本文關(guān)鍵詞：微納電子技術(shù)雜志，由無(wú)憂論文網(wǎng)整理發(fā)布。

微納電子技術(shù)雜志社/雜志簡(jiǎn)介 《微電子技術(shù)》（月刊）曾用刊名：（半導(dǎo)體情報(bào)）1964年創(chuàng)刊，以促進(jìn)我國(guó)納米電子技術(shù)不斷發(fā)展為辦刊目的。創(chuàng)刊4年以來(lái)，匯集了納米電子、機(jī)械、材料、制造、測(cè)量以及物理、化學(xué)和生物等不同學(xué)科新生長(zhǎng)出來(lái)的微小和微觀領(lǐng)域的科學(xué)技術(shù)群體。

《微電子技術(shù)》通過(guò)報(bào)道國(guó)內(nèi)外納米電子技術(shù)方面的研究論文和綜述動(dòng)態(tài),為納米研究領(lǐng)域的技術(shù)人員提供納米技術(shù)領(lǐng)域新的突破方法和新的研究方向，為納米技術(shù)領(lǐng)域中從事原始創(chuàng)新和基礎(chǔ)探索的科研工作者、大學(xué)教師和學(xué)生提供了一個(gè)納米電子技術(shù)成果展示、轉(zhuǎn)化和技術(shù)交流的平臺(tái)。 微納電子技術(shù)收錄情況/影響因子 國(guó)家新聞出版總署收錄　維普網(wǎng)、萬(wàn)方數(shù)據(jù)庫(kù)、知網(wǎng)數(shù)據(jù)庫(kù)、文摘雜志、化學(xué)文摘（網(wǎng)絡(luò)版）、劍橋科學(xué)文摘、劍橋科學(xué)文摘社ProQeust數(shù)據(jù)庫(kù)、物理學(xué)、電技術(shù)、計(jì)算機(jī)及控制信息數(shù)據(jù)庫(kù)收錄

1、北大核心期刊：

2008-2011年連續(xù)2屆北大核心期刊（北大2008版核心期刊、北大2011版核心期刊）

2、數(shù)據(jù)：MARC數(shù)據(jù)、DC數(shù)據(jù)

3、圖書(shū)館藏：國(guó)家圖書(shū)館館藏、上海圖書(shū)館館藏

4、影響因子：

截止2014年萬(wàn)方：影響因子：0.248；總被引頻次：342

截止2014年知網(wǎng)：復(fù)合影響因子：0.443；綜合影響因子：0.226

5、微納電子技術(shù)雜志榮譽(yù)：

2002-2003和2003-2004年度，均獲信息產(chǎn)業(yè)部電子科技期刊編輯質(zhì)量?jī)?yōu)秀獎(jiǎng)

2005-2006年度獲信息產(chǎn)業(yè)部電子科技期刊學(xué)術(shù)技術(shù)水平優(yōu)秀獎(jiǎng)

中國(guó)學(xué)術(shù)期刊執(zhí)行（光盤(pán)版）檢索與評(píng)價(jià)數(shù)據(jù)規(guī)范優(yōu)秀期刊

2007-2008年度又榮獲工業(yè)和信息化部電子科技期刊學(xué)術(shù)技術(shù)水平優(yōu)秀獎(jiǎng) 微納電子技術(shù)欄目設(shè)置 專(zhuān)家論談、納米器件與技術(shù)、納米材料與納料結(jié)構(gòu)、MEMS器件與技術(shù)、顯微、測(cè)量、微細(xì)加工技術(shù)與設(shè)備、企業(yè)與人物追蹤、業(yè)界快訊。 微納電子技術(shù)編輯部/雜志社投稿須知 1、來(lái)稿要求論點(diǎn)明確、數(shù)據(jù)可靠、邏輯嚴(yán)密、文字精煉，每篇論文必須包括題目、作者姓名、作者單位、單位所在地及郵政編碼、摘要和關(guān)鍵詞、正文、參考文獻(xiàn)和第一作者及通訊作者（一般為導(dǎo)師）簡(jiǎn)介（包括姓名、性別、職稱、出生年月、所獲學(xué)位、目前主要從事的工作和研究方向），在文稿的首頁(yè)地腳處注明論文屬何項(xiàng)目、何基金（編號(hào)）資助，沒(méi)有的不注明。

