發(fā)布時(shí)間：2020-07-09 14:27

【摘要】：目的：采用腦電圖—功能磁共振(EEG—fMRI)同步聯(lián)合方法,探索癲癇伴慢波睡眠期持續(xù)棘慢波(Epilepsy with continuous spike-waves during slow sleep, CSWS)患兒的癲癇刺激灶的定位和癲癇對(duì)靜息態(tài)腦默認(rèn)模式網(wǎng)絡(luò)(default mode network, DMN)的影響。 方法：EEG—fMRI同步聯(lián)合記錄15例CSWS患兒(8-14歲)靜息態(tài)下的EEG數(shù)據(jù)和fMRI數(shù)據(jù),基于局部一致性方法算出fMRI激活圖,比較fMRI的激活圖與EEG異常放電的空間位置關(guān)系,同時(shí)觀察CSWS異常大量放電(其中包括額區(qū)異常放電)對(duì)靜息態(tài)大腦默認(rèn)模式網(wǎng)絡(luò)DMN的影響。 結(jié)果：2例患兒由于頭動(dòng)數(shù)據(jù)廢棄,其余13例配合性好,EEG異常放電與fMRI激活圖的空間位置關(guān)系,13例患兒中8例對(duì)位較好,3例對(duì)位尚可,2例對(duì)位不佳。對(duì)DMN的影響,13例患兒中6例DMN有明顯抑制,5例DMN下降,2例DMN無(wú)明顯影響。 結(jié)論：EEG—fMRI同步聯(lián)合方法能夠?qū)Πd癇刺激灶進(jìn)行定位,CSWS異常放電對(duì)靜息態(tài)大腦默認(rèn)模式網(wǎng)絡(luò)有不同程度的影響。 目的：觀察睡眠中癲癇性電持續(xù)狀態(tài)(electrical status epilepticus during sleep, ESES)患兒執(zhí)行學(xué)習(xí)-再認(rèn)任務(wù)、GO-NOGO任務(wù)及Oddball任務(wù)時(shí)所誘發(fā)的事件相關(guān)電位(event-related potentials, ERPs)P300特點(diǎn),探討P300在ESES患兒中對(duì)智力、記憶力及反應(yīng)能力評(píng)估中的作用。 方法：記錄50例ESES患兒執(zhí)行學(xué)習(xí)-再認(rèn)任務(wù)、GO-NOGO任務(wù)及Oddball任務(wù)所誘發(fā)的ERPs,同時(shí)進(jìn)行智力測(cè)試做參照。對(duì)照組為25例性別及年齡相匹配的正常兒童,同樣執(zhí)行上述三種任務(wù)和智力測(cè)驗(yàn)。 結(jié)果：ESES患兒在三種任務(wù)中ERPs與對(duì)照組相比差異有統(tǒng)計(jì)學(xué)差異(P0.05),同時(shí)智力測(cè)驗(yàn)如語(yǔ)言智商(verbal intelligence quotient, VIQ)、操作智商(produce intelligence quotien, PIQ)和總智商(full-scale intelligence quotien, FIQ)與對(duì)照組相比較有統(tǒng)計(jì)學(xué)差異(P0.05)。 結(jié)論：ERPs與智力測(cè)驗(yàn)一樣能反應(yīng)患兒的認(rèn)知功能。
【學(xué)位授予單位】：遵義醫(yī)學(xué)院
【學(xué)位級(jí)別】：碩士
【學(xué)位授予年份】：2011
【分類號(hào)】：R742.1

【參考文獻(xiàn)】

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本文編號(hào)：2747580