本文關(guān)鍵詞：固體電子學(xué)研究與進(jìn)展雜志，由筆耕文化傳播整理發(fā)布。

固體電子學(xué)研究與進(jìn)展雜志社/雜志簡(jiǎn)介 《固體電子學(xué)研究與進(jìn)展》1981年創(chuàng)刊，是南京電子器件研究所主辦的全國(guó)性學(xué)術(shù)期刊（雙月刊），向國(guó)內(nèi)外公開(kāi)發(fā)行。辦刊宗旨是面向21世紀(jì)固體物理和微電子學(xué)領(lǐng)域的創(chuàng)新性學(xué)術(shù)研究。刊登的內(nèi)容為：無(wú)機(jī)和有機(jī)固體物理、硅微電子、射頻器件和微波集成電路、微機(jī)電系統(tǒng)（MEMS）、納米技術(shù)、固體光電和電光轉(zhuǎn)換、有機(jī)發(fā)光器件（OLED）和有機(jī)微電子技術(shù)、高溫微電子以及各種固體電子器件等方面的創(chuàng)新性科學(xué)技術(shù)報(bào)告和學(xué)術(shù)論文，論文和研究報(bào)告反映國(guó)家固體電子學(xué)方面的科技水平。 固體電子學(xué)研究與進(jìn)展收錄情況/影響因子 國(guó)家新聞出版總署收錄　維普網(wǎng)、萬(wàn)方數(shù)據(jù)庫(kù)、知網(wǎng)數(shù)據(jù)庫(kù)、化學(xué)文摘（網(wǎng)絡(luò)版）、文摘與引文數(shù)據(jù)庫(kù)收錄

1、中文核心期刊：

1992-2011年連續(xù)6屆中文核心期刊（中文核心期刊(1992)、中文核心期刊(1996)、中文核心期刊(2000)、中文核心期刊(2004)、中文核心期刊(2008)、中文核心期刊(2011)）

2、CSCD中國(guó)科學(xué)引文數(shù)據(jù)庫(kù)來(lái)源期刊（2013-2014年度）（含擴(kuò)展版）

3、數(shù)據(jù)：MARC數(shù)據(jù)、DC數(shù)據(jù)

4、圖書(shū)館藏：國(guó)家圖書(shū)館館藏、上海圖書(shū)館館藏

5、影響因子：

截止2014年萬(wàn)方：影響因子：0.182；總被引頻次：191

截止2014年知網(wǎng)：復(fù)合影響因子：0.259；綜合影響因子：0.174

6、固體電子學(xué)研究與進(jìn)展雜志榮譽(yù)：

中國(guó)期刊方陣雙效期刊

江蘇省第六屆優(yōu)秀期刊

工信部09-10年期刊編輯質(zhì)量?jī)?yōu)秀獎(jiǎng)

信息產(chǎn)業(yè)部2001-2002年優(yōu)秀期刊 固體電子學(xué)研究與進(jìn)展欄目設(shè)置 器件物理、射頻器件與電路、微電子學(xué)、光電子學(xué)、半導(dǎo)體材料。 固體電子學(xué)研究與進(jìn)展編輯部/雜志社投稿須知 1、來(lái)稿要求主題突出，論據(jù)充分，內(nèi)容新穎、創(chuàng)新、實(shí)用。來(lái)稿采用A4幅面，5號(hào)字體，每頁(yè)40行，每行大約39個(gè)漢字，來(lái)稿控制在6頁(yè)以內(nèi)。建議作者同時(shí)介紹一下論文的工作背景、原創(chuàng)性、先進(jìn)性與指導(dǎo)意義。

2、標(biāo)題（中、英文對(duì)照）：中文標(biāo)題控制在20個(gè)漢字以內(nèi)；英文標(biāo)題最多為400個(gè)字符。

3、作者姓名（中文、漢語(yǔ)拼音對(duì)照）：作者姓名漢語(yǔ)拼音的寫(xiě)法為姓在前、名在后，姓氏的全部字母均大寫(xiě)，名字的首字母大寫(xiě)。

