工作條件對(duì)308nm紫外燈管和氯化氙準(zhǔn)分子燈的效率的影響
發(fā)布時(shí)間:2022-01-13 07:46
使用一維流體模型,在大范圍的工作條件下對(duì)Xe-Cl-2混合物中的阻擋放電的電介質(zhì)進(jìn)行了數(shù)值模擬,以此研究介質(zhì)阻擋放電對(duì)XeCl*準(zhǔn)分子輻射的影響。文章提出了一種簡(jiǎn)化的化學(xué)動(dòng)力學(xué)方案,并用長(zhǎng)期化學(xué)動(dòng)力學(xué)進(jìn)行了基準(zhǔn)測(cè)試。結(jié)果表明:放電特性的精度損失有限,但計(jì)算時(shí)間比完整版本快2倍。模擬結(jié)果表明:放電呈典型的發(fā)光狀。在故障期間,陰極下降區(qū)域收縮至85μm。此時(shí),鞘中XeCl*分子的密度最大,XeCl*的主要通道是魚叉反應(yīng)。結(jié)果表明:在低氣壓、高交流電壓頻率和高間隙寬度條件下,紫外燈管輻射效率最高。輻射效率與源交流電壓的幅值關(guān)系不大。
【文章來源】:中國(guó)高新科技. 2020,(07)
【文章頁(yè)數(shù)】:3 頁(yè)
【部分圖文】:
一維AP DBD示意圖
采用直線的方法求解了式(1)(2)等偏微分方程組的適當(dāng)邊界和初始條件。在這些方法中,利用有限差分近似對(duì)空間導(dǎo)數(shù)進(jìn)行解算。因此,每個(gè)因變量的節(jié)點(diǎn)值都成為未知的時(shí)間函數(shù)。采用控制體積法對(duì)準(zhǔn)均勻網(wǎng)格進(jìn)行離散化。這考慮到因變量的特定行為,即它們?cè)谶吘壧幍拇筇荻。通量和電?chǎng)等矢量分量在CV邊緣離散、顆粒密度和CV中心電位等標(biāo)量值離散。電子和離子通量由ScharfetterGummel近似估計(jì)。
電流密度的降低是由于在放電體積中產(chǎn)生并流向電介質(zhì)的電子和離子對(duì)介電層充電。這可以從燃?xì)廨啓C(jī)電壓的時(shí)間演變上看得很清楚,在快速電流增大時(shí)電壓開始下降,放電電流脈沖結(jié)束時(shí)電壓降至0.8kV。為了了解Xe-Cl2 DBD放電結(jié)構(gòu)的變化,本文研究了相關(guān)的功率吸收。圖3表示出了對(duì)于DBD的3個(gè)不同間隙寬度、電子以及正離子和負(fù)離子在一個(gè)周期內(nèi)的功率吸收的時(shí)間分布。由帶電物質(zhì)吸收的空間平均功率和下列間隙寬度(以mm為單位)的時(shí)間函數(shù):4(實(shí)線)、6(虛線)和8(虛線);T=10μs。結(jié)果表明:電子在氣體擊穿過程中吸收能量占主導(dǎo)地位,離子在余輝過程中吸收能量占主導(dǎo)地位?梢郧宄乜吹,隨著放電間隙寬度的增加,電子峰值功率沉積的大小略有減少,其對(duì)應(yīng)的時(shí)間隨著間隙寬度的增大而發(fā)生位移,這些時(shí)間對(duì)應(yīng)于擊穿次數(shù),這一峰值導(dǎo)致放電電流密度突然增大。
本文編號(hào):3586013
【文章來源】:中國(guó)高新科技. 2020,(07)
【文章頁(yè)數(shù)】:3 頁(yè)
【部分圖文】:
一維AP DBD示意圖
采用直線的方法求解了式(1)(2)等偏微分方程組的適當(dāng)邊界和初始條件。在這些方法中,利用有限差分近似對(duì)空間導(dǎo)數(shù)進(jìn)行解算。因此,每個(gè)因變量的節(jié)點(diǎn)值都成為未知的時(shí)間函數(shù)。采用控制體積法對(duì)準(zhǔn)均勻網(wǎng)格進(jìn)行離散化。這考慮到因變量的特定行為,即它們?cè)谶吘壧幍拇筇荻。通量和電?chǎng)等矢量分量在CV邊緣離散、顆粒密度和CV中心電位等標(biāo)量值離散。電子和離子通量由ScharfetterGummel近似估計(jì)。
電流密度的降低是由于在放電體積中產(chǎn)生并流向電介質(zhì)的電子和離子對(duì)介電層充電。這可以從燃?xì)廨啓C(jī)電壓的時(shí)間演變上看得很清楚,在快速電流增大時(shí)電壓開始下降,放電電流脈沖結(jié)束時(shí)電壓降至0.8kV。為了了解Xe-Cl2 DBD放電結(jié)構(gòu)的變化,本文研究了相關(guān)的功率吸收。圖3表示出了對(duì)于DBD的3個(gè)不同間隙寬度、電子以及正離子和負(fù)離子在一個(gè)周期內(nèi)的功率吸收的時(shí)間分布。由帶電物質(zhì)吸收的空間平均功率和下列間隙寬度(以mm為單位)的時(shí)間函數(shù):4(實(shí)線)、6(虛線)和8(虛線);T=10μs。結(jié)果表明:電子在氣體擊穿過程中吸收能量占主導(dǎo)地位,離子在余輝過程中吸收能量占主導(dǎo)地位?梢郧宄乜吹,隨著放電間隙寬度的增加,電子峰值功率沉積的大小略有減少,其對(duì)應(yīng)的時(shí)間隨著間隙寬度的增大而發(fā)生位移,這些時(shí)間對(duì)應(yīng)于擊穿次數(shù),這一峰值導(dǎo)致放電電流密度突然增大。
本文編號(hào):3586013
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