2、論文摘要盡量寫(xiě)成報(bào)道性文摘，包括目的、方法、結(jié)果、結(jié)論4方面內(nèi)容（100字左右），應(yīng)具有獨(dú)立性與自含性，關(guān)鍵詞選擇貼近文義的規(guī)范性單詞或組合詞（3～5個(gè)）。

3、文稿篇幅（含圖表）一般不超過(guò)5000字，一個(gè)版面2500字內(nèi)。文中量和單位的使用請(qǐng)參照中華人民共和國(guó)法定計(jì)量單位最新標(biāo)準(zhǔn)。外文字符必須分清大、小寫(xiě)，正、斜體，黑、白體，上下角標(biāo)應(yīng)區(qū)別明顯。

4、文中的圖、表應(yīng)有自明性。圖片不超過(guò)2幅，圖像要清晰，層次要分明。

5、參考文獻(xiàn)的著錄格式采用順序編碼制，請(qǐng)按文中出現(xiàn)的先后順序編號(hào)。所引文獻(xiàn)必須是作者直接閱讀參考過(guò)的、最主要的、公開(kāi)出版文獻(xiàn)。未公開(kāi)發(fā)表的、且很有必要引用的，請(qǐng)采用腳注方式標(biāo)明，參考文獻(xiàn)不少于3條。

6、來(lái)稿勿一稿多投。收到稿件之后，5個(gè)工作日內(nèi)審稿，電子郵件回復(fù)作者。重點(diǎn)稿件將送同行專(zhuān)家審閱。如果10日內(nèi)沒(méi)有收到擬用稿通知（特別需要者可寄送紙質(zhì)錄用通知），則請(qǐng)與本部聯(lián)系確認(rèn)。

7、來(lái)稿文責(zé)自負(fù)。所有作者應(yīng)對(duì)稿件內(nèi)容和署名無(wú)異議，稿件內(nèi)容不得抄襲或重復(fù)發(fā)表。對(duì)來(lái)稿有權(quán)作技術(shù)性和文字性修改，雜志一個(gè)版面2500字，二個(gè)版面5000字左右。作者需要安排版面數(shù)，出刊日期，是否加急等情況，請(qǐng)?jiān)卩]件投稿時(shí)作特別說(shuō)明。

8、請(qǐng)作者自留備份稿，本部不退稿。

9、論文一經(jīng)發(fā)表，贈(zèng)送當(dāng)期樣刊1-2冊(cè)，需快遞的聯(lián)系本部。

10、請(qǐng)?jiān)谖母搴竺孀⒚鞲寮?lián)系人的姓名、工作單位、詳細(xì)聯(lián)系地址、電話（包括手機(jī)）、郵編等信息，以便聯(lián)系有關(guān)事宜。 微納電子技術(shù)同類(lèi)優(yōu)質(zhì)期刊(排名不分先后)

學(xué)術(shù)雜志網(wǎng)是專(zhuān)業(yè)學(xué)術(shù)雜志網(wǎng)站。歷經(jīng)7年多的發(fā)展與廣大會(huì)員的積極參與,現(xiàn)已成為全國(guó)會(huì)員最多、口碑最好的雜志介紹網(wǎng)站。先后3余次榮膺各類(lèi)媒體的好評(píng)和推薦，并在2007年獲得了中國(guó)最佳商業(yè)網(wǎng)站排行榜六強(qiáng)的榮譽(yù)稱號(hào)。