4、作者單位（中、英文對(duì)照）：作者單位需給出所有作者的工作單位全稱、所在省、市及郵政編碼，英文部分還應(yīng)在郵編之后加上國(guó)別代碼“CHN”。

5、摘要（中、英文對(duì)照）：摘要應(yīng)能反映文章主要內(nèi)容，應(yīng)能給讀者關(guān)于文章內(nèi)容的足夠信息，它包括研究的目的、方法、結(jié)果和結(jié)論。有關(guān)論文的背景信息、作者過(guò)去的研究及將來(lái)的計(jì)劃和工作意義都不應(yīng)在摘要中出現(xiàn)。中文摘要不超過(guò)300個(gè)漢字；英文摘要不超過(guò)150個(gè)單詞（含介詞），不出現(xiàn)“Itisreported，Extensiveinvestigotionshowsthat…”詞句。

6、關(guān)鍵詞（中、英文對(duì)照3-8個(gè)）：中文關(guān)鍵詞應(yīng)使用中文全稱，盡量不采用英語(yǔ)縮略語(yǔ)。中、英文各關(guān)鍵詞之間用分號(hào)隔開(kāi)。在中、英文關(guān)鍵詞的下方分別給出論文的中圖分類(lèi)號(hào)與EEACC(或PACC)。

7、基金項(xiàng)目：在正文首頁(yè)下方，按照國(guó)家有關(guān)部門(mén)規(guī)定的正式名稱寫(xiě)明基金項(xiàng)目，并在圓括號(hào)內(nèi)注明其項(xiàng)目編號(hào)。多項(xiàng)基金項(xiàng)目應(yīng)依次列出，其間用分號(hào)隔開(kāi)。

8、聯(lián)系作者：在正文首頁(yè)下方，給出第一作者或聯(lián)系人的E-mail，如第一作者為研究生，宜將導(dǎo)師作為聯(lián)系人。

9、插圖與表格：應(yīng)安排在文中的相應(yīng)位置，圖表均應(yīng)清晰可辨。圖題、表題需中、英文對(duì)照，圖、表內(nèi)的中文詞均改為英文，插圖�？刂圃�10幅以內(nèi)。

10、參考文獻(xiàn)：按文中引用次序排列（引用處應(yīng)加上角碼（[]），按GB/T7714-2005著錄，順序?yàn)椋?/P>

a.期刊：作者.篇名（文題）[J].期刊名稱，出版年；卷號(hào)（期號(hào)）：起止頁(yè)

b.專(zhuān)著：作者.書(shū)名[M].出版地：出版者，出版年；起止頁(yè)

c.會(huì)議錄、論文集：作者.文題[C].文集編者.會(huì)議錄或論文集名，出版地：

出版者，出版年；起止頁(yè)

d.學(xué)位論文：作者.文題[D].學(xué)位授予單位，編號(hào)或縮微制品序號(hào)，年份

文獻(xiàn)中作者項(xiàng)：姓在前、名在后，去縮寫(xiě)點(diǎn)；3人以下應(yīng)全列出，4人以上則只列出3人后再加上“等”（etal.）。

11、作者簡(jiǎn)介：文稿最后應(yīng)有作者簡(jiǎn)介及電子版照片（限3位），內(nèi)容包括：姓名、性別、出生年月、職稱或職務(wù)、學(xué)歷、現(xiàn)從事何種研究。

12、文稿中使用的名詞術(shù)語(yǔ)、符號(hào)、計(jì)量單位要前后一致，符合國(guó)家有關(guān)標(biāo)準(zhǔn)（SI單位）。文中專(zhuān)業(yè)符號(hào)、大小寫(xiě)、英文與希臘文和正、斜體都要標(biāo)寫(xiě)清楚，用作上下角的字母、數(shù)碼和符號(hào)，其高低層次分明。

