本文關(guān)鍵詞：微電子學(xué)雜志，由筆耕文化傳播整理發(fā)布。

微電子學(xué)雜志社/雜志簡介 《微電子學(xué)》（雙月刊）1971年創(chuàng)刊，是技術(shù)類期刊。傳播、普及、推廣微電子科學(xué)技術(shù)知識，介紹國內(nèi)微電子行業(yè)的最新研究成果和國外微電子業(yè)界的發(fā)展動態(tài)。有關(guān)微電子學(xué)基礎(chǔ)理論，微電子器件與電路,集成電路，半導(dǎo)體工藝和制造技術(shù)，集成電路封裝技術(shù)，多芯片組件技術(shù)，集成電路可靠性技術(shù)，片上系統(tǒng)，集成系統(tǒng)等領(lǐng)域的研究論文、技術(shù)報告、綜合評述、產(chǎn)品應(yīng)用等內(nèi)容。該刊重點檢索刊物、數(shù)據(jù)庫、期刊網(wǎng)站所收錄，是中國核心期刊之一。 微電子學(xué)收錄情況/影響因子 國家新聞出版總署收錄　維普網(wǎng)、萬方數(shù)據(jù)庫、知網(wǎng)數(shù)據(jù)庫、文摘雜志、化學(xué)文摘（網(wǎng)絡(luò)版）、哥白尼索引、劍橋科學(xué)文摘、劍橋科學(xué)文摘社ProQeust數(shù)據(jù)庫、物理學(xué)、電技術(shù)、計算機及控制信息數(shù)據(jù)庫、日本科學(xué)技術(shù)振興機構(gòu)中國文獻(xiàn)數(shù)據(jù)庫收錄

1、中文核心期刊：

1996-2011年連續(xù)5屆中文核心期刊（中文核心期刊(1996)、中文核心期刊(2000)、中文核心期刊(2004)、中文核心期刊(2008)、中文核心期刊(2011)）

2、CSCD中國科學(xué)引文數(shù)據(jù)庫來源期刊（2013-2014年度）（含擴展版）

3、中國科技論文統(tǒng)計源期刊（中國科技核心期刊）

4、數(shù)據(jù)：MARC數(shù)據(jù)、DC數(shù)據(jù)

5、圖書館藏：國家圖書館館藏、上海圖書館館藏

6、影響因子：

截止2014年萬方：影響因子：0.276；總被引頻次：539

截止2014年知網(wǎng)：復(fù)合影響因子：0.349；綜合影響因子：0.239

7、微電子學(xué)雜志榮譽：

中文核心期刊

信息產(chǎn)業(yè)部優(yōu)秀電子科技期刊

中國期刊方陣雙效期刊

8、偏重的研究方向：半導(dǎo)體電子器件、半導(dǎo)體科學(xué)與信息器件、信息科學(xué)

9、投稿錄用比例：100%

10、審稿速度：平均3個月的審稿周期 微電子學(xué)欄目設(shè)置 綜合評述、研究論文、技術(shù)報告、產(chǎn)品應(yīng)用。 微電子學(xué)編輯部/雜志社投稿須知 1.內(nèi)容：立意新穎，，觀點明確，內(nèi)容充實，論證嚴(yán)密，語言精煉，資料可靠，能及時反映所研究領(lǐng)域的最新成果。本刊尤為歡迎有新觀點、新方法、新視角的稿件和專家稿件。

2.格式必備與順序：標(biāo)題、作者、作者單位、摘要、關(guān)鍵詞、正文、注釋或參考文獻(xiàn)。篇幅以2200-8800字為宜。2200字左右為1個版面。

3.請在來稿末尾附上作者詳細(xì)通訊地址。包括：收件人所在地的省、市、區(qū)、街道名稱、郵政編碼、聯(lián)系電話、電子信箱、代收人的姓名以及本人要求等，務(wù)必準(zhǔn)確。論文有圖表的，請保證圖片和表格的清晰，能和文字對應(yīng)。