《學(xué)術(shù)雜志網(wǎng)》雜志發(fā)表公告：
    1、審稿快：《微納電子技術(shù)雜志》內(nèi)部審稿通道為1-7天，大大縮短了投、審、刊的時(shí)間；
    2、發(fā)刊快：凡是在本站編輯部投稿并確定錄用的稿件，可享受1-4個(gè)月見(jiàn)刊；
    3、溝通好：專(zhuān)業(yè)老師對(duì)你的稿件編輯情況、排刊情況、見(jiàn)刊情況進(jìn)行及時(shí)溝通；
    4、有保障：有專(zhuān)業(yè)的專(zhuān)家教授團(tuán)隊(duì)，為您免費(fèi)修改需要返修的《微納電子技術(shù)》論文；
    5、送期刊：凡是在本站投稿的作者，均可免費(fèi)獲得《微納電子技術(shù)》雜志一本；
    6、團(tuán)購(gòu)大優(yōu)惠:一次性發(fā)表3篇以上的文章，均可獲得團(tuán)購(gòu)特別優(yōu)惠活動(dòng)，有需要的朋友請(qǐng)點(diǎn)擊右欄客服老師具體咨詢；
    7、我們還可以為你提供CNKI反抄襲檢測(cè)、寫(xiě)作輔導(dǎo)、繼教學(xué)分、著書(shū)代理、英文翻譯等服務(wù)。

《學(xué)術(shù)雜志網(wǎng)》雜志發(fā)表聲明:
    1.《微納電子技術(shù)雜志》為國(guó)家承認(rèn)、正規(guī)、合法、雙刊號(hào)期刊
    2.中國(guó)期刊網(wǎng): 可查詢，并全文收錄
    3.國(guó)家新聞出版總署: 可查詢，收錄期刊
    4、本站只收取最低限度的中介服務(wù)費(fèi)，以維持網(wǎng)站正常運(yùn)轉(zhuǎn)，如果還有比本站價(jià)格更低，且能成功發(fā)表的，一周之內(nèi)可以退出多收款項(xiàng)。
    5、本站投稿成功率高，沒(méi)有成功發(fā)表的全額退還一切費(fèi)用。

《學(xué)術(shù)雜志網(wǎng)》期刊發(fā)表流程:
    1.提出發(fā)表要求 → 2.報(bào)價(jià)及推薦刊物→ 3.支付服務(wù)費(fèi)訂金 → 4.發(fā)送材料經(jīng)您確定 → 5.審稿并推薦發(fā)表 → 6.編輯部發(fā)通知書(shū) → 7.最終確定發(fā)表 → 8.編輯部寄樣刊

1.《微納電子技術(shù)雜志》價(jià)格能不能更便宜一些？

答:由客戶確定類(lèi)型，由本站為客戶根據(jù)期刊排版日期、收費(fèi)情況來(lái)推薦給客戶，價(jià)格可以適當(dāng)下調(diào)，并且出稿的速度會(huì)更快。

2.發(fā)表的信用有保證嗎？

答:學(xué)術(shù)雜志網(wǎng)建站7年以來(lái)，各方面取得了非常的業(yè)績(jī)，開(kāi)通了支付寶信認(rèn)商家服務(wù)，可以擔(dān)保交易；網(wǎng)銀在線支付是首批2005年用戶；所有的銀行卡號(hào)都是2004年注冊(cè)的；付款可以支付到對(duì)工帳戶(工商銀行)。如果有欺騙行為，所有的收款方式都早就被注銷(xiāo)了。

3.你們的網(wǎng)站有退款服務(wù)嗎？

答:請(qǐng)客戶保留匯款憑證。由本站發(fā)表的文章，如果沒(méi)有按期發(fā)表，由本站全額退還客戶支付的費(fèi)用。

4.什么是國(guó)家級(jí)、省級(jí)、核心期刊

答:“國(guó)家級(jí)”期刊，即由黨中央、國(guó)務(wù)院及所屬各部門(mén)，或中國(guó)科學(xué)院、中國(guó)社會(huì)科學(xué)院、各民主黨派和全國(guó)性人民團(tuán)體主辦的期刊及國(guó)家一級(jí)專(zhuān)業(yè)學(xué)會(huì)主辦的會(huì)刊。“省級(jí)”期刊即由各省、自治區(qū)、直轄市及其所屬部、委辦、廳、局主辦的期刊以及由各本、專(zhuān)科院校主辦的學(xué)報(bào)（刊）。核心期刊是學(xué)術(shù)界通過(guò)一整套科學(xué)的方法，對(duì)于期刊質(zhì)量進(jìn)行跟蹤評(píng)價(jià)，并以情報(bào)學(xué)理論為基礎(chǔ)，將期刊進(jìn)行分類(lèi)定級(jí)，把最為重要的一級(jí)稱之為核心期刊。