13、來(lái)稿不得涉及國(guó)家機(jī)密，涉及者應(yīng)有單位證明。來(lái)稿請(qǐng)寫(xiě)明詳細(xì)地址（郵政編碼）及聯(lián)系人和電話號(hào)碼，有電子郵件信箱的也請(qǐng)留下信箱地址。來(lái)稿切勿一稿多投。來(lái)稿無(wú)論錄用與否，本刊均會(huì)通知作者。

14、為適應(yīng)我國(guó)信息化建設(shè)，擴(kuò)大本刊及作者知識(shí)信息交流渠道，本刊已被《中國(guó)學(xué)術(shù)期刊網(wǎng)絡(luò)出版總庫(kù)》及CKNI系列數(shù)據(jù)庫(kù)收錄，其作者文章著作權(quán)使用費(fèi)與本刊稿酬一次性給付。免費(fèi)提供作者文章引用統(tǒng)計(jì)分析資料。如作者不同意文章被收錄，請(qǐng)?jiān)趤?lái)稿時(shí)向本刊說(shuō)明，本刊將作適當(dāng)處理。 固體電子學(xué)研究與進(jìn)展同類(lèi)優(yōu)質(zhì)期刊(排名不分先后)

學(xué)術(shù)雜志網(wǎng)是專(zhuān)業(yè)學(xué)術(shù)雜志網(wǎng)站。歷經(jīng)7年多的發(fā)展與廣大會(huì)員的積極參與,現(xiàn)已成為全國(guó)會(huì)員最多、口碑最好的雜志介紹網(wǎng)站。先后3余次榮膺各類(lèi)媒體的好評(píng)和推薦，并在2007年獲得了中國(guó)最佳商業(yè)網(wǎng)站排行榜六強(qiáng)的榮譽(yù)稱號(hào)。

《學(xué)術(shù)雜志網(wǎng)》雜志發(fā)表公告：
    1、審稿快：《固體電子學(xué)研究與進(jìn)展雜志》內(nèi)部審稿通道為1-7天，大大縮短了投、審、刊的時(shí)間；
    2、發(fā)刊快：凡是在本站編輯部投稿并確定錄用的稿件，可享受1-4個(gè)月見(jiàn)刊；
    3、溝通好：專(zhuān)業(yè)老師對(duì)你的稿件編輯情況、排刊情況、見(jiàn)刊情況進(jìn)行及時(shí)溝通；
    4、有保障：有專(zhuān)業(yè)的專(zhuān)家教授團(tuán)隊(duì)，為您免費(fèi)修改需要返修的《固體電子學(xué)研究與進(jìn)展》論文；
    5、送期刊：凡是在本站投稿的作者，均可免費(fèi)獲得《固體電子學(xué)研究與進(jìn)展》雜志一本；
    6、團(tuán)購(gòu)大優(yōu)惠:一次性發(fā)表3篇以上的文章，均可獲得團(tuán)購(gòu)特別優(yōu)惠活動(dòng)，有需要的朋友請(qǐng)點(diǎn)擊右欄客服老師具體咨詢；
    7、我們還可以為你提供CNKI反抄襲檢測(cè)、寫(xiě)作輔導(dǎo)、繼教學(xué)分、著書(shū)代理、英文翻譯等服務(wù)。

《學(xué)術(shù)雜志網(wǎng)》雜志發(fā)表聲明:
    1.《固體電子學(xué)研究與進(jìn)展雜志》為國(guó)家承認(rèn)、正規(guī)、合法、雙刊號(hào)期刊
    2.中國(guó)期刊網(wǎng): 可查詢，并全文收錄
    3.國(guó)家新聞出版總署: 可查詢，收錄期刊
    4、本站只收取最低限度的中介服務(wù)費(fèi)，以維持網(wǎng)站正常運(yùn)轉(zhuǎn)，如果還有比本站價(jià)格更低，且能成功發(fā)表的，一周之內(nèi)可以退出多收款項(xiàng)。
    5、本站投稿成功率高，沒(méi)有成功發(fā)表的全額退還一切費(fèi)用。