4.本刊實行無紙化辦公，來稿一律通過電子郵件（WORD文檔附件）或QQ發(fā)送，嚴(yán)禁抄襲，文責(zé)自負(fù)，來稿必復(fù)，來稿不退，10日未見通知可自行處理。

5.本刊來稿直接由編輯人員審閱，疑難重點稿件送交相關(guān)專家審閱，本刊堅持“公平、公正、公開、客觀”的審稿原則，實行“三審三�！敝贫�。

6.來稿一經(jīng)采用，雜志社將發(fā)出《用稿通知單》，出刊迅速，刊物精美，稿件確認(rèn)刊載后，贈送當(dāng)期雜志1冊。 微電子學(xué)同類優(yōu)質(zhì)期刊(排名不分先后)

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1.《微電子學(xué)雜志》價格能不能更便宜一些？

答:由客戶確定類型，由本站為客戶根據(jù)期刊排版日期、收費情況來推薦給客戶，價格可以適當(dāng)下調(diào)，并且出稿的速度會更快。

2.發(fā)表的信用有保證嗎？

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3.你們的網(wǎng)站有退款服務(wù)嗎？

答:請客戶保留匯款憑證。由本站發(fā)表的文章，如果沒有按期發(fā)表，由本站全額退還客戶支付的費用。

4.什么是國家級、省級、核心期刊

答:“國家級”期刊，即由黨中央、國務(wù)院及所屬各部門，或中國科學(xué)院、中國社會科學(xué)院、各民主黨派和全國性人民團(tuán)體主辦的期刊及國家一級專業(yè)學(xué)會主辦的會刊。“省級”期刊即由各省、自治區(qū)、直轄市及其所屬部、委辦、廳、局主辦的期刊以及由各本、�？圃盒Ｖ鬓k的學(xué)報（刊）。核心期刊是學(xué)術(shù)界通過一整套科學(xué)的方法，對于期刊質(zhì)量進(jìn)行跟蹤評價，并以情報學(xué)理論為基礎(chǔ)，將期刊進(jìn)行分類定級，把最為重要的一級稱之為核心期刊。

5.一般多長時間能夠發(fā)表？

答:根據(jù)客戶的要求和選擇的期刊類型不同，而且編輯部也有審稿、發(fā)稿等時間安排，《中外文摘》一般是1－4個月見刊，不排除有更長久的時間，建議有需求的用戶一般提前2個月就開始提交業(yè)務(wù)比較理想。

6.我可以隨時跟蹤進(jìn)展情況嗎？

答:當(dāng)然，我們的每一位客戶，都會分配一名專職的客服經(jīng)理為你全程負(fù)責(zé)，隨時通報進(jìn)展情況。

7.是否可以真的做到100%發(fā)表？

答:一般來說，可以做到98%以上準(zhǔn)時發(fā)表，如果編輯手里需要發(fā)表的文章已經(jīng)比較多的時候，就會推遲一些。如果稿件質(zhì)量確實較差，我們的專業(yè)老師會幫助你修改一下。該期刊特別忙的話，在征得客戶你的同意后，可以免費更換到同級的期刊發(fā)表。

8.可以通過那些方式付款？

答:目前，我們支持工商銀行、建設(shè)銀行、農(nóng)業(yè)銀行、中國銀行、郵政儲蓄等銀行的柜臺匯款；網(wǎng)銀在線付款；支付寶、淘寶在線付款；企業(yè)的對工帳戶付款。我們的法人代表是“任本芬”、對工帳戶是“四川博文網(wǎng)絡(luò)科技有限責(zé)任公司”，有疑問請聯(lián)系投訴與建議中心楊老師：13378216660。

