CeO 2 /ZnO/石墨烯復合材料制備及其光催化性能
發(fā)布時間:2023-11-18 13:48
ZnO優(yōu)點眾多,包括價格低廉、穩(wěn)定性較高、無毒環(huán)保等。但是ZnO也存在一些缺陷,如只對紫外光響應、光生電子-空穴復合率高、光催化過程伴隨光腐蝕現(xiàn)象等。為了解決這些問題,廣大學者做了大量的研究探索對ZnO進行改性,其中半導體復合是一種有效的光催化劑改性方法。CeO2是一種穩(wěn)定的稀土金屬氧化物,儲氧能力強且具有良好的光催化性能和抗光腐蝕能力,將CeO2與ZnO復合制備CeO2/ZnO復合材料,能有效地促進光生電子-空穴的分離,提高材料的光催化活性。在探究CeO2/ZnO復合材料的光催化機理的過程中發(fā)現(xiàn),Ag的引入能使得CeO2/ZnO復合材料的光催化性能得到進一步提高。貴金屬摻雜半導體可以更好地促使光生載流子分離,不僅抑制了電子與空穴的有效復合,也進一步抑制了ZnO的光腐蝕,使光催化活性和穩(wěn)定性顯著提高。石墨烯是一種具有二維平面結(jié)構(gòu)的優(yōu)秀載體材料,具有優(yōu)異的電子傳導能力以及大的比表面積,將CeO2/ZnO與石墨烯進一步復合制備CeO2/Z...
【文章頁數(shù)】:87 頁
【學位級別】:碩士
【文章目錄】:
摘要
Abstract
第1章 緒論
1.1 印染廢水概述
1.1.1 印染廢水的危害
1.1.2 印染廢水的特點
1.2 印染廢水的處理工藝
1.2.1 物理法
1.2.2 生物法
1.2.3 化學法
1.3 半導體光催化技術(shù)概述
1.4 ZnO光催化材料國內(nèi)外研究現(xiàn)狀
1.4.1 控制形貌
1.4.2 半導體復合
1.4.3 離子摻雜
1.4.4 貴金屬沉積
1.5 CeO2光催化材料國內(nèi)外研究現(xiàn)狀
1.6 CeO2/ZnO光催化材料國內(nèi)外研究現(xiàn)狀
1.7 研究內(nèi)容與意義
第2章 實驗部分
2.1 實驗儀器
2.2 表征測試儀器
2.3 光催化反應裝置
2.4 樣品表征
2.4.1 晶體結(jié)構(gòu)表征
2.4.2 微觀結(jié)構(gòu)表征
2.4.3 光響應性能表征
2.4.4 光生載流子復合率表征
2.4.5 降解產(chǎn)物分析
2.5 光催化降解實驗
第3章 CeO2/ZnO復合材料制備及其降解AF性能
3.1 前言
3.2 實驗材料及過程
3.2.1 實驗試劑
3.2.2 ZnO的制備
3.2.3 CeO2的制備
3.2.4 CeO2/ZnO復合材料的制備
3.3 結(jié)果與討論
3.3.1 晶體結(jié)構(gòu)表征
3.3.2 微觀結(jié)構(gòu)表征
3.3.3 比表面積表征
3.3.4 光響應性能表征
3.3.5 光生載流子復合率表征
3.3.6 光催化劑對染料的降解性能
3.3.7 催化劑的重復使用性能
3.3.8 催化劑對不同染料的降解性能
3.3.9 光降解過程分析
3.3.10 光催化降解機制探究
3.4 本章結(jié)論
第4章 Ag摻雜CeO2/ZnO復合材料制備及其降解AF性能
4.1 前言
4.2 實驗材料及過程
4.2.1 實驗試劑
4.2.2 Ag摻雜ZnO的制備
4.2.3 Ag摻雜CeO2/ZnO復合材料的制備
4.3 結(jié)果與討論
4.3.1 晶體結(jié)構(gòu)表征
4.3.2 微觀結(jié)構(gòu)表征
4.3.3 光響應性能表征
4.3.4 光生載流子復合率表征
4.3.5 光催化劑對染料的降解性能
4.4 本章結(jié)論
第5章 CeO2/ZnO/石墨烯復合材料制備及其降解AF性能
5.1 前言
5.2 實驗材料及過程
5.2.1 實驗試劑
5.2.2 ZnO/石墨烯的制備
5.2.3 CeO2/ZnO/石墨烯復合材料的制備
5.3 結(jié)果與討論
