本文關(guān)鍵詞：微納電子技術(shù)雜志，由無憂論文網(wǎng)整理發(fā)布。

微納電子技術(shù)雜志社/雜志簡介 《微電子技術(shù)》（月刊）曾用刊名：（半導(dǎo)體情報）1964年創(chuàng)刊，以促進我國納米電子技術(shù)不斷發(fā)展為辦刊目的。創(chuàng)刊4年以來，匯集了納米電子、機械、材料、制造、測量以及物理、化學(xué)和生物等不同學(xué)科新生長出來的微小和微觀領(lǐng)域的科學(xué)技術(shù)群體。

《微電子技術(shù)》通過報道國內(nèi)外納米電子技術(shù)方面的研究論文和綜述動態(tài),為納米研究領(lǐng)域的技術(shù)人員提供納米技術(shù)領(lǐng)域新的突破方法和新的研究方向，為納米技術(shù)領(lǐng)域中從事原始創(chuàng)新和基礎(chǔ)探索的科研工作者、大學(xué)教師和學(xué)生提供了一個納米電子技術(shù)成果展示、轉(zhuǎn)化和技術(shù)交流的平臺。 微納電子技術(shù)收錄情況/影響因子 國家新聞出版總署收錄　維普網(wǎng)、萬方數(shù)據(jù)庫、知網(wǎng)數(shù)據(jù)庫、文摘雜志、化學(xué)文摘（網(wǎng)絡(luò)版）、劍橋科學(xué)文摘、劍橋科學(xué)文摘社ProQeust數(shù)據(jù)庫、物理學(xué)、電技術(shù)、計算機及控制信息數(shù)據(jù)庫收錄

1、北大核心期刊：

2008-2011年連續(xù)2屆北大核心期刊（北大2008版核心期刊、北大2011版核心期刊）

2、數(shù)據(jù)：MARC數(shù)據(jù)、DC數(shù)據(jù)

3、圖書館藏：國家圖書館館藏、上海圖書館館藏

4、影響因子：

截止2014年萬方：影響因子：0.248；總被引頻次：342

截止2014年知網(wǎng)：復(fù)合影響因子：0.443；綜合影響因子：0.226

5、微納電子技術(shù)雜志榮譽：

2002-2003和2003-2004年度，均獲信息產(chǎn)業(yè)部電子科技期刊編輯質(zhì)量優(yōu)秀獎

2005-2006年度獲信息產(chǎn)業(yè)部電子科技期刊學(xué)術(shù)技術(shù)水平優(yōu)秀獎

中國學(xué)術(shù)期刊執(zhí)行（光盤版）檢索與評價數(shù)據(jù)規(guī)范優(yōu)秀期刊

2007-2008年度又榮獲工業(yè)和信息化部電子科技期刊學(xué)術(shù)技術(shù)水平優(yōu)秀獎 微納電子技術(shù)欄目設(shè)置 專家論談、納米器件與技術(shù)、納米材料與納料結(jié)構(gòu)、MEMS器件與技術(shù)、顯微、測量、微細加工技術(shù)與設(shè)備、企業(yè)與人物追蹤、業(yè)界快訊。 微納電子技術(shù)編輯部/雜志社投稿須知 1、來稿要求論點明確、數(shù)據(jù)可靠、邏輯嚴密、文字精煉，每篇論文必須包括題目、作者姓名、作者單位、單位所在地及郵政編碼、摘要和關(guān)鍵詞、正文、參考文獻和第一作者及通訊作者（一般為導(dǎo)師）簡介（包括姓名、性別、職稱、出生年月、所獲學(xué)位、目前主要從事的工作和研究方向），在文稿的首頁地腳處注明論文屬何項目、何基金（編號）資助，沒有的不注明。

2、論文摘要盡量寫成報道性文摘，包括目的、方法、結(jié)果、結(jié)論4方面內(nèi)容（100字左右），應(yīng)具有獨立性與自含性，關(guān)鍵詞選擇貼近文義的規(guī)范性單詞或組合詞（3～5個）。

3、文稿篇幅（含圖表）一般不超過5000字，一個版面2500字內(nèi)。文中量和單位的使用請參照中華人民共和國法定計量單位最新標準。外文字符必須分清大、小寫，正、斜體，黑、白體，上下角標應(yīng)區(qū)別明顯。