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《微電子學(xué)》論文發(fā)表范例 一種用于高速高精度A/D轉(zhuǎn)換器的時鐘穩(wěn)定電路徐鳴遠(yuǎn) 沈曉峰 朱璨 (309)
一種高速數(shù)據(jù)接收同步電路的設(shè)計劉軍 楊毓軍 傅東兵 張瑞濤 李煜璟 (313)
高性能電荷泵電路設(shè)計與HSPICE仿真張序 于海勛 (317)
一種基于二階Σ-Δ調(diào)制的D類放大器的設(shè)計沈曉峰 朱璨 徐鳴遠(yuǎn) 張正平 (321)
一種嵌入式12位300 MHz D/A轉(zhuǎn)換器付麗曼 陳珍海 陶建中 (325)
面向多媒體信息處理的可重構(gòu)BOOTH乘法器設(shè)計孫川 王友仁 張砦 孔德明 (329)
一種用于大功率D類功率放大器的快速啟動LDO莊海孝 馬成炎 葉甜春 黃偉 (334)
DC-DC變換器中CMOS電荷泵鎖相環(huán)的設(shè)計黃可 馮全源 (339)
基于BSIM3V3模型的E類CMOS功率放大器設(shè)計陳遠(yuǎn)均 徐建城 王嬋媛 (343)
一種小面積低功耗串行AES硬件加解密電路韓少男 李曉江 (347)
無刷直流振動電機驅(qū)動電路設(shè)計徐躍 楊英強 (354)
基于ALU架構(gòu)的面積優(yōu)化FIR濾波器設(shè)計廖永波 李平 阮愛武 李文昌 李威 (358)
最少元件MO-CDTA通用二階濾波器和振蕩器李永安 忽滿利 (362)
超高壓集成電路中的閂鎖效應(yīng)與仿真程東方 易志飛 (365)
片上多頻正弦波的實現(xiàn)唐圣學(xué) 何怡剛 陳麗 (369)
帶內(nèi)噪聲整形連續(xù)時間濾波器陳勇 周玉梅 (374)
一種高階通用對數(shù)濾波器的設(shè)計方法張玲 曾以成 楊紅姣 (378)
適用于諧振時鐘的CMOS觸發(fā)器研究葉茂 劉海南 周玉梅 (382)
基于陣列結(jié)構(gòu)的ECC算法核心運算模塊設(shè)計楊玲 王友仁 (387)
一種高性能智能卡的設(shè)計實現(xiàn)戴鵬 葉兆華 張哲 王新安 張興 (392)
基于CMOS工藝的全芯片ESD保護(hù)電路設(shè)計向洵 劉凡 楊偉 徐佳麗 (396)
一種高效降壓型DC/DC變換器控制電路的設(shè)計廖敏 胡永貴 (400)
大功率低THD＋N的D類音頻功率放大器黃偉 馬成炎 葉甜春 (406)
非規(guī)則柵結(jié)構(gòu)PD CMOS/SOI器件SPICE模型參數(shù)分析賀威 張正選 (411)
工藝變化下互連線建模與ABCD參數(shù)仿真張瑛 楊恒新 車晶 丁可柯 (416)
基于閾值電壓漂移的VDMOS壽命評價陳鏡波 何小琦 章曉文 (421)
一種具有雙面界面電荷島結(jié)構(gòu)的SOI高壓器件胡盛東 張波 李肇基 (425)
電化學(xué)制備金錫合金薄膜技術(shù)研究劉欣 胡立雪 羅馳 (430)
芯片凸點電鍍中的清潔生產(chǎn)技術(shù)羅馳 胡彥彬 (434)
高溫對金-鋁系統(tǒng)電阻和強度的影響研究胡立雪 秦嶺 (436)
電場偏置對MOS器件電離輻射效應(yīng)的影響劉遠(yuǎn) 李斌 何玉娟 (440)
基于SGOI和CESL結(jié)構(gòu)的新型應(yīng)變硅NMOSFET的有限元研究周東 張慶東 顧曉峰 (444)
