本文關(guān)鍵詞：中國(guó)集成電路，由筆耕文化傳播整理發(fā)布。

　　三、資本基礎(chǔ)。省、市、區(qū)共同設(shè)立了500億元湖北集成電路產(chǎn)業(yè)專屬投資基金，用于建設(shè)存儲(chǔ)器生產(chǎn)研發(fā)以及產(chǎn)業(yè)鏈上下游項(xiàng)目。

　　四、人才基礎(chǔ)。首先，武漢新芯在楊士寧博士的帶領(lǐng)下，擁有一支實(shí)戰(zhàn)經(jīng)驗(yàn)豐富的研發(fā)和制造隊(duì)伍，為實(shí)施存儲(chǔ)器戰(zhàn)略提供有力保障。武漢新芯舉全球英才，更進(jìn)一步引進(jìn)國(guó)際化的技術(shù)團(tuán)隊(duì)。與此同時(shí)，武漢科教實(shí)力雄厚，人才資源豐富，是中國(guó)三大智力密集區(qū)之一。東湖高新區(qū)半導(dǎo)體發(fā)展人才資源豐富，半導(dǎo)體行業(yè)工程技術(shù)和研究人員超過(guò)2萬(wàn)人。其次，省、市和東湖高新區(qū)將制定切實(shí)可行的集成電路產(chǎn)業(yè)各層次專業(yè)人才引進(jìn)方案和專項(xiàng)政策。近期重點(diǎn)為滿足存儲(chǔ)器基地項(xiàng)目需求，引進(jìn)存儲(chǔ)器產(chǎn)業(yè)各個(gè)環(huán)節(jié)高層次人才。此外，還將依托區(qū)內(nèi)高校和相關(guān)企業(yè)建設(shè)集成電路產(chǎn)業(yè)實(shí)訓(xùn)基地，為存儲(chǔ)器基地項(xiàng)目定向培養(yǎng)一線研發(fā)制造專業(yè)人才。

　　五、市場(chǎng)基礎(chǔ)。存儲(chǔ)器是電子信息化產(chǎn)業(yè)的重要元器件之一，隨著汽車(chē)電子、醫(yī)療電子、消費(fèi)電子（含智能終端）產(chǎn)業(yè)的迅速發(fā)展，尤其是日趨電子化的汽車(chē)領(lǐng)域，使得對(duì)存儲(chǔ)器的需求量迅速增加。目前，中國(guó)國(guó)內(nèi)外多家知名智能終端龍頭企業(yè)和汽車(chē)生產(chǎn)商，，對(duì)存儲(chǔ)器芯片的需求量極大，能快速形成產(chǎn)業(yè)鏈互補(bǔ)推動(dòng)效應(yīng)。武漢新芯已經(jīng)和國(guó)內(nèi)外多家產(chǎn)業(yè)鏈下游企業(yè)簽訂了合作協(xié)議和開(kāi)展合作洽談，產(chǎn)品有了龐大市場(chǎng)需求的基礎(chǔ)。

　　戰(zhàn)略高地—打破存儲(chǔ)器進(jìn)口依賴

　　集成電路產(chǎn)業(yè)是信息技術(shù)產(chǎn)業(yè)的核心，被稱為“工業(yè)糧食”和“生死攸關(guān)的工業(yè)”，是未來(lái)產(chǎn)業(yè)競(jìng)爭(zhēng)、科技競(jìng)爭(zhēng)、綜合實(shí)力競(jìng)爭(zhēng)的制高點(diǎn)。若說(shuō)集成電路產(chǎn)業(yè)是現(xiàn)代工業(yè)的糧食，那么存儲(chǔ)器在現(xiàn)階段就是糧食中的主糧。然而，這關(guān)乎國(guó)家信息安全的“糧食”，我國(guó)一直依賴進(jìn)口。清華大學(xué)微電子學(xué)研究所所長(zhǎng)魏少軍教授接受記者采訪時(shí)直言，“從某種意義上說(shuō)，如果沒(méi)有芯片，整個(gè)信息產(chǎn)業(yè)就建在沙灘上。”

　　2014年全球存儲(chǔ)器市場(chǎng)規(guī)模約750億美元，約占全球集成電路市場(chǎng)份額的25%，同比增長(zhǎng)約10%。我國(guó)是全球最大的電子信息產(chǎn)業(yè)基地，電子整機(jī)所用存儲(chǔ)器市場(chǎng)需求約2465.5億元，占我國(guó)集成電路市場(chǎng)規(guī)模的23.7%。2014年，我國(guó)集成電路進(jìn)口額2176.2億美元，是我國(guó)進(jìn)口額最大的產(chǎn)品，其中存儲(chǔ)器進(jìn)口額占24.9%。近幾年中國(guó)集成電路產(chǎn)業(yè)持續(xù)保持高速增長(zhǎng)，近十年平均增長(zhǎng)率18%，而全球平均增長(zhǎng)率僅有3.5-6%。

　　彎道超車(chē)—本土“智造”把握歷史新機(jī)遇

　　圖4-國(guó)家存儲(chǔ)器基地規(guī)劃藍(lán)圖

　　“全球集成電路產(chǎn)業(yè)面臨新的轉(zhuǎn)折點(diǎn)，這為我國(guó)集成電路彎道超車(chē)提供了機(jī)遇。” 中國(guó)科學(xué)院微電子研究所所長(zhǎng)葉甜春表示，這承載了國(guó)家自主創(chuàng)新的使命，隨著物聯(lián)網(wǎng)、大數(shù)據(jù)產(chǎn)業(yè)的發(fā)展，存儲(chǔ)芯片的需求還將激增，中國(guó)必須有企業(yè)站出來(lái)填補(bǔ)空白，搶占市場(chǎng)。

　　武漢新芯集成電路制造有限公司執(zhí)行副總裁/商務(wù)長(zhǎng)陳少民先生接受記者采訪時(shí)表示，“NAND Flash可廣泛應(yīng)用于智能終端、云計(jì)算、IOT等領(lǐng)域，每年市場(chǎng)增長(zhǎng)超過(guò)10%。目前3D-NAND Flash市場(chǎng)份額占存儲(chǔ)器總市場(chǎng)的11-13%，到2020年中國(guó)市場(chǎng)占據(jù)其中的40-50%；2D-NAND Flash目前已經(jīng)到達(dá)了物理極限，可以說(shuō)該項(xiàng)目是我國(guó)集成電路產(chǎn)業(yè)彎道超車(chē)的絕佳時(shí)機(jī)，未來(lái)即使?jié)M產(chǎn)也還遠(yuǎn)遠(yuǎn)滿足不了國(guó)內(nèi)市場(chǎng)需求，市場(chǎng)潛力巨大。”

　　據(jù)悉，自2015年武漢新芯與美國(guó)Spansion公司宣布合作開(kāi)發(fā)與生產(chǎn)3D NAND閃存技術(shù)，同時(shí)簽署共同開(kāi)發(fā)和交叉授權(quán)協(xié)議。雙方在3D NAND項(xiàng)目研發(fā)取得了突破性進(jìn)展。陳少民先生回應(yīng)稱，“武漢新芯與競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手的差距只有一代半，我們有信心在三代產(chǎn)品后趕上國(guó)際廠商”。

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