《學(xué)術(shù)雜志網(wǎng)》期刊發(fā)表流程:
    1.提出發(fā)表要求 → 2.報(bào)價(jià)及推薦刊物→ 3.支付服務(wù)費(fèi)訂金 → 4.發(fā)送材料經(jīng)您確定 → 5.審稿并推薦發(fā)表 → 6.編輯部發(fā)通知書(shū) → 7.最終確定發(fā)表 → 8.編輯部寄樣刊

1.《固體電子學(xué)研究與進(jìn)展雜志》價(jià)格能不能更便宜一些？

答:由客戶確定類(lèi)型，由本站為客戶根據(jù)期刊排版日期、收費(fèi)情況來(lái)推薦給客戶，價(jià)格可以適當(dāng)下調(diào)，并且出稿的速度會(huì)更快。

2.發(fā)表的信用有保證嗎？

答:學(xué)術(shù)雜志網(wǎng)建站7年以來(lái)，各方面取得了非常的業(yè)績(jī)，開(kāi)通了支付寶信認(rèn)商家服務(wù)，可以擔(dān)保交易；網(wǎng)銀在線支付是首批2005年用戶；所有的銀行卡號(hào)都是2004年注冊(cè)的；付款可以支付到對(duì)工帳戶(工商銀行)。如果有欺騙行為，所有的收款方式都早就被注銷(xiāo)了。

3.你們的網(wǎng)站有退款服務(wù)嗎？

答:請(qǐng)客戶保留匯款憑證。由本站發(fā)表的文章，如果沒(méi)有按期發(fā)表，由本站全額退還客戶支付的費(fèi)用。

4.什么是國(guó)家級(jí)、省級(jí)、核心期刊

答:“國(guó)家級(jí)”期刊，即由黨中央、國(guó)務(wù)院及所屬各部門(mén)，或中國(guó)科學(xué)院、中國(guó)社會(huì)科學(xué)院、各民主黨派和全國(guó)性人民團(tuán)體主辦的期刊及國(guó)家一級(jí)專(zhuān)業(yè)學(xué)會(huì)主辦的會(huì)刊。“省級(jí)”期刊即由各省、自治區(qū)、直轄市及其所屬部、委辦、廳、局主辦的期刊以及由各本、專(zhuān)科院校主辦的學(xué)報(bào)（刊）。核心期刊是學(xué)術(shù)界通過(guò)一整套科學(xué)的方法，對(duì)于期刊質(zhì)量進(jìn)行跟蹤評(píng)價(jià)，并以情報(bào)學(xué)理論為基礎(chǔ)，將期刊進(jìn)行分類(lèi)定級(jí)，把最為重要的一級(jí)稱之為核心期刊。

5.一般多長(zhǎng)時(shí)間能夠發(fā)表？

答:根據(jù)客戶的要求和選擇的期刊類(lèi)型不同，而且編輯部也有審稿、發(fā)稿等時(shí)間安排，《中外文摘》一般是1－4個(gè)月見(jiàn)刊，不排除有更長(zhǎng)久的時(shí)間，建議有需求的用戶一般提前2個(gè)月就開(kāi)始提交業(yè)務(wù)比較理想。

6.我可以隨時(shí)跟蹤進(jìn)展情況嗎？

答:當(dāng)然，，我們的每一位客戶，都會(huì)分配一名專(zhuān)職的客服經(jīng)理為你全程負(fù)責(zé)，隨時(shí)通報(bào)進(jìn)展情況。

7.是否可以真的做到100%發(fā)表？

答:一般來(lái)說(shuō)，可以做到98%以上準(zhǔn)時(shí)發(fā)表，如果編輯手里需要發(fā)表的文章已經(jīng)比較多的時(shí)候，就會(huì)推遲一些。如果稿件質(zhì)量確實(shí)較差，我們的專(zhuān)業(yè)老師會(huì)幫助你修改一下。該期刊特別忙的話，在征得客戶你的同意后，可以免費(fèi)更換到同級(jí)的期刊發(fā)表。