5.一般多長(zhǎng)時(shí)間能夠發(fā)表？

答:根據(jù)客戶的要求和選擇的期刊類(lèi)型不同，而且編輯部也有審稿、發(fā)稿等時(shí)間安排，《中外文摘》一般是1－4個(gè)月見(jiàn)刊，不排除有更長(zhǎng)久的時(shí)間，建議有需求的用戶一般提前2個(gè)月就開(kāi)始提交業(yè)務(wù)比較理想。

6.我可以隨時(shí)跟蹤進(jìn)展情況嗎？

答:當(dāng)然，我們的每一位客戶，都會(huì)分配一名專(zhuān)職的客服經(jīng)理為你全程負(fù)責(zé)，隨時(shí)通報(bào)進(jìn)展情況。

7.是否可以真的做到100%發(fā)表？

答:一般來(lái)說(shuō)，可以做到98%以上準(zhǔn)時(shí)發(fā)表，如果編輯手里需要發(fā)表的文章已經(jīng)比較多的時(shí)候，就會(huì)推遲一些。如果稿件質(zhì)量確實(shí)較差，我們的專(zhuān)業(yè)老師會(huì)幫助你修改一下。該期刊特別忙的話，在征得客戶你的同意后，可以免費(fèi)更換到同級(jí)的期刊發(fā)表。

8.可以通過(guò)那些方式付款？

答:目前，我們支持工商銀行、建設(shè)銀行、農(nóng)業(yè)銀行、中國(guó)銀行、郵政儲(chǔ)蓄等銀行的柜臺(tái)匯款；網(wǎng)銀在線付款；支付寶、淘寶在線付款；企業(yè)的對(duì)工帳戶付款。我們的法人代表是“任本芬”、對(duì)工帳戶是“四川博文網(wǎng)絡(luò)科技有限責(zé)任公司”，有疑問(wèn)請(qǐng)聯(lián)系投訴與建議中心楊老師：13378216660。

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學(xué)術(shù)雜志網(wǎng)有投稿合作的均為正規(guī)期刊的編輯部，可在新聞出版總署網(wǎng)站查詢到相關(guān)投稿信息。本站以7年相關(guān)經(jīng)驗(yàn)，幫助選擇最適合的正規(guī)雜志社發(fā)表論文，以最快的速度達(dá)到客戶最滿意的效果。