5.3.1 晶體結(jié)構(gòu)表征
5.3.2 微觀結(jié)構(gòu)表征
5.3.3 光響應性能表征
5.3.4 光生載流子復合率表征
5.3.5 光催化劑對染料的降解性能
5.3.6 催化劑的重復使用性能
5.3.7 光催化降解機制探究
5.4 實際廢水降解
5.5 本章結(jié)論
第6章 總結(jié)與展望
6.1 總結(jié)
6.2 展望
參考文獻
在校期間發(fā)表論文及專利
致謝
本文編號:3865408
【文章頁數(shù)】:87 頁
【學位級別】:碩士
【文章目錄】:
摘要
Abstract
第1章 緒論
1.1 印染廢水概述
1.1.1 印染廢水的危害
1.1.2 印染廢水的特點
1.2 印染廢水的處理工藝
1.2.1 物理法
1.2.2 生物法
1.2.3 化學法
1.3 半導體光催化技術(shù)概述
1.4 ZnO光催化材料國內(nèi)外研究現(xiàn)狀
1.4.1 控制形貌
1.4.2 半導體復合
1.4.3 離子摻雜
1.4.4 貴金屬沉積
1.5 CeO2光催化材料國內(nèi)外研究現(xiàn)狀
1.6 CeO2/ZnO光催化材料國內(nèi)外研究現(xiàn)狀
1.7 研究內(nèi)容與意義
第2章 實驗部分
2.1 實驗儀器
2.2 表征測試儀器
2.3 光催化反應裝置
2.4 樣品表征
2.4.1 晶體結(jié)構(gòu)表征
2.4.2 微觀結(jié)構(gòu)表征
2.4.3 光響應性能表征
2.4.4 光生載流子復合率表征
2.4.5 降解產(chǎn)物分析
2.5 光催化降解實驗
第3章 CeO2/ZnO復合材料制備及其降解AF性能
3.1 前言
3.2 實驗材料及過程
3.2.1 實驗試劑
3.2.2 ZnO的制備
3.2.3 CeO2的制備
3.2.4 CeO2/ZnO復合材料的制備
3.3 結(jié)果與討論
3.3.1 晶體結(jié)構(gòu)表征
3.3.2 微觀結(jié)構(gòu)表征
3.3.3 比表面積表征
3.3.4 光響應性能表征
3.3.5 光生載流子復合率表征
3.3.6 光催化劑對染料的降解性能
3.3.7 催化劑的重復使用性能
3.3.8 催化劑對不同染料的降解性能
3.3.9 光降解過程分析
3.3.10 光催化降解機制探究
3.4 本章結(jié)論
第4章 Ag摻雜CeO2/ZnO復合材料制備及其降解AF性能
4.1 前言
4.2 實驗材料及過程
4.2.1 實驗試劑
4.2.2 Ag摻雜ZnO的制備
4.2.3 Ag摻雜CeO2/ZnO復合材料的制備
4.3 結(jié)果與討論
4.3.1 晶體結(jié)構(gòu)表征
4.3.2 微觀結(jié)構(gòu)表征
4.3.3 光響應性能表征
4.3.4 光生載流子復合率表征
4.3.5 光催化劑對染料的降解性能
4.4 本章結(jié)論
第5章 CeO2/ZnO/石墨烯復合材料制備及其降解AF性能
5.1 前言
5.2 實驗材料及過程
5.2.1 實驗試劑
5.2.2 ZnO/石墨烯的制備
5.2.3 CeO2/ZnO/石墨烯復合材料的制備
5.3 結(jié)果與討論
5.3.1 晶體結(jié)構(gòu)表征
5.3.2 微觀結(jié)構(gòu)表征
5.3.3 光響應性能表征
5.3.4 光生載流子復合率表征
5.3.5 光催化劑對染料的降解性能
5.3.6 催化劑的重復使用性能
5.3.7 光催化降解機制探究
5.4 實際廢水降解
5.5 本章結(jié)論
第6章 總結(jié)與展望
6.1 總結(jié)
6.2 展望
參考文獻
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致謝
本文編號:3865408
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