近年來,以非晶銦鎵鋅氧(α-InGaZnO:IGZO)為代表的氧化物半導體得到了不斷發(fā)展與廣泛應用。例如,基于IGZO溝道的薄膜晶體管(TFTs)已經(jīng)開始部分替代傳統(tǒng)非晶硅晶體管應用在平板顯示器中。IGZO是一種性能優(yōu)異的n型氧化物半導體,電子遷移率高,帶隙較寬且在可見光范圍透明,可以低溫大面積均勻成膜,因此非常適用于透明柔性電子產品的制備。而隨著可穿戴設備的迅速發(fā)展,尋找適用于這些電子產品的存儲器也越來越重要。在存儲器設備中,有兩類最基本的單元器件:選通晶體管和非易失性存儲單元器件,而這兩類器件單元就是本論文的研究重點。本論文的主要工作之一是研究適合作為選通晶體管應用到存儲電路中的低電壓操作IGZO TFTs。另外,在目前商業(yè)應用中仍是以電荷俘獲型存儲器(CTM)以及浮柵型存儲器(FGM)為主的非易失性存儲單元器件,而前者因為更適用于現(xiàn)在的三維閃存(3DNAND)集成技術,所以近年來得到了科研人員的廣泛關注與研究。但是,由于傳統(tǒng)的存儲器件單元都是硅基器件,不適用于透明柔性電子產品當中。因此,本論文的主要研究工作還包含了開發(fā)基于IGZO溝道的CTM器件,通過改善柵堆棧層的特性來實現(xiàn)存儲...

【文章頁數(shù)】：165 頁

【學位級別】：博士

【部分圖文】：

圖１．２．１薄膜晶體管結構示意圖

到人們的關注，??其中透明柔性的非易失性存儲器也是研宄重點因此想實現(xiàn)透明柔性的存儲??器，就需要同時實現(xiàn)這兩類基本單元的低溫制備。在接下來的１．２節(jié)中將主要介??紹可以起到選通作用的薄膜晶體管，１．３節(jié)中圍繞傳統(tǒng)電荷俘獲型存儲單元進行??介紹，１．４節(jié)則以阻變存儲器為主，對新型存....

圖１．２．２晶態(tài)和非晶態(tài)半導體中載流子的傳輸

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圖１．３．２（３壞０１＾和（的０頂存儲器結構示意圖

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圖１．３．３（ａ）浮柵存儲器編程、擦除時／Ｄ－ＦＧ變化曲線

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本文編號：3918642