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基于TOPO和TOA的聚合物包容膜對(duì)低濃度鉻(Ⅵ)的電膜萃取研究

發(fā)布時(shí)間:2024-03-02 16:28
  傳統(tǒng)含Cr(Ⅵ)廢水處理工藝大多存在二次污染嚴(yán)重、效率低、資源消耗大、處理后的水難以回用等缺點(diǎn)。以聚合物包容膜(Polymer inclusion membrane,PIM)為膜相的PIM電膜萃取技術(shù),萃取與反萃同步進(jìn)行、選擇性好、去除效率高、綠色無污染,是一種節(jié)能環(huán)保的無害化治理技術(shù)。本文以低濃度Cr(Ⅵ)為處理對(duì)象,以聚氯乙烯(PVC)為基礎(chǔ)聚合物,制備了基于三正辛胺(TOA)和三辛基氧化膦(TOPO)為載體的新型聚合物包容膜(PO-PIM和PT-PIM)。研究了PO-PIM和塑化PT-PIM對(duì)Cr(Ⅵ)的電膜萃取行為,通過ART-FTIR、XRD、SEM表征技術(shù)分析了PO-PIM和PT-PIM的化學(xué)組成和微觀形貌,以p H1.3的低濃度Cr(Ⅵ)為料液相,探討了兩種PIM電膜萃取體系對(duì)Cr(Ⅵ)傳質(zhì)的穩(wěn)定性、選擇性和富集能力。主要的研究?jī)?nèi)容如下:(1)PO-PIM表面有鏈狀纖維束液膜通道,TOPO與PVC之間存在偶極-偶極相互作用和氫鍵作用。以中性或堿性水溶液為解析相,PO-PIM電膜萃取Cr(Ⅵ)的滲透系數(shù)P隨膜內(nèi)載體TOPO含量的增加而增加,但在TOPO含量超過0.25g后,...

【文章頁數(shù)】:82 頁

【學(xué)位級(jí)別】:碩士

【部分圖文】:

圖1.1電膜萃取技術(shù)工作原理((a)陽離子和(b)陰離子)

圖1.1電膜萃取技術(shù)工作原理((a)陽離子和(b)陰離子)

合金屬離子(Ni(Ⅱ)、Cd(Ⅱ)、Cu(II)、Zn(Ⅱ)、Cr(Ⅵ))溶液進(jìn)行了選擇性分離實(shí)驗(yàn),結(jié)果表明,以SO42-為酸性料液環(huán)境時(shí),Cr(Ⅵ)能夠通過PIM傳輸至解析相,且傳質(zhì)效率高,Ni(Ⅱ)、Cd(Ⅱ)和Cu(II)無傳輸現(xiàn)象,Zn(Ⅱ)的傳輸比例非常低,僅為0.12....


圖2.1TOPO分子結(jié)構(gòu)式

圖2.1TOPO分子結(jié)構(gòu)式

,對(duì)100~500mg/L范圍內(nèi)的Cr(Ⅵ)進(jìn)行了分離。結(jié)果顯示,在60min內(nèi)Cr(Ⅵ)的回收率達(dá)到98%,這說明TOPO浸漬的聚丙烯中空纖維膜能高效、可持續(xù)地從廢水分離出Cr(Ⅵ)。但ELM系統(tǒng)的穩(wěn)定性不足,使此類研究工作的應(yīng)用性無法實(shí)現(xiàn)。TOPO的分子結(jié)構(gòu)式如圖2.1所示,....


圖2.3PO-PIM的紅外譜圖

圖2.3PO-PIM的紅外譜圖

西安建筑科技大學(xué)碩士學(xué)位論文19Zn(Ⅱ)的混合鹽酸鹽溶液為料液相,以0.1mol/LNaOH溶液為解析相,在100V外電壓下對(duì)Cr(Ⅵ)進(jìn)行電膜萃齲取樣操作同2.3.2節(jié),通過ICP-OES檢測(cè)兩相中金屬離子濃度。以選擇性分離因子作為評(píng)價(jià)PO-PIM電膜萃取體系選擇性分離Cr(....


圖2.4PO-PIM的SEM表面形貌

圖2.4PO-PIM的SEM表面形貌

西安建筑科技大學(xué)碩士學(xué)位論文20TOPO后,PVC中的ν(C-Cl)(684cm-1)沒有發(fā)生變化,-CH-Cl中次甲基的β(C-H)從1328cm-1移至1332cm-1,-CH2-CH-Cl中亞甲基β(C-H)從1426cm-1移至1436cm-1,TOPO在1142cm-1....



本文編號(hào):3917089

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