本文關(guān)鍵詞：高數(shù)值孔徑投影光刻物鏡的光學(xué)設(shè)計

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【摘要】：針對45nm節(jié)點投影光刻物鏡的應(yīng)用,開展了工作波長為193nm的深紫外浸沒式高數(shù)值孔徑(NA)投影光刻物鏡的研究和研制。設(shè)計了數(shù)值孔徑(NA)為1.30的離軸三反射鏡投影光刻物鏡和NA為1.35的同軸兩反射鏡投影光刻物鏡,并對兩個設(shè)計方案的優(yōu)劣進行對比分析,選擇了同軸式結(jié)構(gòu)作為最終的設(shè)計方案。分析了系統(tǒng)在不同NA情況下可變光闌與其遠心度之間的關(guān)系,提出了用雙可變曲面光闌的設(shè)計方案來優(yōu)化系統(tǒng)的遠心度。實驗表明,應(yīng)用本文設(shè)計方案,光刻物鏡的波像差小于1nm,畸變小于1nm;新型的可變光闌使系統(tǒng)NA在0.85~1.35變化時的最大遠心度由5.83~17.57mrad降低至0.26~3.21mrad。本文提出的設(shè)計方案為45nm節(jié)點高數(shù)值孔徑投影光刻物鏡的研制提供了有益的理論依據(jù)和指導(dǎo)。
【作者單位】： 中國科學(xué)院長春光學(xué)精密機械與物理研究所應(yīng)用光學(xué)國家重點實驗室;中國科學(xué)院大學(xué);
【關(guān)鍵詞】： 光學(xué)設(shè)計 高數(shù)值孔徑(NA)投影光刻物鏡 深紫外投影光刻物鏡 遠心度 曲面光闌
【基金】：國家科技重大專項基金資助項目(No.2012ZX02701001-007)
【分類號】：TN305.7
【正文快照】： 2.中國科學(xué)院大學(xué),北京100049)1引言大規(guī)模集成電路制造的核心設(shè)備是光刻機。我國的光刻技術(shù)研究起步較晚,且進展較為緩慢,水平與國外的差距十分明顯。為了具有自主研發(fā)高端集成電路的能力,我國開始了極紫外(EUV)光刻技術(shù)和深紫外193nm光刻技術(shù)[1-4]的研究。目前,國際上最先進

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本文編號：534401