8.可以通過(guò)那些方式付款？

答:目前，我們支持工商銀行、建設(shè)銀行、農(nóng)業(yè)銀行、中國(guó)銀行、郵政儲(chǔ)蓄等銀行的柜臺(tái)匯款；網(wǎng)銀在線付款；支付寶、淘寶在線付款；企業(yè)的對(duì)工帳戶付款。我們的法人代表是“任本芬”、對(duì)工帳戶是“四川博文網(wǎng)絡(luò)科技有限責(zé)任公司”，有疑問(wèn)請(qǐng)聯(lián)系投訴與建議中心楊老師：13378216660。

因篇幅限制，更多問(wèn)題請(qǐng)進(jìn)入專(zhuān)題了解>>

學(xué)術(shù)雜志網(wǎng)有投稿合作的均為正規(guī)期刊的編輯部，可在新聞出版總署網(wǎng)站查詢到相關(guān)投稿信息。本站以7年相關(guān)經(jīng)驗(yàn)，幫助選擇最適合的正規(guī)雜志社發(fā)表論文，以最快的速度達(dá)到客戶最滿意的效果。

在線咨詢：

《固體電子學(xué)研究與進(jìn)展》論文發(fā)表范例  InP基RTD特性的數(shù)值模擬研究王偉 孫浩 孫曉瑋 徐安懷 齊鳴 (317)
增強(qiáng)型GaN絕緣柵HEMT線性電荷控制解析模型盧盛輝 杜江鋒 羅謙 于奇 周偉 夏建新 楊謨?nèi)A (323)
薄硅層階梯埋氧PSOI高壓器件新結(jié)構(gòu)吳麗娟 胡盛東 張波 李肇基 (327)
超結(jié)硅鍺功率二極管電學(xué)特性的研究馬麗 高勇 王冬芳 張如亮 (333)
TaON界面層Hf基高κ柵介質(zhì)Ge MOS電容特性研究鄒曉 徐靜平 張雪峰 (338)
非對(duì)稱量子點(diǎn)中強(qiáng)耦合磁極化子的性質(zhì)王貴文 肖景林 (342)
雙量子環(huán)的隧穿電導(dǎo)和隧穿磁電阻杜堅(jiān) 王素新 (346)
柵長(zhǎng)對(duì)SOI NMOS器件ESD特性的影響恩云飛 何玉娟 羅宏偉 潘金輝 肖慶中 (350)
UTC-PD和RTD單片集成的器件模擬研究毛旭瑞 劉慶綱 宋瑞良 毛陸虹 郭維廉 (353)
一種基于微結(jié)構(gòu)的GaAs HEMT的壓阻系數(shù)侯婷婷 薛晨陽(yáng) 劉國(guó)文 賈曉娟 譚振新 張斌珍 劉俊 (358)
電子輻照對(duì)GaAs HBT殘余電壓與飽和電壓的影響田野 石瑞英 龔敏 何志剛 蔡娟露 溫景超 (362)
應(yīng)變Si（1-x）Gex（001）空穴有效質(zhì)量各向異性周春宇 劉超 宋建軍 (366)
LDMOSFET電熱耦合解析模型孫曉紅 戴文華 嚴(yán)唯敏 陳強(qiáng) 高懷 (370)
壓電基片上集成微通道數(shù)字微流體微混合器研究章安良 葉麗軍 費(fèi)景臣 (377)
U波段小數(shù)分頻鎖相環(huán)型頻率綜合器陰亞?wèn)| 郭桂良 高海軍 杜占坤 陳杰 (382)
低抖動(dòng)時(shí)鐘鎖相環(huán)的一種優(yōu)化設(shè)計(jì)方法尹海豐 毛志剛 (387)
基于LTCC的Ka波段帶通濾波器的設(shè)計(jì)李殷喬 紀(jì)建華 費(fèi)元春 周建明 (392)
