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面向邊緣計(jì)算的高效能非易失存儲關(guān)鍵技術(shù)研究

發(fā)布時間:2024-03-03 16:22
  隨著萬物互聯(lián)的飛速發(fā)展,數(shù)十億到數(shù)百億的物聯(lián)網(wǎng)邊緣設(shè)備接入網(wǎng)絡(luò),產(chǎn)生了規(guī)模巨大的數(shù)據(jù)。面對海量的數(shù)據(jù)時,采用集中式計(jì)算、存儲和傳輸?shù)脑朴?jì)算模式面臨著實(shí)時性不夠、帶寬不足、能耗巨大以及安全隱私等問題。通過將云端的計(jì)算存儲能力下沉到網(wǎng)絡(luò)邊緣,邊緣計(jì)算應(yīng)運(yùn)而生,旨在滿足實(shí)時業(yè)務(wù)、數(shù)據(jù)優(yōu)化、智能服務(wù)、安全隱私等行業(yè)需求。邊緣計(jì)算擁有更小的響應(yīng)時延、更低的帶寬成本及更高的安全性,受到了學(xué)術(shù)界和企業(yè)界的密切關(guān)注。多家企業(yè)和組織發(fā)起成立了邊緣計(jì)算聯(lián)盟,通過與多家產(chǎn)業(yè)應(yīng)用聯(lián)盟深入合作,推動了邊緣計(jì)算在智慧城市、在線直播、自動駕駛、智能制造等諸多領(lǐng)域的廣泛應(yīng)用。面對日益增加的數(shù)據(jù)規(guī)模以及人工智能等算力需求倍增的處理任務(wù),相比于云計(jì)算中心的服務(wù)器集群,空間、能源受限以及存算能力有限的邊緣側(cè)面臨著巨大的挑戰(zhàn)。如何構(gòu)建低功耗、高效率的邊緣節(jié)點(diǎn),高效實(shí)時地完成數(shù)據(jù)處理任務(wù)、實(shí)現(xiàn)多樣化數(shù)據(jù)的存儲和快速訪問,是一個亟待研究的問題。非易失存儲(Non-volatile Memory,NVM),相較于傳統(tǒng)的靜態(tài)隨機(jī)存儲及動態(tài)隨機(jī)存儲,擁有存儲密度高、數(shù)據(jù)掉電不丟失、可擴(kuò)展性好以及靜態(tài)功耗低等特性。上述優(yōu)良特性為邊緣計(jì)算...

【文章頁數(shù)】:180 頁

【學(xué)位級別】:博士

【部分圖文】:

圖1-1邊緣計(jì)算部署圖[8]??相比于擅長全局性、非實(shí)時、長周期的大數(shù)據(jù)處理與分析的云計(jì)算,邊緣計(jì)??算更適合局部性、實(shí)時性、短周期的數(shù)據(jù)處理與分析[9]

圖1-1邊緣計(jì)算部署圖[8]??相比于擅長全局性、非實(shí)時、長周期的大數(shù)據(jù)處理與分析的云計(jì)算,邊緣計(jì)??算更適合局部性、實(shí)時性、短周期的數(shù)據(jù)處理與分析[9]

山東大學(xué)博士學(xué)位論文??在萬物互聯(lián)的背景下,作為數(shù)據(jù)消費(fèi)者和大規(guī)模原始數(shù)據(jù)生產(chǎn)者的終端,亟??需延遲低、可靠性高以及數(shù)據(jù)安全的應(yīng)用和服務(wù)。邊緣計(jì)算應(yīng)運(yùn)而生,在毗鄰數(shù)??據(jù)源頭的邊緣融合網(wǎng)絡(luò)、計(jì)算、存儲等資源,應(yīng)對實(shí)時業(yè)務(wù)、數(shù)據(jù)優(yōu)化、智能服??務(wù)、安全隱私等行業(yè)需求。如圖1-1所示....


圖1-2研究框架圖??邊緣節(jié)點(diǎn)的基礎(chǔ)資源層為邊緣側(cè)運(yùn)行的各種服務(wù)提供網(wǎng)絡(luò)、計(jì)算和存儲等支??撐[42]

圖1-2研究框架圖??邊緣節(jié)點(diǎn)的基礎(chǔ)資源層為邊緣側(cè)運(yùn)行的各種服務(wù)提供網(wǎng)絡(luò)、計(jì)算和存儲等支??撐[42]

BM?SoC-FPGA?儲系統(tǒng)中非的性能感知綜合流程,降低關(guān)鍵路徑延!??By3?的多級并行加密哈希函非易失片上遲??鍵.?非易失存儲數(shù)的并行1流緩存均衡損?!??技?軟硬協(xié)同的水加速寧耗算法,保|謝十基于MLC的FPGA可重!??木?料可擴(kuò)展辭您想j構(gòu)邏雛心,提高邏輯密丨??r....


圖2-1非易失存儲應(yīng)用層次[48]??、

圖2-1非易失存儲應(yīng)用層次[48]??、

存儲業(yè)務(wù)所需的數(shù)據(jù)規(guī)模[46]。??相比于傳統(tǒng)的存儲器,非易失性存儲器(NVM)具有諸多顯著的優(yōu)點(diǎn):比DRAM更??加可靠,而且靜態(tài)能量消耗更小;比SRAM存儲器集成度提高數(shù)倍;與Flash存??儲器相比,具有更高的使用壽命。如今,非易失性存儲器己得到工業(yè)界包括Intel、??N....


圖2-2?NVsim存儲器組織模型[5°]??

圖2-2?NVsim存儲器組織模型[5°]??

臺和帶有硬件原型系統(tǒng)的驗(yàn)證平臺。??仿真型驗(yàn)證平臺主要有CACTI[53],?NVsim[5°:以及NVMain[52]等。CACTI是HP實(shí)??驗(yàn)室提出的存儲器仿真工具,不僅支持DRAM芯片的設(shè)計(jì),也支持NVM芯片的設(shè)??計(jì)�;趦�(nèi)置的存儲器模型,提供NVM芯片的讀寫速度,面積....



本文編號:3918048

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