面向人工智能的嵌入式儲(chǔ)存器及存內(nèi)計(jì)算電路設(shè)計(jì)
【文章頁(yè)數(shù)】:118 頁(yè)
【學(xué)位級(jí)別】:博士
【部分圖文】:
圖1-1基于傳統(tǒng)馮諾依曼架構(gòu)的神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)加速器設(shè)計(jì)
電子科技大學(xué)博士學(xué)位論文2的降低和由于工藝參數(shù)變化所帶來(lái)的非線性,運(yùn)算誤差等問(wèn)題。雖然這一架構(gòu)尚未完全成熟,但是其在能耗效率和面積開(kāi)銷上所具有的市場(chǎng)應(yīng)用前景受到了來(lái)自工業(yè)界和學(xué)術(shù)界廣泛的關(guān)注。其中工業(yè)界的代表案例有臺(tái)積電提出的7nmSRAM-CIM[61]和IBM提出的基于相變存....
圖1-2基于存算一體架構(gòu)的神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)加速器設(shè)計(jì)
電子科技大學(xué)博士學(xué)位論文2的降低和由于工藝參數(shù)變化所帶來(lái)的非線性,運(yùn)算誤差等問(wèn)題。雖然這一架構(gòu)尚未完全成熟,但是其在能耗效率和面積開(kāi)銷上所具有的市場(chǎng)應(yīng)用前景受到了來(lái)自工業(yè)界和學(xué)術(shù)界廣泛的關(guān)注。其中工業(yè)界的代表案例有臺(tái)積電提出的7nmSRAM-CIM[61]和IBM提出的基于相變存....
圖2-1新型存儲(chǔ)器金字塔架構(gòu)
電子科技大學(xué)博士學(xué)位論文6第二章存內(nèi)計(jì)算電路設(shè)計(jì)基礎(chǔ)本章節(jié)主要介紹了存內(nèi)計(jì)算電路所涉及到的基本理論,工作原理和指標(biāo),主要包括:1.存儲(chǔ)器電路的新型金字塔架構(gòu),2.一般存儲(chǔ)器電路的兩種基本操作:存儲(chǔ)和讀寫操作。3.目前深度神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)的基本操作和傳統(tǒng)馮諾依曼架構(gòu)的主要瓶頸。4.存內(nèi)計(jì)算....
圖2-26TSRAM單元的基本電路圖
第二章存內(nèi)計(jì)算電路設(shè)計(jì)基礎(chǔ)9工業(yè)級(jí)和消費(fèi)者級(jí)電子產(chǎn)品中都十分常見(jiàn)。NOR-type的FlashMemory(NOR-Flash)對(duì)PVT的變化相較不敏感,因而主要應(yīng)用在微控制單元(MicroControlUnit,MCU)設(shè)計(jì)中。特別地在車載系統(tǒng)的應(yīng)用中,微控制單元需要在高溫下仍....
本文編號(hào):3981341
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