本文關(guān)鍵詞：SiC專刊征稿啟事，由筆耕文化傳播整理發(fā)布。

【摘要】：正電力電子器件發(fā)展直接帶動(dòng)了大功率變流器水平的整體提升,并促進(jìn)和推動(dòng)了電力電子技術(shù)和應(yīng)用的迅速發(fā)展。碳化硅(SiC)作為當(dāng)前國(guó)際上最先進(jìn)的第三代新型半導(dǎo)體材料,具有寬帶隙、高臨界擊穿電場(chǎng)、高熱導(dǎo)率、高載流子漂移速度等特點(diǎn)。與傳統(tǒng)的硅材料器件相比,SiC器件可減少能耗75%,大幅降低設(shè)備成本并提高系統(tǒng)可靠性,可廣泛應(yīng)用于國(guó)民經(jīng)濟(jì)的各個(gè)領(lǐng)域。
【作者單位】： 《大功率變流技術(shù)》編輯部;
【關(guān)鍵詞】： 載流子漂移速度;臨界擊穿電場(chǎng);電力電子技術(shù);半導(dǎo)體材料;高熱導(dǎo)率;電力電子器件;設(shè)備成本;SiC;器件技術(shù);系統(tǒng)可靠性;
【分類號(hào)】：+
【正文快照】： 電力電子器件發(fā)展直接帶動(dòng)了大功率變流器水平的整體提升,并促進(jìn)和推動(dòng)了電力電子技術(shù)和應(yīng)用的迅速發(fā)展。碳化硅(Si C)作為當(dāng)前國(guó)際上最先進(jìn)的第三代新型半導(dǎo)體材料,具有寬帶隙、高臨界擊穿電場(chǎng)、高熱導(dǎo)率、高載流子漂移速度等特點(diǎn)。與傳統(tǒng)的硅材料器件相比,Si C器件可減少能

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1 馬稚堯,史濟(jì)群;半導(dǎo)體中載流子漂移速度與任意場(chǎng)強(qiáng)的一種解析關(guān)系[J];華中工學(xué)院學(xué)報(bào);1987年03期

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本文編號(hào)：413587