4、文中的圖、表應(yīng)有自明性。圖片不超過2幅，圖像要清晰，層次要分明。

5、參考文獻的著錄格式采用順序編碼制，請按文中出現(xiàn)的先后順序編號。所引文獻必須是作者直接閱讀參考過的、最主要的、公開出版文獻。未公開發(fā)表的、且很有必要引用的，請采用腳注方式標明，參考文獻不少于3條。

6、來稿勿一稿多投。收到稿件之后，5個工作日內(nèi)審稿，電子郵件回復(fù)作者。重點稿件將送同行專家審閱。如果10日內(nèi)沒有收到擬用稿通知（特別需要者可寄送紙質(zhì)錄用通知），則請與本部聯(lián)系確認。

7、來稿文責(zé)自負。所有作者應(yīng)對稿件內(nèi)容和署名無異議，稿件內(nèi)容不得抄襲或重復(fù)發(fā)表。對來稿有權(quán)作技術(shù)性和文字性修改，雜志一個版面2500字，二個版面5000字左右。作者需要安排版面數(shù)，出刊日期，是否加急等情況，請在郵件投稿時作特別說明。

8、請作者自留備份稿，本部不退稿。

9、論文一經(jīng)發(fā)表，贈送當期樣刊1-2冊，需快遞的聯(lián)系本部。

10、請在文稿后面注明稿件聯(lián)系人的姓名、工作單位、詳細聯(lián)系地址、電話（包括手機）、郵編等信息，以便聯(lián)系有關(guān)事宜。 微納電子技術(shù)同類優(yōu)質(zhì)期刊(排名不分先后)

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《學(xué)術(shù)雜志網(wǎng)》雜志發(fā)表公告：
    1、審稿快：《微納電子技術(shù)雜志》內(nèi)部審稿通道為1-7天，大大縮短了投、審、刊的時間；
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《學(xué)術(shù)雜志網(wǎng)》雜志發(fā)表聲明:
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答:由客戶確定類型，由本站為客戶根據(jù)期刊排版日期、收費情況來推薦給客戶，價格可以適當下調(diào)，并且出稿的速度會更快。

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3.你們的網(wǎng)站有退款服務(wù)嗎？

答:請客戶保留匯款憑證。由本站發(fā)表的文章，如果沒有按期發(fā)表，由本站全額退還客戶支付的費用。

4.什么是國家級、省級、核心期刊

答:“國家級”期刊，即由黨中央、國務(wù)院及所屬各部門，或中國科學(xué)院、中國社會科學(xué)院、各民主黨派和全國性人民團體主辦的期刊及國家一級專業(yè)學(xué)會主辦的會刊。“省級”期刊即由各省、自治區(qū)、直轄市及其所屬部、委辦、廳、局主辦的期刊以及由各本、專科院校主辦的學(xué)報（刊）。核心期刊是學(xué)術(shù)界通過一整套科學(xué)的方法，對于期刊質(zhì)量進行跟蹤評價，并以情報學(xué)理論為基礎(chǔ)，將期刊進行分類定級，把最為重要的一級稱之為核心期刊。

5.一般多長時間能夠發(fā)表？

答:根據(jù)客戶的要求和選擇的期刊類型不同，而且編輯部也有審稿、發(fā)稿等時間安排，《中外文摘》一般是1－4個月見刊，不排除有更長久的時間，建議有需求的用戶一般提前2個月就開始提交業(yè)務(wù)比較理想。

6.我可以隨時跟蹤進展情況嗎？

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7.是否可以真的做到100%發(fā)表？

答:一般來說，可以做到98%以上準時發(fā)表，如果編輯手里需要發(fā)表的文章已經(jīng)比較多的時候，就會推遲一些。如果稿件質(zhì)量確實較差，我們的專業(yè)老師會幫助你修改一下。該期刊特別忙的話，在征得客戶你的同意后，可以免費更換到同級的期刊發(fā)表。

