抗硅垢反滲透復(fù)合膜制備研究
【文章頁(yè)數(shù)】:82 頁(yè)
【學(xué)位級(jí)別】:碩士
【部分圖文】:
圖1-1芳香聚酰胺復(fù)合膜結(jié)構(gòu)示意圖[12]
天津大學(xué)碩士學(xué)位論文2材料組成不同,因此可分別優(yōu)化支撐層和分離層使復(fù)合膜的性能達(dá)到最優(yōu)[12]。例如,支撐層中引入納米顆粒以提高親水性和孔隙率,對(duì)分離層進(jìn)行改性以調(diào)節(jié)膜表面特性,優(yōu)化界面聚合工藝制備超薄致密分離層[13-15]。圖1-1芳香聚酰胺復(fù)合膜結(jié)構(gòu)示意圖[12]Figur....
圖1-2膜過(guò)程的濃差極化現(xiàn)象Figure1-2Thephenomenonofconcentrationpolarizationinmembraneprocess
第1章文獻(xiàn)綜述3膜表面造成污染。膜的無(wú)機(jī)物污染一般也稱作為膜結(jié)垢。與有機(jī)物污染不同,無(wú)機(jī)垢,如碳酸鈣、硫酸鈣、金屬氧化物和二氧化硅等,主要是由濃度超過(guò)平衡溶解度的無(wú)機(jī)物成核結(jié)晶或脫水聚合沉積到膜表面形成。近些年來(lái),膜結(jié)垢問(wèn)題因其極易造成不可逆的膜通量下降,并且普通化學(xué)清洗劑難以將....
圖1-3反滲透膜表面無(wú)機(jī)垢形成過(guò)程示意圖[17]
天津大學(xué)碩士學(xué)位論文41.2膜結(jié)垢及控制策略反滲透膜結(jié)垢是有無(wú)機(jī)物在膜表面的沉淀、聚合和膠粒沉積所造成的[26,31],如圖1-3所示。脫鹽過(guò)程中,由于無(wú)機(jī)鹽被反滲透膜截留,積累在膜表面的鹽離子濃度是可以達(dá)到原料液中鹽離子濃度的4~10倍;當(dāng)超過(guò)其溶解度極限時(shí),膜表面就會(huì)發(fā)生無(wú)機(jī)....
圖1-4pH2~12范圍內(nèi)無(wú)定形二氧化硅溶解度模型曲線[39]
第1章文獻(xiàn)綜述7硅酸溶解度隨著pH值的增加而迅速增加,pH值為10.6時(shí),溶解度約876mgL-1。硅酸的溶解度增加是因?yàn)镠4SiO4轉(zhuǎn)化為H3SiO4-和H2SiO42-。高pH值下硅酸鹽離子的存在不僅影響二氧化硅的溶解度,還對(duì)硅酸的聚合動(dòng)力學(xué)產(chǎn)生影響。當(dāng)硅酸的濃度超過(guò)200m....
本文編號(hào):3917073
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