應(yīng)用于無(wú)線傳感網(wǎng)絡(luò)的2.4GHz低噪聲放大器路守領(lǐng) 韓科鋒 姜祁峰 王俊宇 (396)
便攜式UHF RFID閱讀器中發(fā)射前端電路設(shè)計(jì)徐萍 何偉 張潤(rùn)曦 馬和良 賴宗聲 (402)
UHF RFID閱讀器中低噪聲△Σ小數(shù)頻率綜合器的設(shè)計(jì)何偉 徐萍 張潤(rùn)曦 石春琦 張勇 陳子晏 賴宗聲 (408)
一種基于0.13μm CMOS工藝的10位SAR A/D轉(zhuǎn)換器佟星元 楊銀堂 肖艷 朱樟明 陳劍鳴 (413)
基于分形IP核的平板顯示控制器設(shè)計(jì)與應(yīng)用徐美華 冉峰 陳章進(jìn) (418)
高動(dòng)態(tài)范圍多功能快照式紅外讀出電路設(shè)計(jì)胡濱 趙玉江 李平 阮?lèi)?ài)武 沈科 (425)
一種1.5V 8.3×10^-6/℃數(shù)字控制型CMOS帶隙基準(zhǔn)電壓源鄒亮 唐長(zhǎng)文 (431)
一種PDP掃描驅(qū)動(dòng)芯片的HV-PMOS的研究和實(shí)現(xiàn)韓成功 郭清 韓雁 張斌 張世峰 胡佳賢 (436)
一種新的四模式電荷泵電路的設(shè)計(jì)與實(shí)現(xiàn)黃振杰 鄧婉玲 黃君凱 (441)
一種高效單相電源Ⅰ類(lèi)線性音頻功放的設(shè)計(jì)楊?yuàn)檴?馮勇 洪志良 劉洋 (446)
一種低功耗嵌入式14位400MHz數(shù)模轉(zhuǎn)換器李亮 張惠國(guó) 陳珍海 (453)
低DNL的SAR型模數(shù)轉(zhuǎn)換器的設(shè)計(jì)裴曉敏 (458)
鋸齒型單壁碳納米管的光電性質(zhì)田紅燈 王利琴 王利光 K．Tagami M．Tsukada (159)
量子阱激光器的閾值電流與腔長(zhǎng)關(guān)系段天利 崔碧峰 王智群 沈光地 (165)
GaN HFET中的耦合溝道阱薛舫時(shí) (169)
納米雙柵MOS器件的二維量子模擬王豪 王高峰 常勝 黃啟俊 (174)
疊層高k柵介質(zhì)中遠(yuǎn)程界面粗糙散射的理論模型張雪鋒 邱云貞 張振娟 陳云 黃靜 王志亮 徐靜平 (180)
量子環(huán)終端布局對(duì)自旋輸運(yùn)的影響杜堅(jiān) (184)
量子棒中極化子聲子平均數(shù)的溫度依賴性烏云其木格 王曉昱 額爾敦朝魯 (188)
MOSFET集約模型的發(fā)展伍青青 陳靜 羅杰馨 肖德元 王曦 (192)
一種聯(lián)合設(shè)計(jì)的寬帶天線-濾波器模塊周杰美 王俊 王衛(wèi)東 (199)
一種寬帶正交振蕩器中子頻帶的精確設(shè)計(jì)方法潘杰 楊海鋼 楊立吾 (204)
MMIC用NiFe-SiO_x磁性金屬顆粒膜電感研究孔岑 李輝 張萬(wàn)里 陳辰 陳效建 (208)
高性能U波段砷化鎵體效應(yīng)二極管 張曉 鄧衍茂 張蕾 李熙華 王海濤 劉萍 錢(qián)剛 (212)
高線性度PHEMT達(dá)林頓放大器李曉倩 錢(qián)峰 鄭遠(yuǎn) (218)
全集成低噪聲CMOS寬帶分?jǐn)?shù)分頻頻率綜合器柴路 閔昊 (222)