8.可以通過那些方式付款？

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《微納電子技術(shù)》論文發(fā)表范例 1.石墨烯基電子學(xué)研究進展    袁明文
2.利用共振隧穿器件制作太赫茲波源    郭維廉，牛萍娟，李曉云，谷曉，何慶國，馮志紅，田愛華，張世林，，毛陸虹
3.Si襯底GaN外延材料六角形缺陷分析    尹甲運，劉波，王晶晶，周瑞，李佳，敦少博，馮志紅
4.Bi3.5Yb0.5Ti3O12鐵電薄膜的制備及性能    成傳品，鄧永和，戴雄英，肖剛
5.HVPE法制備GaN過程中GaAs襯底的氮化    張嵩，楊瑞霞，徐永寬，李強
6.電磁MEMS在流體控制中的應(yīng)用    錢吉勝，沙莎，陳志華，易文俊
7.Si-玻璃陽極鍵合失效機理研究    毋正偉，陳德勇，夏善紅
8.二維變形方波微混合器混合效果    張芹，游煒臻，林耿銳
9.一種基于BCB鍵合技術(shù)的新型MEMS圓片級封裝工藝    何洪濤
10.干涉空間相位光刻對準方法研究    馬平，胡松，周紹林，徐文祥
11.錐形光纖與楔形光纖的耦合    楊修文
12.pH值調(diào)節(jié)劑對Si片CMP速率的影響    楊金波，劉玉嶺，劉效巖，胡軼，孫鳴
13.半導(dǎo)體工藝線CAM及SPC的應(yīng)用    李保第，劉福慶，李彥偉，楊中月，胡玲，崔玉興，付興昌
1.納米級SET/CMOS混合器件的研究進展    馮朝文，蔡理，張立森，F(xiàn)eng Chaowen，Cai Li，Zhang Lisen
2.單壁碳納米管隨機網(wǎng)絡(luò)場效應(yīng)晶體管    許高斌，王鵬，陳興，常永嘉，Xu Gaobin，Wang Peng，Chen Xing，Chang Yongjia
3.雙功能苯并惡嗪聚合物的制備及抗粘性能研究    曲麗，辛忠，陸馨，董會杰，Qu Li，Xin Zhong，Lu Xin，Dong Huijie
4.SrTiO3枝杈晶的水熱法制備與表征    楊琳琳，王永剛，王玉江，韓高榮，Yang Linlin，Wang Yonggang，Wang Yujiang，Han Gaorong
5.石墨上多晶硅薄膜的制備及擇優(yōu)取向的調(diào)控    施輝偉，陳諾夫，黃添懋，尹志崗，汪宇，張漢，應(yīng)杰，Shi Huiwei，Chen Nuofu，Huang Tianmao，Yin Zhigang，Wang Yu，Zhang Han，Ying Jie
6.電動微流體數(shù)值模擬研究進展    楊大勇，Yang Dayong
7.壓電式微傳聲器的設(shè)計與測量方法的匹配    于留波，趙湛，丁國杰，軒運動，Yu Liubo，Zhao Zhan，Ding Guojie，Xuan Yundong
8.三維物體的重建方法    饒志鵬，劉鍵，夏洋，Rao Zhipeng，Liu Jian，Xia Yang
9.條紋圖像相位提取方法研究    徐鋒，胡松，羅正全，周紹林，Xu Feng，Hu Song，Luo Zhengquan，Zhou Shaolin
10.納米檢焦中雙相鎖相放大器的Simulink建模與仿真    謝飛，唐小萍，胡松，嚴偉，Xie Fei，Tang Xiaoping，Hu Song，Yan Wei
1.CMOS負阻單元邏輯電路及其發(fā)展前景    郭維廉，牛萍娟，李曉云，劉宏偉，谷曉，毛陸虹，張世林，陳燕，王偉，Guo Weilian，Niu Pingjuan，Li Xiaoyun，Liu Hongwei，Gu Xiao，Mao Luhong，Zhang Shilin，Chen Yan，Wang Wei
2.有機半導(dǎo)體器件的現(xiàn)狀及發(fā)展趨勢    陳海明，靳寶善，Chen Haiming，Jin Baoshan
3.光引發(fā)碳微球表面接枝聚甲基丙烯酸    劉偉峰，韓艷星，郭明聰，楊永珍，劉旭光，許并社，Liu Weifeng，Han Yanxing，Guo Mingcong，Yang Yongzhen，Liu Xuguang，Xu Bingshe
