐng)域的研究熱點(diǎn)。盡管當(dāng)前已有多種單層或少層的TMDC納米片的制備方法,如機(jī)械剝離、化學(xué)氣相沉積、化學(xué)插層、超聲剝離、膠體化學(xué)等,但是這些方法仍然存在效率低、尺寸較大、條件苛刻等問題,阻礙了小尺寸TMDC納米片和TMDC納米點(diǎn)的研究與應(yīng)用。在本文中,我們發(fā)展了一種高分子輔助球磨法,實(shí)現(xiàn)小尺寸TMDC納米片（＜40 nm）的高效制備;在此基礎(chǔ)上進(jìn)一步引入無機(jī)鹽,發(fā)... 

【文章頁數(shù)】：80 頁

【學(xué)位級別】：碩士

【文章目錄】：
摘要
abstract
第一章 緒論
    1.1 引言
    1.2 二維過渡金屬硫族化合物的結(jié)構(gòu)和性質(zhì)
    1.3 二維過渡金屬硫族化合物納米片的制備方法
        1.3.1 化學(xué)氣相沉積法
        1.3.2 膠體化學(xué)法
        1.3.3 化學(xué)插層法
        1.3.4 電化學(xué)插層法
        1.3.5 機(jī)械剝離法
        1.3.6 超聲剝離法
        1.3.7 流體動力法
        1.3.8 球磨法
        1.3.9 制備方法小結(jié)
    1.4 二維過渡金屬硫族化合物的生物醫(yī)學(xué)應(yīng)用
        1.4.1 生物傳感
        1.4.2 生物成像
        1.4.3 腫瘤治療
        1.4.4 抗菌
    1.5 本論文的研究思路
第二章 高分子輔助球磨法制備小尺寸的WSe_2納米片
    2.1 概述
    2.2 實(shí)驗(yàn)部分
        2.2.1 實(shí)驗(yàn)試劑
        2.2.2 實(shí)驗(yàn)儀器
        2.2.3 CMC輔助球磨制備WSe_2納米片
        2.2.4 其它高分子對納米片制備的影響
        2.2.5 球磨轉(zhuǎn)速對納米片制備的影響探究
        2.2.6 球磨時(shí)間對納米片制備的影響探究
        2.2.7 表征儀器與方法
    2.3 實(shí)驗(yàn)結(jié)果與討論
        2.3.1 WSe_2納米片的形貌表征
        2.3.2 WSe_2納米片的結(jié)構(gòu)表征
        2.3.3 WSe_2納米片的成分表征
        2.3.4 WSe_2納米片的光學(xué)性質(zhì)表征
        2.3.5 高分子種類對納米片制備的影響
        2.3.6 球磨轉(zhuǎn)速對納米片制備的影響
        2.3.7 球磨時(shí)間對納米片制備的影響
    2.4 本章小結(jié)
第三章 高分子輔助球磨法通用性的研究
    3.1 概述
    3.2 實(shí)驗(yàn)部分
        3.2.1 實(shí)驗(yàn)試劑
        3.2.2 實(shí)驗(yàn)儀器
        3.2.3 MoS_2、MoSe_2和WS_2納米片的制備
        3.2.4 石墨烯和氮化硼納米片的制備
        3.2.5 表征儀器與方法
    3.3 實(shí)驗(yàn)結(jié)果與討論
        3.3.1 MoS_2、MoSe_2和WS_2納米片的形貌表征
        3.3.2 MoS_2、MoSe_2和WS_2納米片的結(jié)構(gòu)表征
        3.3.3 MoS_2、MoSe_2和WS_2納米片的成分表征
        3.3.4 MoS_2、MoSe_2和WS_2納米片的光學(xué)性質(zhì)表征
        3.3.5 石墨烯和氮化硼納米片的形貌表征
    3.4 本章小結(jié)
第四章 高分子-無機(jī)鹽輔助球磨制備WSe_2納米點(diǎn)
    4.1 概述
    4.2 實(shí)驗(yàn)部分
        4.2.1 實(shí)驗(yàn)試劑
        4.2.2 實(shí)驗(yàn)儀器
        4.2.3 實(shí)驗(yàn)方法
        4.2.4 表征儀器與方法
    4.3 實(shí)驗(yàn)結(jié)果與討論
        4.3.1 WSe_2納米點(diǎn)的形貌表征
        4.3.2 WSe_2納米點(diǎn)的成分表征
        4.3.3 WSe_2納米點(diǎn)的光學(xué)性質(zhì)表征
    4.4 本章小結(jié)
第五章 高分子修飾的WSe_2納米片抗菌活性研究
    5.1 概述
    5.2 實(shí)驗(yàn)部分
        5.2.1 實(shí)驗(yàn)試劑
        5.2.2 實(shí)驗(yàn)儀器
        5.2.3 WSe_2納米片制備
        5.2.4 實(shí)驗(yàn)試劑的配制
        5.2.5 WSe_2納米片的細(xì)胞毒性測試
        5.2.6 WSe_2納米片的抗菌活性研究
        5.2.7 表征儀器與方法
    5.3 實(shí)驗(yàn)結(jié)果與討論
        5.3.1 WSe_2納米片的膠體穩(wěn)定性
        5.3.2 WSe_2納米片的細(xì)胞毒性
        5.3.3 孵育時(shí)間對WSe_2納米片抗菌活性的影響
        5.3.4 尺寸對WSe_2納米片抗菌活性的影響
        5.3.5 高分子修飾對WSe_2納米片抗菌活性的影響
    5.4 本章小結(jié)
第六章 總結(jié)與展望
參考文獻(xiàn)
附錄1 攻讀碩士學(xué)位期間撰寫的論文
附錄2 攻讀碩士學(xué)位期間申請的專利
附錄3 攻讀碩士學(xué)位期間參加的科研項(xiàng)目
致謝



本文編號：3713360