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半導(dǎo)體信息

刊名：半導(dǎo)體信息

SemiconductorInformation

主辦：中國電子科技集團(tuán)公司第五十五研究所

周期：雙月

出版地：江蘇省南京市

語種：中文;

開本：16開

曾用刊名：半導(dǎo)體信息報(bào)

創(chuàng)刊時(shí)間：1990

《半導(dǎo)體信息》常見論文發(fā)表范例：

工信部與廣東簽署共建OLED產(chǎn)業(yè)示范基地合作協(xié)議章從福;

9項(xiàng)半導(dǎo)體照明行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)2010年1月1日正式實(shí)施劉廣榮;

洛陽中硅2000噸級(jí)多晶硅示范項(xiàng)目通過驗(yàn)收劉廣榮;

正泰太陽能在溫州投資20億元建240兆瓦非晶項(xiàng)目劉廣榮;

阿特斯陽光電力建成常熟市首個(gè)屋頂并網(wǎng)光伏電站項(xiàng)目章從福;

業(yè)界GaN功率器件開發(fā)動(dòng)向?qū)O再吉;

磁性半導(dǎo)體研究取得突破性進(jìn)展江興;

海力士封裝項(xiàng)目通過發(fā)改委核準(zhǔn)章從福;

高通與臺(tái)積電合作28奈米芯片2010年中投產(chǎn)章從福;

AgilentInfiniium9000系列榮膺EDNChina最佳測試與測量產(chǎn)品創(chuàng)新獎(jiǎng)江興;

英飛凌科技公司推出超小體積的高能效VDSL和ADSL解決方案章從福;

英特爾發(fā)布新一代凌動(dòng)芯片能耗僅為5.5瓦章從福;

三菱電機(jī)工程師在高頻電路設(shè)計(jì)中力推X參數(shù)孫再吉;

中芯國際制造工藝延伸至40納米江興

JFE技研推出硅晶圓及涂層膜的膜厚分布測量裝置可同時(shí)測量顯示150萬點(diǎn)的膜厚分布章從福;

世界最小半導(dǎo)體激光器得到驗(yàn)證韓瀟;

波長515nm的綠色I(xiàn)nGaN激光器孫再吉;

500V功率MOSFET章從福;

富士電機(jī)器件技術(shù)公司開發(fā)車載功率器件孫再吉;

韓國三星研發(fā)新型CMOS傳感器孫再吉;

美韓科學(xué)家制成世界上首個(gè)分子晶體管劉廣榮;

英特爾22nm制程技術(shù)研究動(dòng)態(tài)孫再吉;

西安炬光科技推出波長1550nm的單管半導(dǎo)體激光器江興;

基于量子點(diǎn)的高功率半導(dǎo)體薄片激光器江興;

175°C下工作的CMOS處理器孫再吉;

中國集成電路封測產(chǎn)業(yè)鏈技術(shù)創(chuàng)新聯(lián)盟成立劉廣榮;

大日本印刷開發(fā)可將以引線鍵合封裝的裸芯片內(nèi)置于底板的技術(shù)章從福;

縱向生長硅納米線技術(shù)韓瀟;

IMEC推出新型硅基GaN結(jié)構(gòu)韓瀟;

SiGe半導(dǎo)體發(fā)布高集成度前端模塊江興;

IR推出汽車級(jí)絕緣柵雙極晶體管劉廣榮;

業(yè)界SiC功率器件開發(fā)動(dòng)向?qū)O再吉;

飛兆半導(dǎo)體MicroFET采用薄型封裝瞄準(zhǔn)電池充電和功率多工應(yīng)用章從福;

ADI公司新推26款高速ADC產(chǎn)品,擴(kuò)充其低功耗數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換器產(chǎn)品組合江興;

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