亞微米PD CMOS/SOI工藝及H柵單邊體引出研究李寧 劉存生 孫麗玲 薛智民 (448)
氧化硅薄膜的制備和性質(zhì)研究王新 向嶸 李野 王國政 姜德龍 端木慶鐸 田景全 (454)
100V N溝道VDMOS寄生電容研究唐昭煥 劉勇 胡永貴 羊慶玲 楊永暉 譚開洲 (457)
深亞微米抗輻照PDSOI nMOSFET的熱載流子效應(yīng)卜建輝 畢津順 宋李梅 韓鄭生 (461)
并行分時流水線A／D轉(zhuǎn)換器系統(tǒng)級研究王友華 張俊安 余金山 王永祿 (165)
0．35μm SiGe BiCMOS 10位1GSPS單片直接數(shù)字頻率合成器傅東兵 劉軍 張瑞濤 嚴(yán)綱 俞宙 李儒章 (169)
一種∑-△A／D轉(zhuǎn)換器抽取濾波器的設(shè)計吳倩瑜 張正瑤 李儒章 石立春 (173)
SOC軟硬件協(xié)同仿效系統(tǒng)的通訊協(xié)議設(shè)計廖永波 李平 阮愛武 李威 李文昌 李輝 (177)
低功耗CMOS低噪聲放大器的分析與設(shè)計劉高輝 張金燦 (182)
一種增益可控音頻前置放大器電路的設(shè)計潘文光 于云豐 馬成炎 葉甜春 (186)
一種12位50MSPS流水線逐次逼近A／D轉(zhuǎn)換器董磊 涂志娣 王百鳴 陽廣 薛超杰 劉浩瑞 (190)
一種基于高壓工藝的高精度電流采樣電路易長根 明鑫 周澤坤 張波 (195)
一種用于半并行A／D轉(zhuǎn)換器的比較器設(shè)計徐鳴遠(yuǎn) 周述濤 朱璨 沈曉峰 (199)
通用二階曲率補償帶隙基準(zhǔn)電壓源吳貴能 周瑋 李儒章 董少青 (204)
數(shù)字電視調(diào)諧器中鎖相環(huán)鎖定時間的計算吳秀龍 吉新春 吳建輝 (209)
一種應(yīng)用于DSP嵌入式存儲器的靈敏放大器設(shè)計王藝燃 于宗光 (212)
一種可切換的雙頻段CMOS低噪聲放大器武振宇 馬成炎 葉甜春 莊海孝 (217)
一種新型低電壓極限電流檢測電路許小麗 馮全源 (222)
CMOS射頻功率放大器中的變壓器合成技術(shù)張宗楠 趙磊 張海英 (226)
基于新型雙模分頻器的低功耗多模分頻器于云豐 馬成炎 葉甜春 (230)
TH—UWB通信系統(tǒng)數(shù)字接收機的芯片設(shè)計段吉海 潘磊 覃宇飛 李晟 (235)
一種新型低噪聲高均勻性紅外焦平面讀出電路呂堅 周云 張東路 蔣亞東 (239)
2～12GHzCMOS超寬帶低噪聲放大器設(shè)計羅文遠(yuǎn) 王春華 杜四春 (243)
一種新的正交直接數(shù)字頻率合成器設(shè)計方案王革思 張勇 何煜 李萌 (248)
一種低功耗三相無刷電機驅(qū)動控制器的設(shè)計李偉東 唐萬軍 龐佑兵 (252)
柔性結(jié)構(gòu)的AES加密芯片設(shè)計李喆 李洪革 鄧征 (256)
基于中間件的異構(gòu)數(shù)據(jù)集成系統(tǒng)設(shè)計裴玉玲 龐佑兵 (260)
PCR微流體芯片溫度控制系統(tǒng)的設(shè)計劉超 楊盛 (265)
一種基于差動放大器的超高速脈寬調(diào)整電路朱璨 徐嗚遠(yuǎn) 沈曉峰 馮雯雯 (270)
降壓型DC／DC開關(guān)電源中的電壓前饋技術(shù)王敬 范哲 冉建橋 索武生 胡永貴 (274)
DC／DC模塊中功率器件的壽命預(yù)計方法黃春益 馬衛(wèi)東 張喆 謝雪松 呂長志 李志國 (278)