4.Ni-Mn-Ga鐵磁性形狀記憶薄膜研究進展    陳峰華，張敏剛，柴躍生，張真真，Chen Fenghua，Zhang Mingang，Chai Yuesheng，Zhang Zhenzhen
5.MEMS系統(tǒng)級仿真中的一種變截面梁建模方法    郝星，苑偉政，常洪龍，牛昊彬，焦文龍，Hao Xing，Yuan Weizheng，Chang Honglong，Niu Haobin，Jiao Wenlong
6.基于Allan方差的MEMS陀螺儀性能評價方法    鄒學(xué)鋒，盧新艷，Zou Xuefeng，Lu Xinyan
7.雙工件臺光刻機中的調(diào)平調(diào)焦技術(shù)    李金龍，趙立新，胡松，周紹林，Li Jinlong，Zhao Lixin，Hu Song，Zhou Shaolin
8.鉍基焦綠石薄膜的濕法刻蝕方法研究    高莉彬，李汝冠，蔣書文，李言榮，Gao Libin，Li Ruguan，Jiang Shuwen，Li Yanrong
9.ICP刻蝕在GaAs p-i-n工藝中的應(yīng)用    張力江，幺錦強，崔玉興，付興昌，Zhang Lijiang，Yao Jinqiang，Cui Yuxing，F(xiàn)u Xingchang
10.高密度封裝IC的高加速應(yīng)力試驗研究    張善倫，來萍，堯彬，劉建，李斌，Zhang Shanlun，Lai Ping，Yao Bin，Liu Jian，Li Bin
11.大柵寬功率器件的分布性研究    方家興，胡志富，蔡樹軍，F(xiàn)ang Jiaxing，Hu Zhifu，Cai Shujun
12.采用SPC技術(shù)控制半導(dǎo)體器件的工藝質(zhì)量    王文君，Wang Wenjun
1.單片集成鎖模量子點激光器    姜立穩(wěn)，葉小玲，王占國，Jiang Liwen，Ye Xiaoling，Wang Zhanguo
2.高性能SiC整流二極管研究    楊霏，商慶杰，李亞麗，閆銳，默江輝，潘宏菽，李佳，劉波，馮志紅，付興昌，何慶國，蔡樹軍，楊克武，Yang Fei，Shang Qingjie，Li Yali，Yan Rui，Mo Jianghui，Pan Hongshu，Li Jia，Liu Bo，F(xiàn)eng Zhihong，F(xiàn)u Xingchang，He Qingguo，Cai Shujun，Yang Kewu
3.900 nm三疊層隧道級聯(lián)激光器的結(jié)構(gòu)優(yōu)化研究    林琳，陳宏泰，安志民，車相輝，王晶，Lin Lin，Chen Hongtai，An Zhimin，Che Xianghui，Wang Jing
4.納米線在新型太陽電池中的應(yīng)用研究    岳會會，賈銳，陳晨，李昊峰，劉新宇，葉甜春，鐘圣榮，Yue Huihui，Jia Rui，Chen Chen，Li Haofeng，Liu Xinyu，Ye Tianchun，Zhong Shengrong
5.原位Si摻雜c-BN薄膜的制備及電學(xué)性質(zhì)研究    應(yīng)杰，范亞明，譚海仁，施輝偉，Ying Jie，F(xiàn)an Yaming，Tan Hairen，Shi Huiwei
6.立方相SiC MEMS器件研究進展    楊挺，孫國勝，吳海雷，閆果果，寧瑾，趙永梅，劉興防，羅木昌，王雷，趙萬順，曾一平，Yang Ting，Sun Guosheng，Wu Hailei，Yan Guoguo，Ning Jin，Zhao Yongmei，Liu Xingfang，Luo Muchang，Wang Lei，Zhao Wanshun，Zeng Yiping
7.硅MEMS器件加工技術(shù)及展望    徐永青，楊擁軍，Xu Yongqing，Yang Yongjun
8.紫外固化真空負壓納米壓印系統(tǒng)的研制    段智勇，弓巧俠，羅康，趙立波，張慧敏，王慶康，

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