本文關(guān)鍵詞：感光理論，由筆耕文化傳播整理發(fā)布。

內(nèi)容回顧 感光材料的制備過程； 感光乳劑的制備過程； 乳化方法。 第四章 感光材料的感光理論 熟悉鹵化銀晶體結(jié)構(gòu)； 掌握潛影的本質(zhì)及潛影的形成; 了解潛影理論（葛爾尼―莫特理論、米契爾理論）； 了解潛影的衰退； 了解顯影理論。 一、鹵化銀晶體的結(jié)構(gòu)和性質(zhì) 物質(zhì)的形態(tài)：晶形和無定性。 晶體：具有一定的幾何形狀； 鹵化銀顆粒是極細(xì)微的晶體。 晶體按所組成的質(zhì)點(diǎn)不同，可分為離子型晶體、原子型晶體、分子型晶體和金屬型晶體。 鹵化銀晶體屬于離子型晶體。 晶體按點(diǎn)陣結(jié)構(gòu)的對(duì)稱性不同，可分為7種晶系：立方、三方、四方、六方、三斜、單斜、正交。AgCl和AgBr晶體屬于立方晶系； AgI有立方和六方晶形； Ag+過量，立方晶形； I+過量，，六方晶形； 含有I+增感染料鹽的水溶液加到AgBr晶體上，形成的AgI既有立方晶形，又有六方晶形。 2.孿晶和雙晶 又稱T顆�；虮馄筋w粒。 孿晶 兩排生長(zhǎng)在一起的晶體； 比單晶更活潑和靈敏。 雙晶 同種物質(zhì)的晶體有規(guī)律的連在一起生長(zhǎng)； A.點(diǎn)陣缺陷：晶體中的離子在它原有的位置上發(fā)生遷移，出現(xiàn)在它不該出現(xiàn)的位置。 弗倫克爾缺陷：離子從點(diǎn)陣位置遷移至空隙（非點(diǎn)陣）位置，形成可在晶體中移動(dòng)的空隙離子。負(fù)離子保持正常。 肖特基缺陷：鹵化銀晶體的點(diǎn)陣位置上缺少一對(duì)正負(fù)離子。 B.點(diǎn)陣位錯(cuò)：點(diǎn)陣中某些離子偏離了原有的點(diǎn)陣位置，造成晶體外形畸變。 棱位錯(cuò)：晶棱發(fā)生位移，在晶體中形成一個(gè)不完整平面。 螺旋位錯(cuò)：晶面發(fā)生滑移形成晶形畸變。 二、鹵化銀顆粒結(jié)構(gòu)與照相性能的關(guān)系 1.顆粒種類的影響 感光能力從高到低：AgBr AgCl AgI； 負(fù)片： AgBr +AgI； 正性感光材料： AgCl+ AgBr。 與感光度的關(guān)系 與反差系數(shù)的關(guān)系 鹵化銀顆

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