CMOS寬帶可編程增益低噪聲放大器周春媛 閔昊 (228)
單片CMOS UHF RFID閱讀器中低噪聲LC VCO的設(shè)計(jì) 何偉 徐萍 張潤(rùn)曦 張勇 李彬 陳子晏 馬和良 (234)
一種新型大功率同軸Wilkinson功分器的研制王甲譽(yù) 李國(guó)民 劉新良 (240)
寬帶基片集成裂縫波導(dǎo)空間功率合成器駱新江 官伯然 陳宏江 吳景峰 (244)
雙頻帶通濾波器的優(yōu)化設(shè)計(jì)孟令琴 (247)
UHF RFID閱讀器中優(yōu)化小數(shù)頻率綜合器設(shè)計(jì)張潤(rùn)曦 何偉 石春琦 賴宗聲 (251)
Double RESURF nLDMOS功率器件的優(yōu)化設(shè)計(jì)朱奎英 錢(qián)欽松 孫偉峰 (256)
采用有限狀態(tài)機(jī)控制的升降壓雙通路高效率電荷泵張杰 殷亮 潘姚華 嚴(yán)冬勤 吳曉波 (262)
與工藝、電源電壓和溫度無(wú)關(guān)的低功耗振蕩環(huán)設(shè)計(jì)劉祥昕 李文宏 (269)
同步整流降壓型DC-DC過(guò)零檢測(cè)電路的設(shè)計(jì)王輝 王松林 來(lái)新泉 郭寶龍 牟在鑫 (276)
一種新的應(yīng)用于降壓式DC-DC變換器電流采樣電路的設(shè)計(jì)皮常明 徐翊華 周文君 王曉南 李文宏 (281)
單片集成直流-直流轉(zhuǎn)換器的效率提高方法倪金華 洪志良 劉洋 (287)
氮化鎵功率半導(dǎo)體器件技術(shù)張波 陳萬(wàn)軍 鄧小川 汪志剛 李肇基 (1)
銻化物超晶格紅外探測(cè)器的研究進(jìn)展李彥波 劉超 張楊 趙杰 曾一平 (11)
RTD表觀正阻與串聯(lián)電阻非本征雙穩(wěn)態(tài)的相關(guān)性 郭維廉 王偉 劉偉 李曉云 牛萍娟 梁惠來(lái) 張世林 (18)
新結(jié)構(gòu)InGaP／GaAs／InGaPDHBT生長(zhǎng)及特性研究艾立鹍 徐安懷 孫浩 朱福英 齊鳴 (23)
BSIM4和ULTRA—BULK模型對(duì)稱性和連續(xù)性的檢驗(yàn)李博 牛旭東 宋巖 何進(jìn) 林信南 (27)
應(yīng)變Si／SiGe溝道功率UMOSFET的模擬分析胡海帆 王穎 程超 (32)
0．6μmMOS器件穩(wěn)態(tài)總劑量損傷效應(yīng)研究羅尹虹 郭紅霞 張鳳祁 姚志斌 何寶平 岳素格 (37)
變漂移區(qū)厚度SOI橫向高壓器件的優(yōu)化設(shè)計(jì)郭宇鋒 王志功 管邦虎 (42)
電子束輻射對(duì)LED發(fā)光性能的影響于莉媛 王凡 牛萍娟 許文翠 李曉云 唐衛(wèi)東 楊斌 (47)
156GHz0．15μmGaAs Metamorphic HEMT器件研制康耀輝 高建峰 黃念寧 陳堂勝 (51)
15～17GHz高精度單片數(shù)控移相器的研制潘曉楓 沈亞 洪偉 (54)
一種砷化鎵HBT高速預(yù)分頻器的設(shè)計(jì)瞿小峰 陸科杰 栗成智 隋文泉 (59)
基于雪崩三極管的高重頻高穩(wěn)定度脈沖源研究 袁雪林 張洪德 徐哲峰 丁臻捷 俞建國(guó) 浩慶松 曾搏 (64)