耗盡型4H-SiC埋溝MOSFET器件解析模型研究王巍 秘俊杰 曾勇 王曉磊 唐政維 彭能 (283)
量子元胞自動機全加器的布爾差分測試法張南生 蔡理 馮朝文 (287)
基于MCM-D工藝的3D-MCM工藝技術(shù)研究劉欣 謝廷明 羅馳 劉建華 唐哲 (291)
偽通孔對銅互連應(yīng)力誘生空洞的影響侯通賢 姚若河 林曉玲 (295)
具有傾斜表面漂移區(qū)的SOI LDMOS的工藝設(shè)計薛龍來 郭宇鋒 周井泉 孫玲 (300)
新型發(fā)射極指組合結(jié)構(gòu)功率SiGe HBT熱分析 胡寧 張萬榮 謝紅云 金冬月 陳亮 沈珮 黃璐 (305)
分段式電流舵D／A轉(zhuǎn)換器抗di／dt噪聲設(shè)計陳中盟 姚若河 (1)
WLAN中帶ESD保護(hù)的低噪聲放大器設(shè)計石春琦 馬和良 張潤曦 賴宗聲 (6)
基于0．35μmGeSi—BiCMOS工藝的1GSPS采樣保持電路張俊安 王永祿 朱璨 張正平 (11)
一種用于ADC減少插值誤差的預(yù)放大器劉元 徐江 顧川 于奇 許巧麗 (16)
一種適用于GSM DCS和ISM頻段的PIFA天線楊軍 李校林 趙為糧 (20)
一種用于高精度D／A轉(zhuǎn)換器的數(shù)字校準(zhǔn)技術(shù)朱冬梅 傅東兵 石建剛 楊衛(wèi)東 劉倫才 李開成 (24)
兩級運放中共模反饋電路的分析與設(shè)計連全文 馮全源 (29)
一種數(shù)字信號處理器中的高性能乘加器設(shè)計孫偲彥 蔣劍飛 毛志剛 (32)
寬范圍CMOS差分式雙端輸入-輸出電流傳輸器肖君宇 陳向東 蘇長遠(yuǎn) (37)
一種高性能CMOS運算放大器的設(shè)計黃君凱 徐卓慧 陳松濤 (41)
一種低功耗快速起振晶體振蕩器武振宇 馬成炎 葉甜春 (45)
模擬電路故障診斷的小波神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)方法陽輝 羅琨 何怡剛 (50)
一種新穎的可編程電壓監(jiān)測芯片葛彬杰 王新安 張興 馮曉星 汪清勤 (54)
一種高電源抑制比帶隙基準(zhǔn)源張彬 馮全源 (58)
基于FPGA的ARINC429多通道芯片設(shè)計劉連生 姜健飛 (62)
35W集成控制型HID鎮(zhèn)流器的設(shè)計張輝 王輔忠 袁神龍 (66)
用于微電容檢測的c／v電路設(shè)計與研究柴旭朝 蘇小波 顧曉峰 于宗光 (70)
自頂向下制備硅納米線環(huán)柵MOSFET新工藝宋毅 徐秋霞 (74)
低功耗低頻率低噪聲醫(yī)用模擬IC設(shè)計進(jìn)展李嚴(yán) 張元亭 (80)
納米集成電路的靜電放電防護(hù) 李明亮 董樹榮 韓雁 杜曉陽 霍明旭 郭維 郭清 (87)
一種新的OFDM系統(tǒng)載波頻偏估計算法胡薔 楊鐵軍 (94)
PCB版圖設(shè)計中的結(jié)構(gòu)建模方法研究李賢云 余興六 吳鵬 (98)
實現(xiàn)AES算法中S-BOX和INV-S-BOX的高效方法韓少男 李曉江 (103)
一種改進(jìn)的開關(guān)電容∑-△調(diào)制器的行為模型郝志剛 楊海鋼 張翀 吳其松 尹韜 (108)
多參數(shù)流水線A／D轉(zhuǎn)

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