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《微納電子技術(shù)》論文發(fā)表范例 1.石墨烯基電子學(xué)研究進(jìn)展    袁明文
2.利用共振隧穿器件制作太赫茲波源    郭維廉，牛萍娟，李曉云，谷曉，何慶國(guó)，馮志紅，田愛(ài)華，張世林，，毛陸虹
3.Si襯底GaN外延材料六角形缺陷分析    尹甲運(yùn)，劉波，王晶晶，周瑞，李佳，敦少博，馮志紅
4.Bi3.5Yb0.5Ti3O12鐵電薄膜的制備及性能    成傳品，鄧永和，戴雄英，肖剛
5.HVPE法制備GaN過(guò)程中GaAs襯底的氮化    張嵩，楊瑞霞，徐永寬，李強(qiáng)
6.電磁MEMS在流體控制中的應(yīng)用    錢(qián)吉?jiǎng)伲成�，陳志華，易文俊
7.Si-玻璃陽(yáng)極鍵合失效機(jī)理研究    毋正偉，陳德勇，夏善紅
8.二維變形方波微混合器混合效果    張芹，游煒臻，林耿銳
9.一種基于BCB鍵合技術(shù)的新型MEMS圓片級(jí)封裝工藝    何洪濤
10.干涉空間相位光刻對(duì)準(zhǔn)方法研究    馬平，胡松，周紹林，徐文祥
11.錐形光纖與楔形光纖的耦合    楊修文
12.pH值調(diào)節(jié)劑對(duì)Si片CMP速率的影響    楊金波，劉玉嶺，劉效巖，胡軼，孫鳴
13.半導(dǎo)體工藝線CAM及SPC的應(yīng)用    李保第，劉福慶，李彥偉，楊中月，胡玲，崔玉興，付興昌
1.納米級(jí)SET/CMOS混合器件的研究進(jìn)展    馮朝文，蔡理，張立森，F(xiàn)eng Chaowen，Cai Li，Zhang Lisen
2.單壁碳納米管隨機(jī)網(wǎng)絡(luò)場(chǎng)效應(yīng)晶體管    許高斌，王鵬，陳興，常永嘉，Xu Gaobin，Wang Peng，Chen Xing，Chang Yongjia
3.雙功能苯并惡嗪聚合物的制備及抗粘性能研究    曲麗，辛忠，陸馨，董會(huì)杰，Qu Li，Xin Zhong，Lu Xin，Dong Huijie
4.SrTiO3枝杈晶的水熱法制備與表征    楊琳琳，王永剛，王玉江，韓高榮，Yang Linlin，Wang Yonggang，Wang Yujiang，Han Gaorong
5.石墨上多晶硅薄膜的制備及擇優(yōu)取向的調(diào)控    施輝偉，陳諾夫，黃添懋，尹志崗，汪宇，張漢，應(yīng)杰，Shi Huiwei，Chen Nuofu，Huang Tianmao，Yin Zhigang，Wang Yu，Zhang Han，Ying Jie
6.電動(dòng)微流體數(shù)值模擬研究進(jìn)展    楊大勇，Yang Dayong
7.壓電式微傳聲器的設(shè)計(jì)與測(cè)量方法的匹配    于留波，趙湛，丁國(guó)杰，軒運(yùn)動(dòng)，Yu Liubo，Zhao Zhan，Ding Guojie，Xuan Yundong
8.三維物體的重建方法    饒志鵬，劉鍵，夏洋，Rao Zhipeng，Liu Jian，Xia Yang
9.條紋圖像相位提取方法研究    徐鋒，胡松，羅正全，周紹林，Xu Feng，Hu Song，Luo Zhengquan，Zhou Shaolin
10.納米檢焦中雙相鎖相放大器的Simulink建模與仿真    謝飛，唐小萍，胡松，嚴(yán)偉，Xie Fei，Tang Xiaoping，Hu Song，Yan Wei
1.CMOS負(fù)阻單元邏輯電路及其發(fā)展前景    郭維廉，牛萍娟，李曉云，劉宏偉，谷曉，毛陸虹，張世林，陳燕，王偉，Guo Weilian，Niu Pingjuan，Li Xiaoyun，Liu Hongwei，Gu Xiao，Mao Luhong，Zhang Shilin，Chen Yan，Wang Wei
2.有機(jī)半導(dǎo)體器件的現(xiàn)狀及發(fā)展趨勢(shì)    陳海明，靳寶善，Chen Haiming，Jin Baoshan
3.光引發(fā)碳微球表面接枝聚甲基丙烯酸    劉偉峰，韓艷星，郭明聰，楊永珍，劉旭光，許并社，Liu Weifeng，Han Yanxing，Guo Mingcong，Yang Yongzhen，Liu Xuguang，Xu Bingshe