內(nèi)置驅(qū)動(dòng)器的六位GaAsPHEMT寬帶單片數(shù)控衰減器李娜 許正榮 李曉鵬 陳新宇 (69)
基于神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)的RFMEMS移相器面向設(shè)計(jì)參數(shù)建模楊國(guó)輝 吳群 傅佳輝 孟繁義 張狂 (73)
11．25°毫米波數(shù)字移相器的設(shè)計(jì)劉玥玲 楊永輝 周邦華 (80)
低功耗寬帶CMOSLC—VCO設(shè)計(jì)肖時(shí)茂 馬成炎 葉甜春 (85)
一種帶有升壓電路的0．5V3GHz低功耗LCVCO設(shè)計(jì)周海峰 韓雁 董樹(shù)榮 韓曉霞 王春暉 (90)
2．4GHz可變?cè)鲆鍯MOS低噪聲放大器設(shè)計(jì)丘聰 葉甜春 范軍 (94)
有孔圓柱介質(zhì)諧振頻率的自動(dòng)測(cè)試方法肖芬 彭浪 劉同贊 林賢體 (98)
連續(xù)時(shí)間型∑△調(diào)制器的系統(tǒng)級(jí)設(shè)計(jì)和建模方法張翼 葉天鳳 洪志良 劉洋 (102)
2．5W低噪聲CMOSD類(lèi)音頻功放設(shè)計(jì)黃武康 周長(zhǎng)勝 袁國(guó)順 趙海亮 (108)
10bit20MS／s流水線模數(shù)轉(zhuǎn)換器設(shè)計(jì)衛(wèi)寶躍 周玉梅 范軍 胡曉宇 陳利杰 (114)
千兆比特?cái)?shù)據(jù)率LVDS接口電路設(shè)計(jì)矯逸書(shū) 周玉梅 蔣見(jiàn)花 (119)
鎖相環(huán)中電荷泵的分析與設(shè)計(jì)馬辰光 馮軍 (124)
應(yīng)用于PWM降壓DC—DC變換器的高性能誤差放大器王佳 魏廷存 鄭然 高武 高德遠(yuǎn) (129)
一種用于LED驅(qū)動(dòng)的高效電荷泵電路的設(shè)計(jì)尚林林 楊紅官 郭友洪 (134)
一種用于高精度跟蹤型RDC的壓控振蕩器徐大林 羅佳亮 廖良闖 黃慶安 (139)
基于結(jié)終端擴(kuò)展的4H—SiC肖特基勢(shì)壘二極管研制張發(fā)生 李欣然 (146)
引入基態(tài)施主能級(jí)分裂的SiC基MOS電容模型戴振清 楊瑞霞 (150)
泡顯影液法T—TOP剝離工藝研究彭勁松 黃念寧 陳堂

[1] [2] 下一頁(yè)

學(xué)術(shù)雜志網(wǎng)致力于學(xué)術(shù)雜志信息整理收錄和投稿，我們只協(xié)助已經(jīng)獲得授權(quán)的雜志社進(jìn)行征稿（征稿授權(quán)和經(jīng)營(yíng)許可）。本站非固體電子學(xué)研究與進(jìn)展雜志社編輯部網(wǎng)站，查詢稿件的朋友可以直接聯(lián)系雜志社的編輯部。如果貴雜志社不希望我們收錄您的期刊信息，請(qǐng)致電13378216660(8:00-22:00)。 。

    本文地址：

  本文關(guān)鍵詞：固體電子學(xué)研究與進(jìn)展雜志，由筆耕文化傳播整理發(fā)布。

本文編號(hào)：45574