4.Ni-Mn-Ga鐵磁性形狀記憶薄膜研究進(jìn)展    陳峰華，張敏剛，柴躍生，張真真，Chen Fenghua，Zhang Mingang，Chai Yuesheng，Zhang Zhenzhen
5.MEMS系統(tǒng)級(jí)仿真中的一種變截面梁建模方法    郝星，苑偉政，常洪龍，牛昊彬，焦文龍，Hao Xing，Yuan Weizheng，Chang Honglong，Niu Haobin，Jiao Wenlong
6.基于Allan方差的MEMS陀螺儀性能評(píng)價(jià)方法    鄒學(xué)鋒，盧新艷，Zou Xuefeng，Lu Xinyan
7.雙工件臺(tái)光刻機(jī)中的調(diào)平調(diào)焦技術(shù)    李金龍，趙立新，胡松，周紹林，Li Jinlong，Zhao Lixin，Hu Song，Zhou Shaolin
8.鉍基焦綠石薄膜的濕法刻蝕方法研究    高莉彬，李汝冠，蔣書(shū)文，李言榮，Gao Libin，Li Ruguan，Jiang Shuwen，Li Yanrong
9.ICP刻蝕在GaAs p-i-n工藝中的應(yīng)用    張力江，幺錦強(qiáng)，崔玉興，付興昌，Zhang Lijiang，Yao Jinqiang，Cui Yuxing，F(xiàn)u Xingchang
10.高密度封裝IC的高加速應(yīng)力試驗(yàn)研究    張善倫，來(lái)萍，堯彬，劉建，李斌，Zhang Shanlun，Lai Ping，Yao Bin，Liu Jian，Li Bin
11.大柵寬功率器件的分布性研究    方家興，胡志富，蔡樹(shù)軍，F(xiàn)ang Jiaxing，Hu Zhifu，Cai Shujun
12.采用SPC技術(shù)控制半導(dǎo)體器件的工藝質(zhì)量    王文君，Wang Wenjun
1.單片集成鎖模量子點(diǎn)激光器    姜立穩(wěn)，葉小玲，王占國(guó)，Jiang Liwen，Ye Xiaoling，Wang Zhanguo
2.高性能SiC整流二極管研究    楊霏，商慶杰，李亞麗，閆銳，默江輝，潘宏菽，李佳，劉波，馮志紅，付興昌，何慶國(guó)，蔡樹(shù)軍，楊克武，Yang Fei，Shang Qingjie，Li Yali，Yan Rui，Mo Jianghui，Pan Hongshu，Li Jia，Liu Bo，F(xiàn)eng Zhihong，F(xiàn)u Xingchang，He Qingguo，Cai Shujun，Yang Kewu
3.900 nm三疊層隧道級(jí)聯(lián)激光器的結(jié)構(gòu)優(yōu)化研究    林琳，陳宏泰，安志民，車(chē)相輝，王晶，Lin Lin，Chen Hongtai，An Zhimin，Che Xianghui，Wang Jing
4.納米線在新型太陽(yáng)電池中的應(yīng)用研究    岳會(huì)會(huì)，賈銳，陳晨，李昊峰，劉新宇，葉甜春，鐘圣榮，Yue Huihui，Jia Rui，Chen Chen，Li Haofeng，Liu Xinyu，Ye Tianchun，Zhong Shengrong
5.原位Si摻雜c-BN薄膜的制備及電學(xué)性質(zhì)研究    應(yīng)杰，范亞明，譚海仁，施輝偉，Ying Jie，F(xiàn)an Yaming，Tan Hairen，Shi Huiwei
6.立方相SiC MEMS器件研究進(jìn)展    楊挺，孫國(guó)勝，吳海雷，閆果果，寧瑾，趙永梅，劉興防，羅木昌，王雷，趙萬(wàn)順，曾一平，Yang Ting，Sun Guosheng，Wu Hailei，Yan Guoguo，Ning Jin，Zhao Yongmei，Liu Xingfang，Luo Muchang，Wang Lei，Zhao Wanshun，Zeng Yiping
7.硅MEMS器件加工技術(shù)及展望    徐永青，楊擁軍，Xu Yongqing，Yang Yongjun
8.紫外固化真空負(fù)壓納米壓印系統(tǒng)的研制    段智勇，弓巧俠，羅康，趙立波，張慧敏，王慶康，

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